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1. 发明专利

JP2016520255A 基板載置装置及びプラズマ加工装置审中-公开
标题翻译：基板安装装置和等离子体处理装置
公开(公告)号：JP2016520255A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：JP2016510918
申请日：2013-12-23
申请人：北京北方▲微▼▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司Beijing Nmc Co.,Ltd. , 北京北方▲微▼▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司Beijing Nmc Co.,Ltd.
发明人：ジャン，バオヒュイ , リ，ドンサン , リウ，リジャン , ルアン，ダウェイ , ガオ，フバオ , ヤン，ジヒュイ , リ，ゾンシン
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/68771 , H01L21/67109
摘要：本発明は基板載置装置(20)及びプラズマ加工装置を提供する。基板載置装置(20)の上表面には複数の基板実装部(201)が設けられ、熱交換ガスを基板実装部(201)の上表面にガイドするために、基板実装部(201)のそれぞれに対応して熱交換ガス吸気通路(23、24、25)が基板載置装置(20)内に設けられている。熱交換ガス吸気通路は、吸気口(23、24、25)がいずれも外部のガス源と連通する周縁吸気通路及び中間吸気通路を備え、周縁吸気通路の排気口は基板実装部(201)の上表面の周縁領域内に設けられ、中間吸気通路の排気口は基板実装部(201)の上表面の中間領域に設けられている。基板載置装置(20)及びプラズマ加工装置は、被加工ワーク(21)の周縁領域の熱交換効果を向上させることにより、被加工ワーク(21)の周縁領域と中間領域の温度を均一にすることができ、さらにプラズマ加工のプロセス均一性を向上することができる。【選択図】図3
摘要翻译：本发明提供了一种基板安装装置（20）和等离子体处理装置。基板安装装置（20）（201）的表面上形成多个基板安装部的设置，热交换气体，引导基板安装部（201）的上表面，基板安装的部分（201）对应于每个热交换气体的进气通道（23，24，25）被设置在基板安装装置（20）上。热交换的气体入口通道，这两个入口（23，24，25）包括一周边进气通道和中间进气通道与外部气源，外围进气通道基板安装部的排气口连通（201）在上表面的周边区域设置，中间进气通道的出口处的基板安装部（201）的上表面的中间区域中。基板安装装置（20）和所述等离子体处理装置，通过提高该工件（21）的周边区域的热交换效果，以均衡所述外围区域的温度和工件的中间区域（21）它可以，所以能够进一步提高等离子体处理的处理均匀性。点域

2. 发明专利

JP2017504195A 静電チャック、チャンバ及び静電チャックの製造方法有权
标题翻译：的静电卡盘的方法室和静电卡盘
公开(公告)号：JP2017504195A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2016541702
申请日：2014-12-29
申请人：北京北方▲微▼▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司Beijing Nmc Co.,Ltd. , 北京北方▲微▼▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司Beijing Nmc Co.,Ltd.
发明人：ニエ，ミャオ
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00
CPC分类号： H01L21/6831 , H01L21/67103 , H01L21/6875
摘要：静電チャック、チャンバ及び静電チャックの製造方法を提供する。静電チャックは、上方にヒータ(20)と、ヒータ(20)の上方に設置され、内部に静電引力を発生するための電極が設置されている絶縁層(30)とが設置されたチャックベース(10)を含み、さらに、チャックベース(10)とヒータ(20)との間に積層されて断熱層(40)を構成する断熱層シート材を含み、それに応じて、さらにチャンバを提供する。静電チャック、チャンバ及び静電チャックの製造方法は、断熱接着層の平面度を保証し難く、且つ真空漏洩が発生しやすい問題を効果的に解消するとともに、加工の複雑性を低減することができる。【選択図】図2
摘要翻译：的静电卡盘，是提供一种制造腔室和静电卡盘的方法。静电卡盘包括加热器（20）向上，设置在所述加热器（20），卡盘内绝缘，用于产生安装在所述层（30）的静电吸引的电极的上方并安装包括一底座（10）还包括构成所述卡盘基座（10）和所述热绝缘层被层压在加热器（20）之间的绝缘层片材（40），并且响应于此，还提供了一种腔室。的静电卡盘的方法腔室和静电卡盘，它是难以确保绝缘性粘接剂层的平坦度，用真空泄漏被有效地解决趋于发生的问题，并，以降低处理的复杂它可以是。 .The

3. 发明公开

KR20090033247A AN APPARATUS OF CONTROLLING TEMPERATURE AND A METHOD OF CONTROLLING THE TEMPERATURE OF WAFER 审中-公开
标题翻译：一种控制温度的方法和一种控制波浪温度的方法
公开(公告)号：KR20090033247A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：KR20097001508
申请日：2009-01-23
申请人： BEIJING NMC CO LTD
发明人： LIU LIJIAN
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/00 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/6831
摘要： An apparatus of controlling temperature and a method of controlling the temperature of the wafer are provided, the apparatus comprises an electrostatic chuck (5) on which a wafer may be placed, a centric backside cooling gas passage (2) and an edge backside cooling gas passage (4) which are not communicated each other are disposed in the electrostatic chuck (5), the centric backside cooling gas passage (2) is contacted with the wafer tightly and sealed well, the edge surface of the edge backside cooling gas passage (4) which is contact with the wafer is rough, or one or plurity of leaking holes (11) of gas is/are disposed at the edge of electrostatic chuck, the cooling gas in the edge backside cooling gas passage (4) can be leaked along the roughness surface or the leaking holes (11), the centric backside cooling gas passage (2) is connected to the pressure controller (8), the edge backside cooling gas passage (4) is connected to the MFC. The apparatus can both vary the effect of heat dissipation at the edge of the wafer and control efficiently the tempreture of the wafer. The invention can be used mainly in the temperature controlling system of the semiconductor manufacturing process, it also can be used in other occasions, especially used in the etching apparatus.
摘要翻译：提供了一种控制温度的装置和一种控制晶片温度的方法，该装置包括一个可放置晶片的静电卡盘（5），一个中心后侧冷却气体通道（2）和一个边缘后侧冷却气体未彼此连通的通路（4）设置在静电卡盘（5）中，中心背侧冷却气体通路（2）与晶片紧密接触并密封，边缘后侧冷却气体通路与晶片接触的4）是粗糙的，或者在静电卡盘的边缘处设置有一个或多个气体泄漏孔（11），边缘后侧冷却气体通道（4）中的冷却气体可能会泄漏沿着粗糙表面或泄漏孔（11），中心后侧冷却气体通路（2）连接到压力控制器（8），边缘后侧冷却气体通道（4）连接到MFC。该装置既可以改变晶片边缘散热的影响，又能有效控制晶片的温度。本发明主要用于半导体制造工艺的温度控制系统，也可用于其他场合，特别是在蚀刻装置中使用。

4. 发明专利

JP2014500626A Tray device and the crystal film growth apparatus 有权
公开(公告)号：JP2014500626A
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：JP2013541191
申请日：2011-09-20
申请人：北京北方▲微▼▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司Beijing Nmc Co., Ltd.
发明人：古村雄二 , ▲張▼建▲勇▼ , 徐▲亜▼▲偉▼ , ▲張▼秀川 , 周▲衛▼国 , 董志清
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/458 , C30B25/12 , C30B25/14
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/4583 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要：処理される基板を保持するためのトレイデバイスが、縦方向に積重ねられた複数のトレイを含み、隣接するトレイ間に一定の距離を有する。プロセスチャンバー、プロセスガス送出システムおよび排気システムを備える結晶膜成長装置もまた設けられ、プロセスチャンバー内に、プロセス中に基板を保持するための上述したトレイデバイスが設けられる。
【選択図】図３

5. 发明申请

WO2017071046A1 APPARATUS FOR SPUTTERING AND OPERATION METHOD THEREOF 审中-公开
标题翻译：用于溅射的装置及其操作方法
公开(公告)号：WO2017071046A1
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：PCT/CN2015/098875
申请日：2015-12-25
申请人： BEIJING NMC CO., LTD.
发明人： YANG, Yujie
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/0641 , C23C14/3414 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3429 , H01J37/3452 , H01J37/347 , H01L21/2855
摘要： A sputtering apparatus comprises a magnetron structure (11) configured to erode a target (15) according to a predetermined erosion rate profile (300) symmetric to a central axis (C1) of the magnetron structure (11), and the predetermined erosion rate profile(300) comprising a first peak rate (PR1) in proximity to the central axis (C1); and a second peak rate (PR2) located at about from 0.7 to 0.75 of a radius (TR1) of the target (15) from the central axis (C1). Also are provided another sputtering apparatus and a method of sputtering.
摘要翻译：溅射设备包括磁控管结构（11），该磁控管结构（11）被配置成根据与磁控管结构（11）的中心轴线（C 1）对称的预定侵蚀速率分布图（300）侵蚀靶（15）），并且所述预定侵蚀速率曲线（300）包括接近所述中心轴线（C1）的第一峰值速率（PR1）; 以及位于距所述中心轴（C1）的所述靶（15）的半径（TR1）的大约0.7至0.75处的第二峰值速率（PR2）。还提供了另一种溅射设备和溅射方法。

6. 发明专利

JP6054873B2 トレイデバイスおよび結晶膜成長装置有权
标题翻译：盘装置和所述晶体膜生长装置
公开(公告)号：JP6054873B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2013541191
申请日：2011-09-20
申请人：北京北方▲微▼▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司 , BEIJING NMC CO., LTD.
发明人：古村雄二 , ▲張▼建▲勇▼ , 徐▲亜▼▲偉▼ , ▲張▼秀川 , 周▲衛▼国 , 董志清
IPC分类号： C23C16/458 , C30B25/12 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/4583 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68785 , H01L21/68792

7. 发明专利

JP5315243B2 Inductively coupled plasma device using the inductive coupling coil and the inductively coupled coil 有权
公开(公告)号：JP5315243B2
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：JP2009524865
申请日：2007-01-26
申请人：北京北方▲微▼▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司Beijing Nmc Co., Ltd.
发明人：功▲麗▼ 宋 , 建▲輝▼ 南
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3211 , H01F27/28 , H01F38/10 , H01F38/14 , H01J37/321 , H01J37/32119 , H01J37/32183 , H01J2237/3344
摘要： The present invention discloses an inductively coupled coil and an inductively coupled plasma device using the same. The inductively coupled coil comprises an internal coil and an exterior coil which are respective from each other and coaxially arranged, internal coil comprising a plurality of internal respective branches having the same configurations which are nested together, the plurality of internal respective branches being arranged symmetrically with respect to an axis of the inductively coupled coil; the external coil comprising a plurality of external respective branches having the same configurations which are nested together, the plurality of external respective branches being arranged symmetrically with respect to the axis of the inductively coupled coil. The inductively coupled coil is located on the reaction chamber of the inductively coupled plasma device and is connected to a RF source. It can make the plasma distribute uniformly on the wafer in the reaction chamber so that the difference in chemical reaction rate on the surface of the wafer is small and the quality of the etched wafer is improved. They can be applied in a semiconductor wafer manufacturing apparatus, and they can also be adapted to other apparatuses.

8. 发明专利

JP2010501123A Inductively coupled plasma device using the inductive coupling coil and the inductively coupled coil 有权
公开(公告)号：JP2010501123A
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：JP2009524865
申请日：2007-01-26
申请人：北京北方▲微▼▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司Beijing Nmc Co., Ltd.
发明人：建▲輝▼ 南 , 功▲麗▼ 宋
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3211 , H01F27/28 , H01F38/10 , H01F38/14 , H01J37/321 , H01J37/32119 , H01J37/32183 , H01J2237/3344
摘要：誘導結合コイルおよび誘導結合コイルを用いた誘導結合プラズマ装置を開示している。該誘導結合コイルは、内部コイルおよび外部コイルを備え、内部コイルおよび外部コイルが相互に独立して同一軸線で配置される。内部コイルは同じ構成のネストされた複数の内部独立ブランチで構成され、複数の内部独立ブランチが軸線中心に対して対称配置される。外部コイルは同じ構成のネストされた複数の外部独立ブランチで構成され、複数の外部独立ブランチが軸線中心に対して対称配置される。誘導結合コイルは、誘導結合プラズマ装置の反応チャンバ上部に設けられ、無線周波数電源に接続される。反応チャンバのウェハーの上方におけるプラズマの分布が均一になり、ウェハーの表面で発生した化学反応速度の差が小さくなり、エッチングレートが均一になり、ウェハーエッチングの品質が向上することができる。主に半導体ウェハー加工設備に適用され、他の設備にも適用される。

9. 发明专利

TW201742937A 形成薄膜的方法以及形成氮化鋁薄膜的方法审中-公开
简体标题：形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法
公开(公告)号：TW201742937A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW105124057
申请日：2016-07-29
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD.
发明人：王軍 , WANG, JUN , 董博宇 , DONG, BOYU , 郭冰亮 , GUO, BINGLIANG , 耿玉潔 , GENG, YUJIE , 馬懷超 , MA, HUAICHAO
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/06
CPC分类号： C23C14/02
摘要：本發明揭示一種形成薄膜的方法以及形成氮化鋁薄膜的方法，利用於主濺射進行之前先進行兩次具有不同製程參數的預濺射，藉此達到穩定靶材狀況的效果。本發明之形成薄膜的方法可於基板上形成氮化鋁薄膜，而此氮化鋁薄膜可用於電子裝置中位於基板與氮化鎵層之間的緩衝層，藉此改善氮化鋁以及氮化鎵層的成膜品質並達到提升電子裝置效能之目的。
简体摘要：本发明揭示一种形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法，利用于主溅射进行之前雪铁龙行两次具有不同制程参数的预溅射，借此达到稳定靶材状况的效果。本发明之形成薄膜的方法可于基板上形成氮化铝薄膜，而此氮化铝薄膜可用于电子设备中位于基板与氮化镓层之间的缓冲层，借此改善氮化铝以及氮化镓层的成膜品质并达到提升电子设备性能之目的。

10. 发明专利

TW201713789A 加熱模組、物理氣相沉積腔室以及沉積設備审中-公开
简体标题：加热模块、物理气相沉积腔室以及沉积设备
公开(公告)号：TW201713789A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105124053
申请日：2016-07-29
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD.
发明人：張軍 , CHANG, JUN , 徐寶崗 , HSU, PAOKANG , 趙晉榮 , ZHAO, JINRONG , 武學偉 , WU, XUEWEI , 董博宇 , DONG, BOYU
IPC分类号： C23C14/56 , H01L21/203 , H05B3/44
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C14/35 , C23C14/541 , F27D5/0037 , F27D2003/0065 , F27D2019/0003 , H01L21/67103 , H01L21/67248 , H01L21/68792 , H05B1/0233 , H05B3/0047
摘要：本發明揭示一種加熱模組、物理氣相沉積腔室及沉積設備。利用於物理氣相沉積腔室中設置加熱模組，加熱模組包括加熱燈管，加熱燈管經配置分佈以構成加熱區域，且加熱區域於投影方向上之投影覆蓋基板。加熱燈管包括加熱段及非加熱段，加熱段係對應加熱區域，且加熱段包括加熱絲。本發明提供的加熱模組、物理氣相沉積腔室以及沉積設備，既能滿足高溫物理氣相沉積製程對基板的快速升溫及快速降溫的要求，又可直接應用於真空環境或大氣環境內，應用範圍較大；而且，當其應用於真空環境中時，加熱燈管的熱量損失更少，從而可進一步提高加熱效率。
简体摘要：本发明揭示一种加热模块、物理气相沉积腔室及沉积设备。利用于物理气相沉积腔室中设置加热模块，加热模块包括加热灯管，加热灯管经配置分布以构成加热区域，且加热区域于投影方向上之投影覆盖基板。加热灯管包括加热段及非加热段，加热段系对应加热区域，且加热段包括加热丝。本发明提供的加热模块、物理气相沉积腔室以及沉积设备，既能满足高温物理气相沉积制程对基板的快速升温及快速降温的要求，又可直接应用于真空环境或大气环境内，应用范围较大；而且，当其应用于真空环境中时，加热灯管的热量损失更少，从而可进一步提高加热效率。

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