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1. 发明专利

JP6054112B2 光学リソグラフィでの照明光源形状定義有权
标题翻译：照明光源的形状在光学光刻定义
公开(公告)号：JP6054112B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2012204768
申请日：2012-09-18
申请人：アイメック , IMEC , アーエスエムエル・ネザーランズ・ベスローテン・フェンノートシャップ , ASML Netherlands B.V.
发明人：岩瀬和也 , ペーテル・デ・ビショップ
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/36
CPC分类号： G03F7/70125 , G03F1/36 , G03F7/70425 , G03F7/70433 , G03F7/70441

2. 发明专利

JP2010508167A Method of manufacturing a micro machine device 审中-公开
公开(公告)号：JP2010508167A
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：JP2009535072
申请日：2007-10-31
申请人：アーエスエムエル・ネザーランズ・ベスローテン・フェンノートシャップASML Netherlands B.V. , アイメックImec
发明人：アン・ウィトフルーウ , リュック・ハスペスラーフフ
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： H01L21/324 , B81C1/00246 , B81C2203/0735 , Y10T428/24612
摘要：本発明は、電気回路を含む基板（１０）の上に、少なくとも１つのマイクロマシン構造を含むマイクロマシンデバイスを、下方の電気回路に影響を与えることなく作製する方法を提供する。この方法は、電気回路を含む基板（１０）の上に、保護層（１５）を形成する工程と、少なくとも１つのマイクロマシン構造を形成するための複数のパターニングされた層を保護層（１５）の上に形成する工程であって、複数のパターニングされた層は、少なくとも１つの犠牲層（１８）を含む工程と、その後に、犠牲層（１８）の少なくとも一部を除去して、少なくとも１つのマイクロマシン構造を開放する工程とを含む。この方法は、更に、保護層（１５）を形成する前に、マイクロマシンデバイスの製造中に使用される最高温度より高い温度で基板（１０）をアニールする工程を含み、アニールは、その後の製造工程中に、保護層（１５）の下での気体の形成を防止する。本発明は、また、本発明の具体例にかかる方法で得られたマイクロマシンデバイスを提供する。

3. 发明专利

JP2013502705A Reflective optical element and its production method 有权
公开(公告)号：JP2013502705A
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：JP2012525093
申请日：2010-08-20
申请人：カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー , アーエスエムエル・ネザーランズ・ベスローテン・フェンノートシャップASML Netherlands B.V.
发明人：ファンカンペンマールテン , ハインリヒエームディルク , フェルベルクロジェール , ハイジブレグトセイェルーン
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70958 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G21K1/062
摘要： In order to limit the negative effect of metal contamination on reflectivity within an EUV lithography device, a reflective optical element is proposed for the extreme ultraviolet and soft X-ray wavelength range with a reflective surface with an uppermost layer, in which the uppermost layer comprises one or more organic silicon compounds with a carbon-silicon and/or silicon-oxygen bond.

4. 发明专利

JP3843308B2 Mask pattern image forming apparatus 有权
公开(公告)号：JP3843308B2
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：JP2002317564
申请日：2002-10-31
申请人：アーエスエムエル・ネザーランズ・ベスローテン・フェンノートシャップASML Netherlands B.V.
发明人：スティーブ・ウィッテコエック , レイナー・プフォール , ロルフ・ゼルトマン
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/207 , G03F9/00
CPC分类号： G03F7/70641 , G03F7/70675
摘要： PCT No. PCT/BE93/00046 Sec. 371 Date Jun. 27, 1994 Sec. 102(e) Date Jun. 27, 1994 PCT Filed Jul. 1, 1993 PCT Pub. No. WO94/01808 PCT Pub. Date Jan. 20, 1994.The system comprises a latent image detection device comprising an alignment device which uses non-actinic radiation (10) and which is intended for aligning the mask pattern with respect to the substrate (3) and is designed for detecting the measure of coincidence of a mask alignment feature and a substrate alignment feature (8). The alignment device is provided with a radiation-sensitive detection system (6) which is connected to an electronic signal circuit in which the amplitude of the radiation incident on the detection system is determined, which originates from a latent image, formed in the photosensitive layer, of a mask feature, in which a spatial frequency occurs which is approximately equal to the useful resolving power of the projection lens system and considerably greater than the resolving power of the alignment device.

5. 发明专利

JP5314193B2 Reflective optical element and its production method 有权
公开(公告)号：JP5314193B2
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：JP2012525093
申请日：2010-08-20
申请人：カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー , アーエスエムエル・ネザーランズ・ベスローテン・フェンノートシャップASML Netherlands B.V.
发明人：ファンカンペンマールテン , ハインリヒエームディルク , フェルベルクロジェール , ハイジブレグトセイェルーン
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70958 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G21K1/062
摘要： In order to limit the negative effect of metal contamination on reflectivity within an EUV lithography device, a reflective optical element is proposed for the extreme ultraviolet and soft X-ray wavelength range with a reflective surface with an uppermost layer, in which the uppermost layer comprises one or more organic silicon compounds with a carbon-silicon and/or silicon-oxygen bond.

6. 发明专利

JP2013065018A Definition of illumination light source shape for optical lithography 有权
标题翻译：光学光刻的照明光源形状的定义
公开(公告)号：JP2013065018A
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：JP2012204768
申请日：2012-09-18
申请人： Imec , アイメックImec , Asml Netherlands Bv , アーエスエムエル・ネザーランズ・ベスローテン・フェンノートシャップASML Netherlands B.V.
发明人： IWASE KAZUYA , PETER DE BISSCHOP
IPC分类号： G03F1/36 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70125 , G03F1/36 , G03F7/70425 , G03F7/70433 , G03F7/70441
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an excellent method and system for determining lithography process conditions.SOLUTION: Disclosed are method and system that determine the lithography process conditions for lithography process. After input is acquired, first optimization as to illumination light source characteristics and mask design is carried out under conditions in which a non-rectangular sub resolution assist characteristic part is allowed. Then the mask design is optimized in one or more additional optimizations in which only a rectangular sub resolution assist characteristic part is allowed. Consequently, an excellent lithographic process is obtained and complexity of the mask design is limited.
摘要翻译：要解决的问题：提供用于确定光刻工艺条件的优良方法和系统。解决方案：公开了确定光刻工艺的光刻工艺条件的方法和系统。在获取输入之后，在允许非矩形子分辨率辅助特征部分的条件下执行关于照明光源特性和掩模设计的第一优化。然后，在一个或多个其中仅允许矩形子分辨率辅助特征部分的附加优化中对面罩设计进行优化。因此，获得优异的光刻工艺，并且掩模设计的复杂性受到限制。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

7. 发明申请

US20140264093A1 LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE 有权
标题翻译：激光生产等离子体光源
公开(公告)号：US20140264093A1
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：US14294048
申请日：2014-06-02
申请人： ASML NETHERLANDS B.V.
发明人： Georgiy O. Vaschenko
IPC分类号： G03F7/20 , H05G2/00
CPC分类号： H05H1/42 , G03F7/70033 , H01J35/20 , H05G2/005 , H05G2/006 , H05G2/008 , Y10T29/49 , Y10T156/10
摘要： Methods and apparatus for producing irradiation targets in an extreme ultraviolet (EUV) light source having an irradiation target generating system that includes a nozzle configured for ejecting droplets of a target material, and a subsystem having an electro-actuable element producing a modulation waveform to cause disturbance to the droplets thereby causing at least some of the droplets to coalesce into irradiation targets. There is included a laser producing a beam for irradiating the irradiation targets to generate an EUV-producing plasma, wherein the electro-actuable element is biased against the nozzle to enable transfer of the disturbance to the droplets while permitting relative movement between the electro-actuable element and the nozzle.
摘要翻译：在具有包括喷射目标材料的液滴的喷嘴的照射目标产生系统的极紫外（EUV）光源中产生照射靶的方法和装置以及具有产生调制波形的电致动元件的子系统，对液滴的干扰，从而使至少一些液滴聚结成辐射靶。包括产生用于照射照射目标以产生产生EUV的等离子体的光束的激光，其中电致动元件被偏置在喷嘴上，以使干扰能够传递到液滴，同时允许电致动的等离子体之间的相对运动元件和喷嘴。

8. 发明专利

TW202031037A 場可程式偵測器陣列审中-公开
简体标题：场可进程侦测器数组
公开(公告)号：TW202031037A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109112060
申请日：2018-09-14
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：王勇新 , WANG, YONGXIN , 賴瑞霖 , LAI, RUI-LING , 董仲華 , DONG, ZHONGHUA
IPC分类号： H04N5/369
摘要：本發明揭示用於實施一偵測器陣列之系統及方法。根據某些實施例，一基板包含複數個感測元件，該複數個感測元件包括一第一元件及一第二元件以及在其間的經組態以連接該第一元件與該第二元件之一切換區。該切換區可基於回應於該等感測元件接收到具有一預定量的能量之電子而產生之信號受控制。
简体摘要：本发明揭示用于实施一侦测器数组之系统及方法。根据某些实施例，一基板包含复数个传感组件，该复数个传感组件包括一第一组件及一第二组件以及在其间的经组态以连接该第一组件与该第二组件之一切换区。该切换区可基于回应于该等传感组件接收到具有一预定量的能量之电子而产生之信号受控制。

9. 发明专利

TW202030759A 用於多個帶電粒子束的設備审中-公开
简体标题：用于多个带电粒子束的设备
公开(公告)号：TW202030759A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108144866
申请日：2019-12-09
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：任岩 , REN, YAN
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/05 , H01J37/153
摘要：本發明揭示在一多束設備中觀測一樣本之系統及方法。該多束設備可包括：一電子源，其經組態以產生一初級電子束；一前電流限制孔徑陣列，其包含複數個孔徑且經組態以自該初級電子束形成複數個小束，該複數個小束中之每一者具有一相關束電流；一聚光透鏡，其經組態以使該複數個小束中之每一者準直；一束限制單元，其經組態以調節該複數個小束中之每一者的該相關束電流；及一扇區磁體單元，其經組態以導向該複數個小束中之每一者以在一物鏡內或至少附近形成一交叉點，該物鏡經組態以將該複數個小束中之每一者聚焦至該樣本之一表面上且在其上形成複數個探測光點。
简体摘要：本发明揭示在一多束设备中观测一样本之系统及方法。该多束设备可包括：一电子源，其经组态以产生一初级电子束；一前电流限制孔径数组，其包含复数个孔径且经组态以自该初级电子束形成复数个小束，该复数个小束中之每一者具有一相关束电流；一聚光透镜，其经组态以使该复数个小束中之每一者准直；一束限制单元，其经组态以调节该复数个小束中之每一者的该相关束电流；及一扇区磁体单元，其经组态以导向该复数个小束中之每一者以在一物镜内或至少附近形成一交叉点，该物镜经组态以将该复数个小束中之每一者聚焦至该样本之一表面上且在其上形成复数个探测光点。

10. 发明专利

TW202030557A 提供經訓練網路及判定實體系統之特性审中-公开
简体标题：提供经训练网络及判定实体系统之特性
公开(公告)号：TW202030557A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108131790
申请日：2019-09-04
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：拉赫曼薩米烏爾 , REHMAN, SAMEE UR
IPC分类号： G03F7/20 , G06N3/02
摘要：一種判定具有一材料結構之一實體系統，諸如一薄膜多層堆疊或其他光學系統的諸如光學回應之一特性之方法具有以下步驟：提供(1430)一神經網路(1440)，其中該神經網路之網路架構係基於由該材料結構沿著輻射之路徑進行的該輻射之散射之一模型(1420)而組態；訓練(1450)及使用(1460)該神經網路以判定該實體系統之該特性。該網路架構可基於該模型藉由組態參數而組態，參數包括每隱藏層之單元數目、隱藏層之數目、層互連及丟棄。
简体摘要：一种判定具有一材料结构之一实体系统，诸如一薄膜多层堆栈或其他光学系统的诸如光学回应之一特性之方法具有以下步骤：提供(1430)一神经网络(1440)，其中该神经网络之网络架构系基于由该材料结构沿着辐射之路径进行的该辐射之散射之一模型(1420)而组态；训练(1450)及使用(1460)该神经网络以判定该实体系统之该特性。该网络架构可基于该模型借由组态参数而组态，参数包括每隐藏层之单元数目、隐藏层之数目、层互连及丢弃。

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