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1. 发明专利

TW200939502A 光偵測裝置、及影像顯示裝置审中-公开
简体标题：光侦测设备、及影像显示设备
公开(公告)号：TW200939502A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097150685
申请日：2008-12-25
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：近江俊彥 OMI, TOSHIHIKO , 藤井勇 FJII, ISAMU , 町田聰 MACHIDA, SATOSHI , 內田俊之 UCHIDA, TOSHIYUKI
IPC分类号： H01L , G09G
CPC分类号： H01L27/14645 , G01J1/02 , G01J1/0488 , G01J1/18 , G01J1/4228 , G01J1/44 , H01L27/14621 , H04N5/37457
摘要：【【課題】】提供小型且感度良好的光偵測裝置。【【解決手段】】光偵測裝置10,係將分光特性互異的光二極體1、2的陰極端子變成開放端狀態,在一定時間之間,根據它們中所被累積之電荷的差分,來偵測出所望波長領域的光强度。光二極體1、2係屬於將電荷進行累積之方式,因此即使光電流很小也能將其予以累積以獲得偵測上所必須之電荷,可謀求形成光二極體1、2的半導體裝置的小型化.高偵測能力化。又,可實現隨著光强度而使電荷的累積時間成為可變的廣動態範圍,或使差分偵測上所必須之要素,在差分偵測時間歇驅動以抑制電力消費量,或者使輸出平均化而降低閃變(flicker)的影響。
简体摘要：【【课题】】提供小型且感度良好的光侦测设备。【【解决手段】】光侦测设备10,系将分光特性互异的光二极管1、2的阴极端子变成开放端状态,在一定时间之间,根据它们中所被累积之电荷的差分,来侦测出所望波长领域的光强度。光二极管1、2系属于将电荷进行累积之方式,因此即使光电流很小也能将其予以累积以获得侦测上所必须之电荷,可谋求形成光二极管1、2的半导体设备的小型化.高侦测能力化。又,可实现随着光强度而使电荷的累积时间成为可变的广动态范围,或使差分侦测上所必须之要素,在差分侦测时间歇驱动以抑制电力消费量,或者使输出平均化而降低闪变(flicker)的影响。

2. 发明专利

TW200929850A 可變頻率振盪電路审中-公开
简体标题：可变频率振荡电路
公开(公告)号：TW200929850A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097132822
申请日：2008-08-27
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：有山稔 ARIYAMA, MINORU
IPC分类号： H03B
CPC分类号： H03K3/0315 , G06F1/08 , H03K3/354 , H03K5/133 , H03K2005/0013
摘要：【【課題】】提供電路規模小,不容易使半導體裝置執行錯誤動作之可變頻率振盪電路。【【解決手段】】因使用一個振盪電路(3),故電路規模不會變大。當切換頻率控制信號(SF),並各切換定電流(12-13),於定電流(12-13)產生振鈴時,振鈴之產生期間,脈衝訊號(SP)成為高(High)而輸入至振盪電路(3),因藉由其脈衝訊號(SP)自振盪電路(3)所輸出之時脈訊號(CLK)被固定於低(Low),振盪電路(3)不執行通常之振盪動作,故不會產生無意義頻率之時脈訊號。
简体摘要：【【课题】】提供电路规模小,不容易使半导体设备运行错误动作之可变频率振荡电路。【【解决手段】】因使用一个振荡电路(3),故电路规模不会变大。当切换频率控制信号(SF),并各切换定电流(12-13),于定电流(12-13)产生振铃时,振铃之产生期间,脉冲信号(SP)成为高(High)而输入至振荡电路(3),因借由其脉冲信号(SP)自振荡电路(3)所输出之时脉信号(CLK)被固定于低(Low),振荡电路(3)不运行通常之振荡动作,故不会产生无意义频率之时脉信号。

3. 发明专利

TW200929539A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW200929539A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097132909
申请日：2008-08-28
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：吉野英生 YOSHINO, HIDEO , 長谷川尚 HASEGAWA, HISASHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7322 , G01K3/005 , G01K7/015 , H01L29/0649 , H01L29/402 , H01L29/66272
摘要：在利用發生於射極、基極間的正向電壓的溫度特性之雙極電晶體(Bipolartransistor)中,為縮小元件面積而使第2導電型之基極用高濃度雜質區域與第1導電型之集極用高濃度雜質區域直接接觸以形成不會形成無用分離區域之構造。此外,射極區域係藉由配置於元件分離絕緣膜或半導體基板表面上之多晶矽自我整合而形成。
简体摘要：在利用发生于射极、基极间的正向电压的温度特性之双极晶体管(Bipolartransistor)中,为缩小组件面积而使第2导电型之基极用高浓度杂质区域与第1导电型之集极用高浓度杂质区域直接接触以形成不会形成无用分离区域之构造。此外,射极区域系借由配置于组件分离绝缘膜或半导体基板表面上之多晶硅自我集成而形成。

4. 发明专利

TW200929522A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200929522A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097130993
申请日：2008-08-14
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：鷹巢博昭 TAKASU, HIROAKI
IPC分类号： H01L , H05F
CPC分类号： H01L29/0646 , H01L21/823418 , H01L27/0266 , H01L29/78
摘要：在包括由用於裝置隔離的淺渠溝所圍繞之用於靜電放電保護的n型金屬氧化物半導體電晶體之半導體裝置中,為了抑制處於截止狀態的截止漏電流,在鄰近用於ESD保護之NM0S電晶體的汲極區域,係形成經由與用於ESD保護之NM0S電晶體的汲極區域相接觸之p型區域,接收來自外部連接端點的訊號之n型區域。
简体摘要：在包括由用于设备隔离的浅渠沟所围绕之用于静电放电保护的n型金属氧化物半导体晶体管之半导体设备中,为了抑制处于截止状态的截止漏电流,在邻近用于ESD保护之NM0S晶体管的汲极区域,系形成经由与用于ESD保护之NM0S晶体管的汲极区域相接触之p型区域,接收来自外部连接端点的信号之n型区域。

5. 发明专利

TW200926587A 製造外殼之方法,壓電振盪器,振盪器,電子器具,及無線電時鐘 METHOD OF FABRICATING CASE, PIEZOELECTRIC OSCILLATOR, OSCILLATOR, ELECTRONIC APPLIANCE, AND RADIO CLOCK 审中-公开
简体标题：制造外壳之方法,压电振荡器,振荡器,电子器具,及无线电时钟 METHOD OF FABRICATING CASE, PIEZOELECTRIC OSCILLATOR, OSCILLATOR, ELECTRONIC APPLIANCE, AND RADIO CLOCK
公开(公告)号：TW200926587A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097130435
申请日：2008-08-08
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：川田保雄 KAWADA, YASUO , 沼田理志 NUMATA, MASASHI
IPC分类号： H03H , H03B
CPC分类号： H03H9/1021 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , Y10T29/42 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：一種製造包括壓電震動零件之壓電振盪器中容納該壓電震動零件於其中的外殼之方法,該方法包含以下步驟:於導電板構件實施深引伸,以便將該板構件塑形為具底的近乎圓柱形;以鑿孔機壓該板構件之底部的內表面而進行步進引伸,同時該底部的外表面緊鄰一表面,該表面包括具有內徑小於該底部之外徑的壓模之孔的開口,藉以於該底部之外表面上形成突出部;及於該開口端的預定位置切割具有該突出部之該板構件,藉以獲得具有該突出部之具底的近乎圓柱形之外殼。
简体摘要：一种制造包括压电震动零件之压电振荡器中容纳该压电震动零件于其中的外壳之方法,该方法包含以下步骤:于导电板构件实施深引伸,以便将该板构件塑形为具底的近乎圆柱形;以凿孔机压该板构件之底部的内表面而进行步进引伸,同时该底部的外表面紧邻一表面,该表面包括具有内径小于该底部之外径的压模之孔的开口,借以于该底部之外表面上形成突出部;及于该开口端的预定位置切割具有该突出部之该板构件,借以获得具有该突出部之具底的近乎圆柱形之外壳。

6. 发明专利

TW200925629A 磁性感測器電路审中-公开
简体标题：磁性传感器电路
公开(公告)号：TW200925629A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097126654
申请日：2008-07-14
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：杉浦正一 SUGIURA, MASAKAZU
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R33/07 , G01R33/0023
摘要：本發明之課題在提供一種藉由排除磁性感測器電路的偏移而可高精度地檢測微弱磁場的磁性感測器電路。本發明係形成為設置用以將構成磁性感測器電路之比較器的輸入電容充電為預定電壓的基準電壓源的構成。
简体摘要：本发明之课题在提供一种借由排除磁性传感器电路的偏移而可高精度地检测微弱磁场的磁性传感器电路。本发明系形成为设置用以将构成磁性传感器电路之比较器的输入电容充电为预定电压的基准电压源的构成。

7. 发明专利

TW200910566A 半導體裝置、引線框架及引線框架之製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE, LEAD FRAME, AND MANUFACTURING METHOD FOR THE LEAD FRAME 审中-公开
简体标题：半导体设备、引线框架及引线框架之制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE, LEAD FRAME, AND MANUFACTURING METHOD FOR THE LEAD FRAME
公开(公告)号：TW200910566A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW097123934
申请日：2008-06-26
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：吉野朋之 YOSHINO, TOMOYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05K3/3426 , H01L23/49582 , H01L2924/0002 , H05K2201/10689 , H05K2201/10795 , H05K2201/10909 , Y02P70/613 , H01L2924/00
摘要：所提供者為一半導體裝置,其具有覆蓋以樹脂模型之元件及自該樹脂模型伸出之引線,其中,其引線-頂端部分係整個被焊料鍍層所覆蓋,且其中,並未被焊料鍍層所覆蓋之引線-頂端末端表面具有比金屬引線之截面積的一半更小的面積,藉此,金屬引線之焊料可濕性被改善,並且對電路板的接合强度也被改善。
简体摘要：所提供者为一半导体设备,其具有覆盖以树脂模型之组件及自该树脂模型伸出之引线,其中,其引线-顶端部分系整个被焊料镀层所覆盖,且其中,并未被焊料镀层所覆盖之引线-顶端末端表面具有比金属引线之截面积的一半更小的面积,借此,金属引线之焊料可湿性被改善,并且对电路板的接合强度也被改善。

8. 发明专利

TW200904247A LED驅動電路审中-公开
简体标题： LED驱动电路
公开(公告)号：TW200904247A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097102018
申请日：2008-01-18
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：增子裕之 MASUKO, HIROYUKI
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H05B33/0815 , Y02B20/346
摘要：【【課題】】即使輸入電壓高於輸出電壓,亦能將LED控制在既定的亮度。【【解決手段】】如果因LED21的臨限値電壓Vf的誤差而輸入電壓Vin比輸出電壓Vout高,LED驅動電路不能進行升壓動作,因為LED驅動電路的動作由升壓型切換調整(switching regulator)動作切換成電壓調整(Voltage regulator)動作,所以LED驅動電路會正常動作。
简体摘要：【【课题】】即使输入电压高于输出电压,亦能将LED控制在既定的亮度。【【解决手段】】如果因LED21的临限値电压Vf的误差而输入电压Vin比输出电压Vout高,LED驱动电路不能进行升压动作,因为LED驱动电路的动作由升压型切换调整(switching regulator)动作切换成电压调整(Voltage regulator)动作,所以LED驱动电路会正常动作。

9. 发明专利

TW200846862A 電壓調整器审中-公开
简体标题：电压调整器
公开(公告)号：TW200846862A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW097114635
申请日：2008-04-22
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：井村多加志 IMURA, TAKASHI
IPC分类号： G05F
CPC分类号： G05F1/575
摘要：【【課題】】提供一種具備有檢測精確度為佳且消耗電流為少之過電流保護電路的電壓調整器。【【解決手段】】一種具備有檢測出於輸出電晶體處流動有過電流一事,並對輸出電晶體之電流作限制的過電流保護電路之電壓調整器,其構成,係設置有使輸出電晶體之源極與輸出電流檢測電晶體之源極的電壓成為相等的穩壓串級電路,並藉由以誤差放大電路之輸出電壓所控制之電晶體,來控制穩壓串級電路之動作電流。
简体摘要：【【课题】】提供一种具备有检测精确度为佳且消耗电流为少之过电流保护电路的电压调整器。【【解决手段】】一种具备有检测出于输出晶体管处流动有过电流一事,并对输出晶体管之电流作限制的过电流保护电路之电压调整器,其构成,系设置有使输出晶体管之源极与输出电流检测晶体管之源极的电压成为相等的稳压串级电路,并借由以误差放大电路之输出电压所控制之晶体管,来控制稳压串级电路之动作电流。

10. 发明专利

TW200844414A 溫度檢測電路审中-公开
简体标题：温度检测电路
公开(公告)号：TW200844414A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097105388
申请日：2008-02-15
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：五十嵐敦史 IGARASHI, ATSUSHI
IPC分类号： G01K
CPC分类号： G01K15/00 , G01K7/01 , G01K7/16 , G01K15/007
摘要：本發明提供一種可防止電源起動時之誤動作的溫度檢測電路。該溫度檢測電路,在電源剛起動後溫度感測電路200之輸出電壓或基準電壓電路300之基準電壓尚未充分輸出之狀態下,藉由設於輸出端子700與正之電源端子500之間的誤動作防止電路100,立即使輸出端子700與正之電源端子500成為短路狀態,以防止溫度檢測電路之誤動作。
简体摘要：本发明提供一种可防止电源起动时之误动作的温度检测电路。该温度检测电路,在电源刚起动后温度传感电路200之输出电压或基准电压电路300之基准电压尚未充分输出之状态下,借由设于输出端子700与正之电源端子500之间的误动作防止电路100,立即使输出端子700与正之电源端子500成为短路状态,以防止温度检测电路之误动作。

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