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1. 发明专利

TW200834996A 非極性與半極性發光裝置 NON-POLAR AND SEMI-POLAR LIGHT EMITTING DEVICES 失效
简体标题：非极性与半极性发光设备 NON-POLAR AND SEMI-POLAR LIGHT EMITTING DEVICES
公开(公告)号：TW200834996A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096147297
申请日：2007-12-11
申请人：美國加利福尼亞大學董事會 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA , 獨立行政法人科學技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：史帝芬P 丹巴爾斯 DENBAARS, STEVEN P. , 馬修C 史密特 SCHMIDT, MATTHEW C. , 金光中 KIM, KWANG C. , 詹姆士S 史貝克 SPECK, JAMES S. , 中村秀治 NAKAMURA, SHUJI
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/3404 , H01S5/34333
摘要：一種(AlN、GaN、InN)發光裝置(諸如,發光二極體(LED)),其中藉由在非極性或半極性第III族氮化物晶體幾何形態上製造裝置而實現高光產生效率。由於非極性與半極性發光裝置具有比c平面發光裝置明顯更低之壓電效應,因此可實現在較高電流密度下較高效率之發光裝置。
简体摘要：一种(AlN、GaN、InN)发光设备(诸如,发光二极管(LED)),其中借由在非极性或半极性第III族氮化物晶体几何形态上制造设备而实现高光产生效率。由于非极性与半极性发光设备具有比c平面发光设备明显更低之压电效应,因此可实现在较高电流密度下较高效率之发光设备。

2. 发明专利

TWI296291B 3C-SiC奈諾晶鬚之合成方法及3C-SiC奈諾晶鬚 METHOD FOR SYNTHESIZING 3C-SiC NANO WHISKER AND 3C-SiC NANO WHISKER 失效
简体标题： 3C-SiC奈诺晶须之合成方法及3C-SiC奈诺晶须 METHOD FOR SYNTHESIZING 3C-SiC NANO WHISKER AND 3C-SiC NANO WHISKER
公开(公告)号：TWI296291B
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW091113575
申请日：2002-06-21
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY , 獨立行政法人物質.材料研究機構 NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE
发明人：安藤壽浩 ANDO, TOSHIHIRO , 蒲生美香 GAMO, MIKA , 張亞非 YAFEI ZHANG
IPC分类号： C30B , C01B
CPC分类号： B82Y30/00 , C01B32/956 , C01P2002/72 , C01P2002/80 , C01P2004/04 , C01P2004/16 , C01P2004/51 , C01P2004/64 , C30B11/00 , C30B25/005 , C30B25/105 , C30B29/36 , C30B29/605 , C30B29/62 , Y10S423/10 , Y10T428/259 , Y10T428/2993
摘要：提供一種可控制直徑及長度且可在Si基板上成長且甚安全且製造成本甚低之3C-SiC奈諾晶鬚之合成方法以及可見光之發光波長為不同之3C-SiC奈諾晶鬚。此方法係於Si基板(1)上堆積由金屬元素所構成之薄膜(2)，而將此Si基板(1)配置於電漿CVD裝置上，於氫氣與烴所組成之電漿中以一定之基板溫度保持一定時間而形成3C-SiC奈諾晶鬚。對金屬液體粒子(3)溶入Si基板(1)之Si與電漿中之C成過飽和狀，於金屬液體粒子(3)上成長出3C-SiC奈諾晶鬚(4)，晶鬚表面係以H為終端且使直徑保持一定，晶鬚之根本之金屬液體粒子(3)係取入Si基板(1)之Si而潛入Si基板(1)中。此3C-SiC奈諾晶鬚可作為整合於Si製程之發光材料使用，若混載以量子封入效果為基礎而可發光之3C-SiC奈諾晶鬚裝置與Si裝置則可形成極為有用之裝置。
简体摘要：提供一种可控制直径及长度且可在Si基板上成长且甚安全且制造成本甚低之3C-SiC奈诺晶须之合成方法以及可见光之发光波长为不同之3C-SiC奈诺晶须。此方法系于Si基板(1)上堆积由金属元素所构成之薄膜(2)，而将此Si基板(1)配置于等离子CVD设备上，于氢气与烃所组成之等离子中以一定之基板温度保持一定时间而形成3C-SiC奈诺晶须。对金属液体粒子(3)溶入Si基板(1)之Si与等离子中之C成过饱和状，于金属液体粒子(3)上成长出3C-SiC奈诺晶须(4)，晶须表面系以H为终端且使直径保持一定，晶须之根本之金属液体粒子(3)系取入Si基板(1)之Si而潜入Si基板(1)中。此3C-SiC奈诺晶须可作为集成于Si制程之发光材料使用，若混载以量子封入效果为基础而可发光之3C-SiC奈诺晶须设备与Si设备则可形成极为有用之设备。

3. 发明专利

TWI293129B 光信號增幅三端子裝置、使用其之光信號傳送方法、光信號中繼裝置、光信號記憶裝置有权
简体标题：光信号增幅三端子设备、使用其之光信号发送方法、光信号中继设备、光信号记忆设备
公开(公告)号：TWI293129B
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW092127847
申请日：2003-10-07
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：前田佳伸 MAEDA, YOSHINOBU
IPC分类号： G02B
CPC分类号： H04J14/02 , B82Y20/00 , G02F1/01708 , G02F2/004 , G02F3/00 , G02F2002/006 , G02F2203/585 , G02F2203/70 , H04J14/0201 , H04J14/0204 , H04J14/0205 , H04J14/0212 , H04J14/0213 , H04J14/0221 , H04J14/0246 , H04J14/0267
摘要：本發明之解決手段為，於光信號增幅3端子裝置10當中，將來自於輸入了第1波長λ1的第1輸入光L1及第2波長λ2的第2輸入光L2之上述第1光增幅元件26的光當中所選擇的第2波長λ2的光，以及第3波長λ3的第3輸入光(控制光)L3，輸入至第2光增幅元件34之際，從該第2光增幅元件34所輸出的光當中所選擇的第3波長λ3的輸出光L4，為回應第1波長λ1的第1輸入光L1及/或第3波長λ3的第3輸入光(控制光)L3的強度變化來調變的光，並且上述第3波長λ3之對第3輸入光(控制光)L3的信號增幅率為2以上，因此可得到，可直接採用控制輸入光來進行光信號的增幅處理之光信號增幅3端子裝置10。
简体摘要：本发明之解决手段为，于光信号增幅3端子设备10当中，将来自于输入了第1波长λ1的第1输入光L1及第2波长λ2的第2输入光L2之上述第1光增幅组件26的光当中所选择的第2波长λ2的光，以及第3波长λ3的第3输入光(控制光)L3，输入至第2光增幅组件34之际，从该第2光增幅组件34所输出的光当中所选择的第3波长λ3的输出光L4，为回应第1波长λ1的第1输入光L1及/或第3波长λ3的第3输入光(控制光)L3的强度变化来调制的光，并且上述第3波长λ3之对第3输入光(控制光)L3的信号增幅率为2以上，因此可得到，可直接采用控制输入光来进行光信号的增幅处理之光信号增幅3端子设备10。

4. 发明专利

TW200740433A 包含作為活性成分之若丹青化合物之醫藥組成物 PHARMACEUTICAL COMPOSITION CONTAINING AZARHODACYANINE COMPOUND AS AN ACTIVE INGREDIENT 审中-公开
简体标题：包含作为活性成分之若丹青化合物之医药组成物 PHARMACEUTICAL COMPOSITION CONTAINING AZARHODACYANINE COMPOUND AS AN ACTIVE INGREDIENT
公开(公告)号：TW200740433A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW095120886
申请日：2006-06-13
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY , 富士照相軟片股份有限公司 FUJI PHOTO FILM CO., LTD.
发明人：井原正隆 IHARA, MASATAKA , 高須清誠 TAKASU, KIYOSEI , 卡尼夏普得洪 PUDHOM, KANITHA , 北口博司 KITAGUCHI, HIROSHI , 川上雅之 KAWAKAMI, MASAYUKI , 佐藤幸藏 SATO, KOUZO
IPC分类号： A61K , C07D , A61P
CPC分类号： C07D417/14 , A61K31/426 , A61K31/428 , A61K31/437 , A61K31/4439 , A61K31/444 , A61K31/4709 , C07D498/04 , C07D513/04 , Y02A50/409 , Y02A50/411 , Y02A50/414 , Y02A50/415 , Y02A50/421
摘要：本發明的目的係提供可用作治療及/或預防劑之醫藥組成物。特定言之,本發明的醫藥組成物對寄生性原生動物所引起的疾病具有明顯的治療效應及生存率,以及具有對抗致病原生動物之選擇性毒性。醫藥組成物包含以通式(1)表示之化合物。特定言之,本發明關於一種組成物,其為用於瘧疾、利什曼原蟲症、非洲昏睡症、查加斯氏病(Chagas disease)、弓蟲症、淋巴絲蟲症、焦蟲症及球蟲症之有效的治療/預防劑,並關於其中所包括之新穎化合物。
095120886-p01.bmp
简体摘要：本发明的目的系提供可用作治疗及/或预防剂之医药组成物。特定言之,本发明的医药组成物对寄生性原生动物所引起的疾病具有明显的治疗效应及生存率,以及具有对抗致病原生动物之选择性毒性。医药组成物包含以通式(1)表示之化合物。特定言之,本发明关于一种组成物,其为用于疟疾、利什曼原虫症、非洲昏睡症、查加斯氏病(Chagas disease)、弓虫症、淋巴丝虫症、焦虫症及球虫症之有效的治疗/预防剂,并关于其中所包括之新颖化合物。 095120886-p01.bmp

5. 发明专利

TW200734662A 變換裝置、變換方法、可執行變換方法於電腦之程式及記錄該程式之記錄媒體失效
简体标题：变换设备、变换方法、可运行变换方法于电脑之进程及记录该进程之记录媒体
公开(公告)号：TW200734662A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095143885
申请日：2006-11-28
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY , 國立大學法人九州工業大學 KYUSHU INSTITUTE OF TECHNOLOGY , 系統JD股份有限公司 SYSTEM JD CO., LTD
发明人：溫曉青 WEN, XIAOQING , 原誠司 KAJIHARA, SEIJI , 宮瀨紘平 MIYASE, KOHEI , 皆本義弘 MINAMOTO, YOSHIHIRO , 伊達博 DATE, HIROSHI
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R31/318547 , G01R31/318335 , G01R31/318502
摘要：本發明的課題為提供進行測試向量集合的變換之變換裝置等,俾就包含於全掃描循序電路之掃描單元的輸出,使在掃描擷取的前後發生的邏輯値的不同被減少。本發明的解決手段為一種變換裝置400,係變換對全掃描循序電路之測試向量集合,包含:設定部402,為了由測試向量集合的各測試向量指定可置換成隨意之隨意位元,依照根據邏輯電路中的輸出入關係之規定的限制條件,設定置換成隨意位元也可以之候補位元,及不得置換成隨意位元之固定位元;以及邏輯値決定部404,對包含藉由前述設定部402指定的隨意位元之測試立方,考慮複數個位元對間的關係,決定邏輯値於隨意位元。
简体摘要：本发明的课题为提供进行测试矢量集合的变换之变换设备等,俾就包含于全扫描循序电路之扫描单元的输出,使在扫描截取的前后发生的逻辑値的不同被减少。本发明的解决手段为一种变换设备400,系变换对全扫描循序电路之测试矢量集合,包含:设置部402,为了由测试矢量集合的各测试矢量指定可置换成随意之随意比特,依照根据逻辑电路中的输出入关系之规定的限制条件,设置置换成随意比特也可以之候补比特,及不得置换成随意比特之固定比特;以及逻辑値决定部404,对包含借由前述设置部402指定的随意比特之测试立方,考虑复数个比特对间的关系,决定逻辑値于随意比特。

6. 发明专利

TWI274865B 畫像檢查方法與裝置失效
简体标题：画像检查方法与设备
公开(公告)号：TWI274865B
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：TW094116228
申请日：2005-05-19
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：清水勳 SHIMIZU ISAO
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G06T7/0002
摘要：本發明畫像檢查方法與裝置，係提供一種畫像檢查方法與裝置，能只把被檢查畫像的缺陷部分或差值部分之位置與畫像一起表示，而不必做對準畫像位置之預先處理者。電腦3從記憶部或CCD相機1或2收取參考畫像或參考畫像的傅立業(Fourier，以下稱傅氏)變換像，求得強度資訊與位相資訊，又從記憶部或相機1或2收取被識別畫像或被識別畫像的傅氏變換像，而求得被識別畫像的傅氏變換像之強度資訊。電腦3取參考畫像與被識別畫像的傅氏變換像的強度資訊間之差值，以此強度資訊與參考畫像之差所生差值之式，求出其反傅氏變換像，而輸出反傅氏變換像於輸出部或表示部。根據反傅氏變換像，把被識別畫像的畫像缺陷或參考畫像與被識別畫像之畫像上之差異，做為被識別畫像與參考畫像之差值而抽出之。
简体摘要：本发明画像检查方法与设备，系提供一种画像检查方法与设备，能只把被检查画像的缺陷部分或差值部分之位置与画像一起表示，而不必做对准画像位置之预先处理者。电脑3从记忆部或CCD相机1或2收取参考画像或参考画像的傅立业(Fourier，以下称傅氏)变换像，求得强度信息与位相信息，又从记忆部或相机1或2收取被识别画像或被识别画像的傅氏变换像，而求得被识别画像的傅氏变换像之强度信息。电脑3取参考画像与被识别画像的傅氏变换像的强度信息间之差值，以此强度信息与参考画像之差所生差值之式，求出其反傅氏变换像，而输出反傅氏变换像于输出部或表示部。根据反傅氏变换像，把被识别画像的画像缺陷或参考画像与被识别画像之画像上之差异，做为被识别画像与参考画像之差值而抽出之。

7. 发明专利

TW200708171A 混音裝置及其方法和程式审中-公开
简体标题：混音设备及其方法和进程
公开(公告)号：TW200708171A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW095122289
申请日：2006-06-21
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：濱中雅俊 HAMANAKA, MASATOSHI , 池月雄哉 IKETUKI, YUUYA
IPC分类号： H04S , H04R
CPC分类号： H04R3/12 , H04S7/304 , H04S2400/11
摘要：本發明之目的在於提供一種混音裝置,其係於固定複數的假想音源位置之狀態,可以簡單地提高或降低收聽者指定之音源音量。方向角度差檢測手段24,係檢測事先決定之基準方位角及藉由收聽者使用操作單元7,指向複數假想音源存在之假想音源空間內而決定之指示方位角間之方位角度差。混音手段5係於方位角度差為0度時,直接混音輸出由複數的音響信號通道所提供之複數的音響信號。又,混音手段5係於方位角度差為0度以外時,以基準方位角為基準,而作出固定複數的假想音源位置之狀態,而且將位置於指示方位角之方向之1個以上的假想音源的音量,提高為較方位角度差為0度時之1個以上的假想音源音量大的方式來作混音。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种混音设备,其系于固定复数的假想音源位置之状态,可以简单地提高或降低收听者指定之音源音量。方向角度差检测手段24,系检测事先决定之基准方位角及借由收听者使用操作单元7,指向复数假想音源存在之假想音源空间内而决定之指示方位角间之方位角度差。混音手段5系于方位角度差为0度时,直接混音输出由复数的音响信号信道所提供之复数的音响信号。又,混音手段5系于方位角度差为0度以外时,以基准方位角为基准,而作出固定复数的假想音源位置之状态,而且将位置于指示方位角之方向之1个以上的假想音源的音量,提高为较方位角度差为0度时之1个以上的假想音源音量大的方式来作混音。

8. 发明专利

TW200703905A 邏輯電路及單電子自旋電晶體审中-公开
简体标题：逻辑电路及单电子自旋晶体管
公开(公告)号：TW200703905A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095104560
申请日：2006-02-10
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：田中雅明 TANAKA, MASAAKI , 菅原聰 SUGAHARA, SATOSHI , 范南海 PHAM, NAM HAI
IPC分类号： H03K , H01L
CPC分类号： H01L29/66984 , B82Y10/00 , H01L29/7613 , H03K19/08
摘要：邏輯電路及單電子自旋電晶體,該邏輯電路包含有單電子自旋電晶體,而該單電子自旋電晶體具有源極、汲極、配置於該源極與該汲極之間且於該源極與該汲極之間具有穿隧接面之島、電容接合於該島的閘極,且該源極、汲極及該島之至少其中之一含有可變更磁化方向之强磁性體,且可非依電性地再構成功能。
简体摘要：逻辑电路及单电子自旋晶体管,该逻辑电路包含有单电子自旋晶体管,而该单电子自旋晶体管具有源极、汲极、配置于该源极与该汲极之间且于该源极与该汲极之间具有穿隧接面之岛、电容接合于该岛的闸极,且该源极、汲极及该岛之至少其中之一含有可变更磁化方向之强磁性体,且可非依电性地再构成功能。

9. 发明专利

TW200631960A 有機鉍化合物、其製造方法、活性自由基聚合起始劑、使用其之聚合物之製造方法及聚合物 ORGANIC BISMUTH COMPOUND, PREPARING METHOD THEREOF, LIVING RADICAL POLYMERIZATION INITIATOR, POLYMER PREPARATION AND POLYMER USING THE SAME 审中-公开
简体标题：有机铋化合物、其制造方法、活性自由基聚合起始剂、使用其之聚合物之制造方法及聚合物 ORGANIC BISMUTH COMPOUND, PREPARING METHOD THEREOF, LIVING RADICAL POLYMERIZATION INITIATOR, POLYMER PREPARATION AND POLYMER USING THE SAME
公开(公告)号：TW200631960A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW094143703
申请日：2005-12-09
申请人：大塚化學股份有限公司 OTSUKA CHEMICAL CO., LTD. , 獨立行政法人科學技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：山子茂 YAMAGO, SHIGERU , 龜島隆 KAMESHIMA, TAKASHI , 河野和浩 KAWANO, KAZUHIRO , 伊東治 ITO, OSAMU , 大門惠美子 DAIMON, EMIKO , 周健 SHU, KEN , 菅生久仁彥 SUGOH, KUNIHIKO
IPC分类号： C07F , C08F
CPC分类号： C08F4/42 , C07F9/94 , C08F212/08 , C08F257/02 , C08F291/06 , C08F297/02 , C08F226/10
摘要：本發明為一種如式(1)之有機鉍化合物。094143703-p01.bmp(式中之R^1及R^2表C1-C8烷基、芳基、經取代芳基或芳族雜環基。R^3及R^4表氫原子或C1-C8烷基。R^5表芳基、經取代芳基、芳族雜環基、醯基、醯胺基、氧基羰基或氰基。)094143703-p01.bmp
简体摘要：本发明为一种如式(1)之有机铋化合物。094143703-p01.bmp(式中之R^1及R^2表C1-C8烷基、芳基、经取代芳基或芳族杂环基。R^3及R^4表氢原子或C1-C8烷基。R^5表芳基、经取代芳基、芳族杂环基、酰基、酰胺基、氧基羰基或氰基。)094143703-p01.bmp

10. 发明专利

TW200616932A 單晶、奈米配線用材料、電子元件、及奈米配線用材料之製造方法审中-公开
简体标题：单晶、奈米配线用材料、电子组件、及奈米配线用材料之制造方法
公开(公告)号：TW200616932A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094120346
申请日：2005-06-17
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：山本浩史 YAMAMOTO, HIROSHI
IPC分类号： C07C , B82B , C07D , H01L
CPC分类号： C07C25/24 , B82Y30/00 , H01L51/0035 , H01L51/005 , H01L51/0051 , H01L51/0512 , Y10T428/2933 , Y10T428/298 , Y10T428/2991
摘要：本發明係提供一種奈米配線用材料，其可用於奈米等級之配線用導線。採用電性電阻率之各向異性較高之分子單晶。094120346-p01.bmp
简体摘要：本发明系提供一种奈米配线用材料，其可用于奈米等级之配线用导线。采用电性电阻率之各向异性较高之分子单晶。094120346-p01.bmp

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