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1. 发明专利

TWI261818B 記錄再生分離型磁頭失效
简体标题：记录再生分离型磁头
公开(公告)号：TWI261818B
公开(公告)日：2006-09-11
申请号：TW092134596
申请日：2003-12-08
申请人：日本日立環球儲存科技股份有限公司 HITACHI GLOBAL STORAGE TECHNOLOGIES JAPAN, LTD.
发明人：岩倉忠幸 IWAKURA, TADAYUKI , 丸山洋治 MARUYAMA, YOUZI
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/3912
摘要：本發明之課題是針對記錄再生分離型磁頭因環境溫度變化產生熱變形，而導致再生磁頭元件朝浮動面突出。
本發明用以解決課題之手段是具備：磁阻效果型磁頭11，在設置於基板21的下部屏蔽23及上部屏蔽28之間，具有磁阻電阻效果膜25及電性連接於該磁阻效果膜25的一對電極26；和感應型薄膜磁頭12，在該磁阻效果型磁頭11的上部屏蔽28上，藉由分離膜29而設置的下部磁極31及上部磁極35之間，具有介設於磁間隙膜32及層間絕緣膜34之間的線圈33，並且，上述下部屏蔽23之膜厚與上部屏蔽28之膜厚的和設定為0.4μm以上，未滿3.4μm。
简体摘要：本发明之课题是针对记录再生分离型磁头因环境温度变化产生热变形，而导致再生磁头组件朝浮动面突出。本发明用以解决课题之手段是具备：磁阻效果型磁头11，在设置于基板21的下部屏蔽23及上部屏蔽28之间，具有磁阻电阻效果膜25及电性连接于该磁阻效果膜25的一对电极26；和感应型薄膜磁头12，在该磁阻效果型磁头11的上部屏蔽28上，借由分离膜29而设置的下部磁极31及上部磁极35之间，具有介设于磁间隙膜32及层间绝缘膜34之间的线圈33，并且，上述下部屏蔽23之膜厚与上部屏蔽28之膜厚的和设置为0.4μm以上，未满3.4μm。

2. 发明专利

TWI261806B 磁碟裝置及其控制方法失效
简体标题：磁盘设备及其控制方法
公开(公告)号：TWI261806B
公开(公告)日：2006-09-11
申请号：TW092134379
申请日：2003-12-05
申请人：日本日立環球儲存科技股份有限公司 HITACHI GLOBAL STORAGE TECHNOLOGIES JAPAN, LTD.
发明人：石井伸幸 , 村上和久 , 西田貞浩 , 竹中卓史
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B19/04 , G11B25/043 , G11B33/144
摘要：本發明之課題是針對磁碟裝置的寫入處理中，於高溫低壓的環境下，磁頭會與磁碟媒體產生接觸，無法進行寫入處理，但是，當環境變好時，又可無任何障礙地進行寫入處理，造成磁碟媒體的一部分不經意地未使用的情形。
本發明之解決手段是磁碟裝置具有外部環境的監視功能，可將對裝置本身不利之環境下所儲存的資料，在環境有利時，移至對裝置不利環境下無法使用之限制寫入區域。
可使用溫度感測器、氣壓感測器作為監視元件，藉由將儲存於磁碟媒體預定區域之基準信號以預定間隔讀取之功能，來判斷外部環境是否有利。
配合外部環境設定之資訊儲存容量，在外部環境對裝置有利時，具有得以擴張的效果。
简体摘要：本发明之课题是针对磁盘设备的写入处理中，于高温低压的环境下，磁头会与磁盘媒体产生接触，无法进行写入处理，但是，当环境变好时，又可无任何障碍地进行写入处理，造成磁盘媒体的一部分不经意地未使用的情形。本发明之解决手段是磁盘设备具有外部环境的监视功能，可将对设备本身不利之环境下所存储的数据，在环境有利时，移至对设备不利环境下无法使用之限制写入区域。可使用温度传感器、气压传感器作为监视组件，借由将存储于磁盘媒体预定区域之基准信号以预定间隔读取之功能，来判断外部环境是否有利。配合外部环境设置之信息存储容量，在外部环境对设备有利时，具有得以扩张的效果。

3. 发明专利

TW200501059A 磁碟裝置及其控制方法失效
简体标题：磁盘设备及其控制方法
公开(公告)号：TW200501059A
公开(公告)日：2005-01-01
申请号：TW092134379
申请日：2003-12-05
申请人：日本日立環球儲存科技股份有限公司 HITACHI GLOBAL STORAGE TECHNOLOGIES JAPAN, LTD.
发明人：石井伸幸 , 村上和久 , 西田貞浩 , 竹中卓史
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B19/04 , G11B25/043 , G11B33/144
摘要：本發明之課題是針對磁碟裝置的寫入處理中，於高溫低壓的環境下，磁頭會與磁碟媒體產生接觸，無法進行寫入處理，但是，當環境變好時，又可無任何障礙地進行寫入處理，造成磁碟媒體的一部分不經意地未使用的情形。本發明之解決手段是磁碟裝置具有外部環境的監視功能，可將對裝置本身不利之環境下所儲存的資料，在環境有利時，移至對裝置不利環境下無法使用之限制寫入區域。可使用溫度感測器、氣壓感測器作為監視元件，藉由將儲存於磁碟媒體預定區域之基準信號以預定間隔讀取之功能，來判斷外部環境是否有利。配合外部環境設定之資訊儲存容量，在外部環境對裝置有利時，具有得以擴張的效果。
简体摘要：本发明之课题是针对磁盘设备的写入处理中，于高温低压的环境下，磁头会与磁盘媒体产生接触，无法进行写入处理，但是，当环境变好时，又可无任何障碍地进行写入处理，造成磁盘媒体的一部分不经意地未使用的情形。本发明之解决手段是磁盘设备具有外部环境的监视功能，可将对设备本身不利之环境下所存储的数据，在环境有利时，移至对设备不利环境下无法使用之限制写入区域。可使用温度传感器、气压传感器作为监视组件，借由将存储于磁盘媒体预定区域之基准信号以预定间隔读取之功能，来判断外部环境是否有利。配合外部环境设置之信息存储容量，在外部环境对设备有利时，具有得以扩张的效果。

4. 发明专利

TWI260596B 磁碟裝置失效
简体标题：磁盘设备
公开(公告)号：TWI260596B
公开(公告)日：2006-08-21
申请号：TW092134224
申请日：2003-12-04
申请人：日本日立環球儲存科技股份有限公司 HITACHI GLOBAL STORAGE TECHNOLOGIES JAPAN, LTD.
发明人：西山延昌
IPC分类号： G11B
CPC分类号： H05K1/0253 , G11B5/4833 , G11B5/484 , G11B5/486 , G11B33/08 , H05K1/0245 , H05K1/056 , H05K2201/09236 , H05K2201/09318
摘要：【課題】
使在傳送線路由於傳送損失之減低而電氣特性之提高，和在磁頭周圍之配線部由於剛性之減低而振動特性之提高之並存、提供了可實現傳送線路之阻抗平坦化之磁碟裝置。【解決手段】
在磁碟裝置中，於懸置裝置19實際安裝之傳送線路21e係由一對導體而成之記錄側線路21W和由一對導體而成之再生側線路21R所構成；於記錄側線路21W及再生側線路21R之導體之下層，設置挾在於絕緣層33之下部導體34，此下部導體34係由厚度5μm之銅或以銅為主成份之銅合金所形成，絕緣層33係由厚度5~10μm之聚亞醯胺樹脂所形成，下部導體34係為電氣的接地電位。
简体摘要：【课题】使在发送线路由于发送损失之减低而电气特性之提高，和在磁头周围之配线部由于刚性之减低而振动特性之提高之并存、提供了可实现发送线路之阻抗平坦化之磁盘设备。【解决手段】在磁盘设备中，于悬置设备19实际安装之发送线路21e系由一对导体而成之记录侧线路21W和由一对导体而成之再生侧线路21R所构成；于记录侧线路21W及再生侧线路21R之导体之下层，设置挟在于绝缘层33之下部导体34，此下部导体34系由厚度5μm之铜或以铜为主成份之铜合金所形成，绝缘层33系由厚度5~10μm之聚亚酰胺树脂所形成，下部导体34系为电气的接地电位。

5. 发明专利

TW200501082A 磁碟裝置失效
简体标题：磁盘设备
公开(公告)号：TW200501082A
公开(公告)日：2005-01-01
申请号：TW092134224
申请日：2003-12-04
申请人：日本日立環球儲存科技股份有限公司 HITACHI GLOBAL STORAGE TECHNOLOGIES JAPAN, LTD.
发明人：西山延昌
IPC分类号： G11B
CPC分类号： H05K1/0253 , G11B5/4833 , G11B5/484 , G11B5/486 , G11B33/08 , H05K1/0245 , H05K1/056 , H05K2201/09236 , H05K2201/09318
摘要：〔課題〕使在傳送線路由於傳送損失之減低而電氣特性之提高，和在磁頭周圖之配線部由於剛性之減低而振動特性之提高之並存，提供了可實現傳送線路之阻抗平坦化之磁碟裝置。〔解決手段〕在磁碟裝置中，於懸置裝置19實際安裝之傳送線路21e係由一對導體而成之記錄側線路21W和由一對導體而成之再生側線路21R所構成；於記錄側線路21W及再生側線路21R之導體之下層，設置挾在於絕緣層33之下部導體34，此下部導體34係由厚度5μm之銅或以銅為主成份之銅合金所形成，絕緣層33係由厚度5～10μm之聚亞醯胺樹脂所形成，下部導體34係為電氣的接地電位。
简体摘要：〔课题〕使在发送线路由于发送损失之减低而电气特性之提高，和在磁头周图之配线部由于刚性之减低而振动特性之提高之并存，提供了可实现发送线路之阻抗平坦化之磁盘设备。〔解决手段〕在磁盘设备中，于悬置设备19实际安装之发送线路21e系由一对导体而成之记录侧线路21W和由一对导体而成之再生侧线路21R所构成；于记录侧线路21W及再生侧线路21R之导体之下层，设置挟在于绝缘层33之下部导体34，此下部导体34系由厚度5μm之铜或以铜为主成份之铜合金所形成，绝缘层33系由厚度5～10μm之聚亚酰胺树脂所形成，下部导体34系为电气的接地电位。

6. 发明专利

TW200421289A 記錄再生分離型磁頭失效
简体标题：记录再生分离型磁头
公开(公告)号：TW200421289A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：TW092134596
申请日：2003-12-08
申请人：日本日立環球儲存科技股份有限公司 HITACHI GLOBAL STORAGE TECHNOLOGIES JAPAN, LTD.
发明人：岩倉忠幸 IWAKURA, TADAYUKI , 丸山洋治 MARUYAMA, YOUZI
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/3912
摘要：本發明之課題是針對記錄再生分離型磁頭因環境溫度變化產生熱變形，而導致再生磁頭元件朝浮動面突出。本發明用以解決課題之手段是具備：磁阻效果型磁頭11，在設置於基板21的下部屏蔽23及上部屏蔽28之間，具有磁阻電阻效果膜25及電性連接於該磁阻效果膜25的一對電極26；和感應型薄膜磁頭12，在該磁阻效果型磁頭11的上部屏蔽28上，藉由分離膜29而設置的下部磁極31及上部磁極35之間，具有介設於磁間隙膜32及層間絕緣膜34之間的線圈33，並且，上述下部屏蔽23之膜厚與上部屏蔽28之膜厚的和設定為0.4μm以上，未滿3.4μm。
简体摘要：本发明之课题是针对记录再生分离型磁头因环境温度变化产生热变形，而导致再生磁头组件朝浮动面突出。本发明用以解决课题之手段是具备：磁阻效果型磁头11，在设置于基板21的下部屏蔽23及上部屏蔽28之间，具有磁阻电阻效果膜25及电性连接于该磁阻效果膜25的一对电极26；和感应型薄膜磁头12，在该磁阻效果型磁头11的上部屏蔽28上，借由分离膜29而设置的下部磁极31及上部磁极35之间，具有介设于磁间隙膜32及层间绝缘膜34之间的线圈33，并且，上述下部屏蔽23之膜厚与上部屏蔽28之膜厚的和设置为0.4μm以上，未满3.4μm。

7. 发明专利

TWI243992B 資訊記錄再生系統失效
简体标题：信息记录再生系统
公开(公告)号：TWI243992B
公开(公告)日：2005-11-21
申请号：TW092106649
申请日：2003-03-25
申请人：日本日立環球儲存科技股份有限公司 HITACHI GLOBAL STORAGE TECHNOLOGIES JAPAN, LTD.
发明人：奧山淳 , 道明誠一 , 小川仁 , 薄井和明
IPC分类号： G06F , G11B
CPC分类号： G06F21/80 , G11B20/00086 , G11B20/0021
摘要：本發明之課題係提供可限定只有特定主機系統可對磁碟裝置執行存取資訊記錄再生系統。
本發明之解決手段，係磁碟裝置100具有依據本身之物理特性作成授權鍵之授權鍵作成手段13，磁碟裝置100及主機系統101分別具有記錄授權鍵之授權鍵記錄手段14、及依據授權鍵作成授權資料之授權資料作成手段15，且依據主機系統101之授權資料、及磁碟裝置100之授權資料，執行主機系統101對磁碟裝置100之資訊存取的控制。
简体摘要：本发明之课题系提供可限定只有特定主机系统可对磁盘设备运行存取信息记录再生系统。本发明之解决手段，系磁盘设备100具有依据本身之物理特性作成授权键之授权键作成手段13，磁盘设备100及主机系统101分别具有记录授权键之授权键记录手段14、及依据授权键作成授权数据之授权数据作成手段15，且依据主机系统101之授权数据、及磁盘设备100之授权数据，运行主机系统101对磁盘设备100之信息存取的控制。

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