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1. 发明专利

JP2022001639A ポリウレタン审中-公开
公开(公告)号：JP2022001639A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021137569
申请日：2021-08-25
申请人：三菱ケミカル株式会社
发明人：谷口貴紀 , 山下亮 , 中川陽子 , 小林信行
IPC分类号： C08G18/10 , D06N3/14 , C09D175/08 , C08G18/48
摘要：【課題】ポリウレタン原料として用いることで、優れた柔軟性及び弾性回復性を有するポリウレタンを得ることができる高分子量ポリエーテルポリオール及びその製造方法を提供する。ポリエステルエラストマー原料として用いることで、優れた柔軟性及び弾性回復性を有するポリエステルエラストマーを得ることができる高分子量ポリエーテルポリオール及びその製造方法を提供する。【解決手段】数平均分子量が3500〜5500であり、分子量分布が1.7以上3.0以下であるポリエーテルポリオール。【選択図】なし

2. 发明专利

JP2022000429A アルコールの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2022000429A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：JP2021141396
申请日：2021-08-31
申请人：国立大学法人北海道大学 , 三菱ケミカル株式会社
发明人：中島清隆 , 福岡淳 , キムミンジュン , 青島敬之 , 松尾武士
IPC分类号： C07D407/04 , C07D307/12
摘要：【課題】バイオマス原料からアルコールを製造するに当たり、副反応を抑制して目的とするアルコールを高収率で得ることができると共に、長期操業安定性にも優れたアルコールの製造方法を提供する。【解決手段】バイオマス原料からアルコールを製造するに当たり、フラン骨格を有するアセタール中間体を経由してアルコールを製造する方法。アセタール中間体を製造し、これを水素ガスを用いて水素化する工程を経ることによりアルコールを製造する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2021194774A 積層フィルム审中-公开
公开(公告)号：JP2021194774A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020099944
申请日：2020-06-09
申请人：三菱ケミカル株式会社
发明人：教海宏輔 , 佐々木伸明 , 佐藤嘉秀
IPC分类号： B32B27/30 , B32B27/36 , G02B5/02 , B32B27/16
摘要：【課題】粒子の脱落がなく、他の光学フィルムと積層した際に、干渉縞(ニュートンリング)が発生したり、透過光が歪んだりするのを抑えることができる新たな積層フィルムを提供する。【解決手段】樹脂フィルムの少なくとも片面側に硬化層を備え、当該硬化層は粒子を含有せず、硬化層側表面の最大高さ(Sz、ISO25178)が100nm以上であり、ヘーズ値が5.0%以下であり、かつ、透明度が70%以上である積層フィルムである。【選択図】なし

4. 发明专利

JPWO2020175638A1 ナトリウムイオン二次電池用非水系電解液及びナトリウムイオン二次電池审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020175638A1
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2020008120
申请日：2020-02-27
申请人：三菱ケミカル株式会社
发明人：金呈▲民▼
IPC分类号： H01M10/0568 , H01M10/054 , H01M10/0569 , H01M4/587 , H01M10/0567
摘要：抵抗が低く、耐久試験後のガス発生が少ないナトリウムイオン二次電池を提供することができるナトリウムイオン二次電池用非水系電解液、及びこのナトリウムイオン二次電池用非水系電解液を用いて得られるナトリウムイオン二次電池を提供することを課題とする。非水溶媒、NaPF 6 及び下記式(1)で表される化合物を含み、かつNaPF 6 の含有量に対する式(1)で表される化合物の含有量の比[式(1)で表される化合物]/[NaPF 6 ](モル比)が0.001以上1.5以下であるナトリウムイオン二次電池用非水系電解液。 (式(1)中、R 1 及びR 2 はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数1〜6の炭化水素基であり、nは0又は1である。)

5. 发明专利

JPWO2020175377A1 窒化ホウ素凝集粉末、放熱シート及び半導体デバイス审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020175377A1
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2020007124
申请日：2020-02-21
申请人：三菱ケミカル株式会社
发明人：山崎正典 , 杉山雅哉 , 小室直之 , 渡邊展
IPC分类号： C08L101/00 , C08K3/38 , H01L23/36 , H01L23/373 , C01B21/064
摘要：タップ密度が0.6g/ml以上0.8g/ml未満であり、粒子間隙容積が0.5ml/g以上である窒化ホウ素凝集粉末。この窒化ホウ素凝集粉末を含む放熱シート。放熱シートの熱伝導性を向上させると同時に耐電圧特性も良好なものとすることができる窒化ホウ素凝集粉末と、この窒化ホウ素凝集粉末を含む放熱シート、及びこの放熱シートを用いた半導体デバイスが提供される。

6. 发明专利

JPWO2020171190A1 重合体、有機電界発光素子、有機EL表示装置及び有機EL照明审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020171190A1
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2020006946
申请日：2020-02-20
申请人：三菱ケミカル株式会社
发明人：李延軍 , 梶山良子 , 庄田孝行 , 弘大輔
IPC分类号： C08G73/02 , H01L27/32 , H05B33/10 , H01L51/50 , C08G61/12
摘要：本発明は、正孔注入輸送能が高く、耐久性の高い重合体及び該重合体を含む有機電界発光素子用組成物を提供することを課題とし、また、輝度が高く、駆動寿命が長い有機電界発光素子を提供することを課題とし、また、駆動電圧が低く、寿命が長い有機電界発光素子を提供することを課題とする。下記式(1)で表される繰り返し単位を含む重合体。該式中、Gは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基、又はC原子、N原子、B原子若しくはP原子を表し、Ar 2 〜Ar 4 は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい二価の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基、又は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基若しくは置換基を有していてもよい芳香族複素環基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した二価の基を表し、Ar 5 は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基、又は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい芳香族複素環基から選択される基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した一価の基を表し、Ar 6 は水素原子又は置換基を表す。Ar 1 中の“−*”が式(1)中Gとの結合位置である。

7. 发明专利

JP6985704B2 蛍光体、発光装置、照明装置及び画像表示装置有权
公开(公告)号：JP6985704B2
公开(公告)日：2021-12-22
申请号：JP2018540339
申请日：2017-09-25
申请人：三菱ケミカル株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：吉村文孝 , 山根久典
IPC分类号： H01L33/50 , C09K11/64

8. 发明专利

JP6984519B2 粘着剤組成物および粘着シート有权
公开(公告)号：JP6984519B2
公开(公告)日：2021-12-22
申请号：JP2018060188
申请日：2018-03-27
申请人：三菱ケミカル株式会社
发明人：今泉早織
IPC分类号： C09J11/06 , C09J5/06 , C09J7/38 , C08F299/00 , C09J133/04

9. 发明专利

JP6984249B2 粘着シート積層体、賦形粘着シート積層体及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6984249B2
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：JP2017171750
申请日：2017-09-07
申请人：三菱ケミカル株式会社
发明人：佐藤記央 , 稲永誠
IPC分类号： C09J7/38 , C09J201/00 , C09J133/00 , C09J11/06 , B32B27/00 , B32B27/26 , B32B27/30 , G09F9/00 , C09J7/40

10. 发明专利

JPWO2020171147A1 GaN結晶および基板审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020171147A1
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2020006644
申请日：2020-02-19
申请人：三菱ケミカル株式会社 , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：江夏悠貴 , 大島祐一
IPC分类号： C30B23/02 , H01L21/205 , C30B29/38
摘要： GaN−HEMTのような横型デバイス構造の窒化物半導体デバイスのための基板に用いられるGaN結晶、および、GaN−HEMTのような横型デバイス構造の窒化物半導体デバイスの製造に用いられる基板を提供する。面積5cm 2 以上の(0001)表面を有し、該(0001)表面の(0001)結晶面からの傾斜が10度以下であるGaN結晶において、Fe濃度が5×10 17 atoms/cm 3 以上1×10 19 atoms/cm 3 未満であり、総ドナー不純物濃度が5×10 16 atoms/cm 3 未満である。

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