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    • 2. 发明专利
    • Nanoscale electric lithography
    • 空值
    • JP2007525832A
    • 2007-09-06
    • JP2006549548
    • 2005-01-12
    • ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティ オブ カリフォルニアThe Regents Of The University Of California
    • チェン,ヨン
    • H01L21/027B82B3/00G03F7/00G03F7/20
    • B82Y10/00B82Y30/00B82Y40/00G03F7/0002G03G13/28G03G13/283G03G13/286
    • ナノスケールリソグラフィー法について示した。 導電性および絶縁性表面のパターンを有する再利用可能な導電性マスクが、基板上に設置される。 この基板表面には、埋没導電層上に電気感応性レジスト層が設けられている。 導電性マスクと埋没導電層の間に、電場が印加されると、レジスト層は、マスクの導電性領域と近接する部分が変化する。 マスクの除去後に、基板表面の選択的処理が実施され、マスクによる転写パターンに対応するレジスト層の部分が除去される。 基板は、最終基板であっても良く、あるいは基板は、別の基板のリソグラフィーマスクステップに利用されるものであっても良い。 本発明のある態様では、電荷が印加された電極は、例えば、複数の行列に分割され、特殊なマスクを製作せずに、いかなる所望のパターンも形成することができる。
    • 一种纳米级光刻方法,其中具有导电表面和绝缘表面图案的可重复使用的导电掩模位于其表面在掩埋导电层上包含电响应抗蚀剂层的基底上。 当在导电掩模和掩埋导电层之间施加电场时,抗蚀剂层在与掩模的导电区域相邻的部分中改变。 在掩模移除之后,在基板的表面上进行选择性处理,以根据从掩模转印的图案去除部分抗蚀剂层。 衬底可以是目标衬底,或者衬底可以用于另一衬底的光刻掩模步骤。 在本发明的一个方面,施加电荷的电极被分割成多个行和列,其中可以创建任何期望的图案,而不需要制造特定的掩模。