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81. 发明申请

WO2017109768A1 VERTICAL SOLID STATE DEVICES 审中-公开
标题翻译：垂直固态器件
公开(公告)号：WO2017109768A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/IB2016/057995
申请日：2016-12-23
申请人： VUEREAL INC.
发明人： CHAJI, Gholamreza , FATHI, Ehsanollah , SIBONI, Hossein, Zamani
IPC分类号： H01L33/20 , H01L21/8234 , H01L27/15
CPC分类号： H01L33/0037 , H01L27/153 , H01L29/00 , H01L33/62
摘要： A vertical current mode solid state device comprising a connection pad and side walls comprising a metal-insulator-semiconductor (MIS) structure, wherein leakage current effect of the vertical device is limited through the side walls by biasing the MIS structure.
摘要翻译：包括连接垫和包括金属 - 绝缘体 - 半导体（MIS）结构的侧壁的垂直电流模式固态器件，其中垂直器件的泄漏电流效应通过偏置通过偏置被限制 MIS结构。

82. 发明申请

WO2017029719A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2017029719A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：PCT/JP2015/073209
申请日：2015-08-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：工藤　智人 , 友松　佳史 , 春口　秀樹 , 阿多　保夫
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0696 , H01L29/00 , H01L29/0619 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/739 , H01L29/7397 , H01L29/78
摘要：第３のダミートレンチ（１１）が基板端部のダミーセル領域において第１及び第２のダミートレンチ（９，１０）に直交する。層間絶縁膜（１３）は、第１及び第２のダミートレンチ（９，１０）で挟まれた基板中央部のダミーセル領域のｐ型拡散層（３，４）をエミッタ電極（１４）から絶縁させる。第３のダミートレンチ（１１）は、基板中央部のダミーセル領域のｐ型拡散層（３，４）を、エミッタ電極（１４）に接続された基板端部のダミーセル領域のｐ型拡散層（３，４，１５）から分離する。ｐ型ウェル層（１５）が基板端部において第３のダミートレンチ（１１）よりも深く設けられている。第３のダミートレンチ（１１）はｐ型ウェル層（１５）よりも基板中央側に設けられている。
摘要翻译：第三虚拟沟槽（11）与衬底端部的虚拟单元区域中的第一和第二虚设沟槽（9,10）正交。层间绝缘膜（13）从发射电极（14）与基板中心部分的虚设单元区域中的p型扩散层（3,4）绝缘，所述p型扩散层夹在第一和第二虚拟沟槽（9,10）。第三虚拟沟槽（11）将衬底中心部分的虚拟单元区域中的p型扩散层（3,4）从衬底的虚拟单元区域中的p型扩散层（3,4,5）分离，所述p型扩散层与发射电极（14）连接。在基板端部，设置比第三虚设槽（11）更深的p型阱层（15）。第三虚拟沟槽（11）设置在比p型阱层（15）更靠近衬底中心的一侧。

83. 发明申请

WO2015045207A1 半導体集積回路および半導体集積回路装置审中-公开
标题翻译：半导体集成电路和半导体集成电路器件
公开(公告)号：WO2015045207A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/JP2014/002281
申请日：2014-04-23
申请人：パナソニック株式会社
发明人：小池　剛 , 縣　泰宏 , 山上　由展
IPC分类号： H03K19/0952
CPC分类号： H03K19/01721 , H01L21/00 , H01L29/00 , H03K17/122 , H03K19/094 , H03K19/0952
摘要：　駆動回路（１０）は、ノード（ｎ１２）とノード（ｎ１３）との間に設けられており、Ｎ型トランジスタ（Ｔｎ１１）を有するトランジスタ組（Ｇ１１）と、トランジスタ組（Ｇ１１）と並列に設けられており、２個直列に接続されたＮ型トランジスタ（Ｔｎ２１，Ｔｎ２２）を有するトランジスタ組（Ｇ１２）とを備える。Ｎ型トランジスタ（Ｔｎ１１）およびＮ型トランジスタ（Ｔｎ２１，Ｔｎ２２）の少なくともいずれか一方は、ゲートが、入力ノードに接続されている。
摘要翻译：驱动电路（10）具有：设置在节点（n12）和节点（n13）之间的具有N型晶体管（Tn11）的晶体管组（G11）; 以及与晶体管组（G11）并联设置的具有串联连接的2个N型晶体管（Tn21，Tn22）的晶体管组（G12）。 N型晶体管（Tn11）和至少一个N型晶体管（Tn21，Tn22）的栅极连接到输入节点。

84. 发明申请

WO2014071653A1 半导体器件及其制造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2014071653A1
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：PCT/CN2012/084818
申请日：2012-11-19
申请人：中国科学院微电子研究所
发明人：朱慧珑
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823481 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/00 , H01L29/0649 , H01L29/1029 , H01L29/165 , H01L29/66545
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层；对第二半导体层、第一半导体层进行构图，以形成初始鰭；在衬底上形成隔离层，所述隔离层露出所述第一半导体层的一部分，从而限定出位于隔离层上方的鰭；在隔离层上形成横跨鰭的栅堆叠，其中，所述第一半导体层包括化合物半导体，且所述化合物半导体中的至少一种成分的浓度沿第一半导体层和第二半导体层的堆叠方向具有渐变分布。

85. 发明申请

WO2013035491A1 スイッチ駆動回路，インバータ装置及びパワーステアリング装置审中-公开
标题翻译：开关驱动电路，逆变器装置和动力转向装置
公开(公告)号：WO2013035491A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/JP2012/070504
申请日：2012-08-10
申请人：株式会社東芝 , 日本精工株式会社 , 前川佐理 , 吹抜茂 , 熊谷紳
发明人：前川　佐理 , 吹抜　茂 , 熊谷　紳
IPC分类号： H02M7/48
CPC分类号： H01L29/00 , H02J7/0034 , H02M7/48 , H02M7/53871 , H02P27/06 , H02P29/027 , Y10T307/76
摘要：　本発明の実施形態におけるスイッチ駆動回路（３８）は、直流電源（４）とインバータ回路（１）との間を電気的に開閉するように、２つのＮチャネル型半導体スイッチング素子（６ａ，６ｂ）を逆方向に直列接続して構成されるスイッチ回路（５）を開閉させるため、基準電位点を前記インバータ回路と共通にしてスイッチ回路に開閉制御信号を出力するもので、駆動用電源と基準電位点との間に２つの半導体スイッチング素子（１０，１１）を直列接続したハーフブリッジ回路を有し、２つの半導体スイッチング素子（１０，１１）にはそれぞれ並列に保護用ダイオード（１３，１４）が接続され、直流電源がインバータ回路に対して逆極性で接続された場合、基準電位点より自身を経由してスイッチ回路側に流出しようとする電流を阻止するダイオード（３９，４２，４３）を備える。
摘要翻译：开关电路（5）通过将两个N沟道型半导体开关元件（6a，6b）以相互相反的方向串联连接而构成，从而电连接DC电源（4）和逆变器电路（1）。为了使开关电路（5）打开和关闭路径，根据本发明实施例的开关驱动电路（38）具有与逆变器电路相同的参考电位，并输出开/关控制信号到开关电路。开关驱动电路（38）包括：半桥电路，其中两个半导体开关元件（10,11）串联连接在驱动电源和参考电位点之间; 保护二极管（13,14），分别与两个半导体开关元件（10,11）并联; 以及二极管（39,42,43），用于阻断如果直流电源以相反极性连接到逆变器电路的电流将经由二极管本身从基准电位点流向开关电路。

86. 发明申请

WO2012047889A2 SYSTEMS AND METHODS FOR AUTOMATED REUSABLE PARALLEL BIOLOGICAL REACTIONS 审中-公开
标题翻译：用于自动可重复使用的并行生物反应的系统和方法
公开(公告)号：WO2012047889A2
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/US2011/054769
申请日：2011-10-04
申请人： GENAPSYS INC. , ESFANDYARPOUR, Hesaam
发明人： ESFANDYARPOUR, Hesaam
IPC分类号： C12Q1/68
CPC分类号： C12Q1/6874 , B01L3/502738 , B01L3/502761 , B01L7/52 , B01L2200/0652 , B01L2200/0668 , B01L2200/0689 , B01L2200/10 , B01L2300/0645 , B01L2300/0816 , B01L2300/0887 , B01L2300/089 , B01L2300/12 , B01L2300/123 , B01L2400/0415 , B01L2400/0418 , B01L2400/0421 , B01L2400/0424 , B01L2400/0427 , B01L2400/043 , B01L2400/0478 , B01L2400/0655 , B03C1/286 , B03C1/288 , B03C1/30 , B03C5/005 , B03C5/022 , B03C5/026 , B03C2201/26 , C12Q1/6848 , C12Q1/6853 , C12Q1/6869 , C40B60/10 , G01N1/40 , G01N27/4145 , G01N27/4146 , G01N33/5438 , G01N2001/4038 , H01L29/00 , C12Q2523/307 , C12Q2563/143 , C12Q2565/543 , C12Q2563/116 , C12Q2565/607
摘要： A method comprises magnetically holding a bead carrying biological material (e.g., nucleic acid, which may be in the form of DNA fragments or amplified DNA) in a specific location of a substrate, and applying an electric field local to the bead to isolate the biological material or products or byproducts of reactions of the biological material. For example, the bead is isolated from other beads having associated biological material. The electric field in various embodiments concentrates reagents for an amplification or sequencing reaction, and/or concentrates and isolates detectable reaction by-products. For example, by isolating nucleic acids around individual beads, the electric field can allow for clonal amplification, as an alternative to emulsion PCR. In other embodiments, the electric field isolates a nanosensor proximate to the bead, to facilitate detection of at least one of local pH change, local conductivity change, local charge concentration change and local heat. The beads may be trapped in the form of an array of localized magnetic field regions.
摘要翻译：一种方法包括在衬底的特定位置磁性地保持携带生物材料（例如核酸，其可以是DNA片段或扩增的DNA形式）的珠子，并且施加电场局部用于分离生物材料或产物或生物材料反应的副产物。例如，珠子与具有相关生物材料的其他珠子分离。各种实施方式中的电场浓缩用于扩增或测序反应的试剂，和/或浓缩和分离可检测的反应副产物。例如，通过分离单个珠子周围的核酸，电场可以允许克隆扩增，作为乳液PCR的替代。在其他实施方案中，电场隔离接近珠子的纳米传感器，以便于检测局部pH变化，局部传导性变化，局部电荷浓度变化和局部热量中的至少一个。珠可以以局部磁场区域阵列的形式被捕获。

87. 发明申请

WO98044498A1 ELECTRIC OR ELECTRONIC COMPONENT AND APPLICATION AS NON VOLATILE MEMORY AND DEVICE WITH SURFACE ACOUSTIC WAVES 审中-公开
标题翻译：电子或电子元件和应用于非挥发性记忆体和具有表面声波的装置
公开(公告)号：WO98044498A1
公开(公告)日：1998-10-08
申请号：PCT/CH1998/000123
申请日：1998-04-01
IPC分类号： H01L39/22 , G11B9/00 , G11B9/02 , G11B9/10 , G11B9/14 , G11C11/22 , H01B1/00 , H01J37/30 , H01L21/8246 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L29/00 , H01L45/00 , H01L51/30 , H01L51/00 , H03H9/64
CPC分类号： H01L51/0035 , B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/14 , G11B9/1463 , G11B9/149 , G11C11/22 , H01B1/00 , H01L29/00
摘要： The invention concerns a component of composite structure (10) consisting of a layer of ferroelectric material (11) and at least a thin film of semiconductor material or of a thin metal or supraconducting film (12) in close contact with the layer of ferroelectric material (11). It further comprises means for generating local modifications of said ferroelectric material polarisation. These means include a device for applying a voltage between at least one punctiform electrode (13) arranged for selectively scanning said composite structure (10) surface facing that consisting of the semiconductor or thin metal or supraconducting film (12), and said semiconductor or thin metal or supraconducting film.
摘要翻译：本发明涉及由铁电材料层（11）和至少一层半导体材料或薄金属或超导光薄膜（12）的薄膜构成的复合结构（10）的组件，其与铁电材料层（11）。它还包括用于产生所述铁电材料极化的局部修改的装置。这些装置包括用于在布置用于选择性扫描由半导体或金属薄膜或超导膜（12）组成的复合结构（10）表面的至少一个点状电极（13）之间施加电压的装置，以及所述半导体或薄膜金属或超导膜。

88. 发明申请

WO1991008593A1 SEMICONDUCTIVE STRUCTURES, METHODS FOR CONTROLLING THEIR CONDUCTIVITY AND SENSITIVE ELEMENTS BASED ON THOSE SEMICONDUCTIVE STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：半导体结构，基于这些半导体结构控制电导率和敏感元件的方法
公开(公告)号：WO1991008593A1
公开(公告)日：1991-06-13
申请号：PCT/SU1989000340
申请日：1989-12-29
申请人： INSTITUT PROBLEM UPRAVLENIA AKADEMII NAUK SSSR , ZOTOV, Vladislav Dmitrievich , BODROV, Vladimir Nikolaevich , VINOGRADOVA, Elena Petrovna , SEROV, Anatoly Trofimovich
发明人： INSTITUT PROBLEM UPRAVLENIA AKADEMII NAUK SSSR
IPC分类号： H01L29/02
CPC分类号： H01L29/00 , H01L29/82
摘要： A semiconductive structure where the relationship between the admixture concentrations is such that the number of carriers generated by an admixture of first-type conductivity and compensated by a third admixture is essentially equal to, or exceeds by no more than one order, the number of carriers generated by an admixture of second-type conductivity. In a method for controlling the conductivity of a semiconductive structure (1), the value of the current in the course of formation of the current column is established within a range where in the semiconductive structure (1) appears a periodical change of conductivity leading to the change of conductivity of the whole semiconductive structure (1) and a pulse sequence is obtained at the output of the semiconductive structure (1). For the structures (1) in which the number of carriers generated by the admixture of first-type conductivity and compensated by the third admixture exceeds by no more than one order the number of carriers generated by the admixture of second-type conductivity, it is necessary to apply an external influence to the structure (1) during the formation of the current column. At least one external influence is applied for controlling the change frequency of the conductivity within the zone of the current column of the structure (1).

89. 发明专利

TWI604193B 電子式生物感測器與微流體裝置的整合結構有权
简体标题：电子式生物传感器与微流体设备的集成结构
公开(公告)号：TWI604193B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105126570
申请日：2016-08-19
申请人：光合聲科技股份有限公司 , CHIP WIN TECHNOLOGY CO., LTD , 余昭慶 , YU, CHAO CHING
发明人：余昭慶 , YU, CHAO CHING , 鍾林達 , CHUNG, LIN TA , 袁禧霙 , YUAN, HSI YING , 廖克槃 , LIAO, KE PAN
IPC分类号： G01N27/02
CPC分类号： G01N27/4145 , B01L3/502707 , B01L3/502715 , B01L2200/027 , B01L2300/0636 , B01L2300/0645 , B01L2300/0816 , B01L2300/0887 , G01N27/00 , G01N33/48707 , H01L21/70 , H01L21/76 , H01L29/00 , H01L29/772

90. 发明公开

KR1020170004942A 실리콘 함유 막을 제조하는 방법 审中-实审
标题翻译：制备含硅薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020170004942A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020160182960
申请日：2016-12-29
申请人： 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨
发明人： 양,리우 , 시아오,만차오 , 한,빙 , 컷힐,키르크에스. , 오'닐,마크엘.
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/50 , H01L21/205 , C23C16/30
CPC分类号： H01L21/02216 , B01J19/00 , C07F7/02 , C09D183/04 , C23C16/30 , C23C16/44 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/316 , H01L29/00
摘要： 본발명은실리콘, 옥사이드, 그리고임의로질소, 탄소, 수소및 붕소를포함하는유전체막을형성하는방법에관한것이다. 또한, 본발명은반도체웨이퍼와같은처리하고자하는물건상에유전체막 또는코팅을형성하는방법에관한것이다.
摘要翻译：这里描述的是形成介电膜的方法，例如无孔介电膜，包括硅，氧化物和任选的氮，碳，氢和硼。本文还公开了在待加工物体上形成介电膜或涂层的方法，例如半导体晶片。

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