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81. 发明授权

US2871149A Semiconductor method 失效
标题翻译：半导体方法
公开(公告)号：US2871149A
公开(公告)日：1959-01-27
申请号：US50521455
申请日：1955-05-02
申请人： SPRAGUE ELECTRIC CO
发明人： KURT LEHOVEC
IPC分类号： C30B11/10 , H01L21/18
CPC分类号： C30B11/10 , H01L21/185

82. 发明授权

US2783168A Method for preparing rod-shaped, crystalline semiconductor bodies 失效
标题翻译：制备棒状晶体半导体体的方法
公开(公告)号：US2783168A
公开(公告)日：1957-02-26
申请号：US48917855
申请日：1955-02-18
申请人： SIEMENS AG
发明人： HANS SCHWEICKERT
IPC分类号： C30B11/10 , C30B15/02 , C30B15/06 , C30B15/08
CPC分类号： C30B15/02 , C30B11/10 , C30B15/06 , C30B15/08 , Y10S117/91 , Y10T117/1056

83. 发明授权

US2697308A Apparatus for manufacturing synthetic jewels 失效
公开(公告)号：US2697308A
公开(公告)日：1954-12-21
申请号：US29903452
申请日：1952-07-15
申请人： GEN ELECTRIC CO LTD
发明人： ARTHUR DAUNCEY LEONARD , GEORGE TIMMS DONALD
IPC分类号： C30B11/10
CPC分类号： C30B11/10 , Y10T74/1526 , Y10T117/1028

84. 发明授权

US2591561A Apparatus for producing refractory rods 失效
$Apparatus for producing refractory rods$
标题翻译：用于生产耐火材料棒的设备
公开(公告)号：US2591561A
公开(公告)日：1952-04-01
申请号：US48494643
申请日：1943-04-28
申请人： ELGIN NAT WATCH CO
发明人： HOLMES LESTER RAYMOND , CROXALL CANNON MELVIN , ALEXANDER JR FRANK CREIGHTON
IPC分类号： C30B11/10
CPC分类号： C30B11/10 , Y10S65/04 , Y10S266/904 , Y10T117/1028

85. 发明授权

US1605073A Method for producing synthetic precious stones 失效
标题翻译：生产合成宝石的方法
公开(公告)号：US1605073A
公开(公告)日：1926-11-02
申请号：US61661623
申请日：1923-02-02
申请人： OTTO RUFF
发明人： OTTO RUFF
IPC分类号： C30B11/10
CPC分类号： C30B11/10

86. 发明公开

KR1020150118547A 실리콘의 단결정을 생산하기 위한 장치 및 프로세스 有权
标题翻译：生产单晶硅的装置和工艺
公开(公告)号：KR1020150118547A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：KR1020150051679
申请日：2015-04-13
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 브레닝거,게오르그 , 쉬타인발데마르 , 해버렌,마이크
IPC分类号： C30B13/08 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/10 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B13/08 , C30B13/14 , C30B13/20 , C30B15/02 , C30B15/12 , C30B29/06
摘要： 실리콘의단결정을생산하기위한장치및 프로세스. 이러한장치는플레이트로서, 외부에지및 내부에지를가지는상단측, 상기내부에지에인접한중앙개구, 및상기중앙개구로부터상기플레이트의하단측아래까지연장하는튜브를가지는, 플레이트; 입상실리콘을상기플레이트의상단측상에미터링하기위한디바이스; 상기플레이트상에배치되고퇴적된상기입상실리콘의용해를위하여제공되는제 1 유도가열코일; 상기플레이트아래에배치되고실리콘의용해물의안정화를위하여제공되는제 2 유도가열코일로서, 상기용해물은실리콘의성장중인단결정상에존재하는, 제 2 유도가열코일을포함한다. 플레이트의상단측은세라믹재료로이루어지고상승부들을가지며, 방사상방향에서인접한상승부들의중간부들(middles) 사이의거리는 2 mm 이상 15 mm 이하인것이이러한장치의특징적인피쳐이다.
摘要翻译：提供了一种用于制造单晶硅的装置和方法。该装置包括：板，其包括具有外边缘和内边缘的顶侧，与内边缘相邻的中心开口，以及从中心开口延伸到板的底侧下方的管; 用于将颗粒状硅计量到板上的装置; 位于板上方的第一感应加热线圈，用于熔化沉积的颗粒状硅; 以及位于所述板下方的第二感应加热线圈，用于使硅熔体稳定化，其中所述熔体存在于生长的单晶硅上。板的顶侧由陶瓷材料构成，具有高度，其中相邻立面的中间在径向上的距离不小于2mm且不大于15mm。

87. 发明授权

KR101132877B1 단결정 반도체 재료 제조 방법 有权
标题翻译：用于生产单晶半导体材料的方法
公开(公告)号：KR101132877B1
公开(公告)日：2012-04-03
申请号：KR1020090067277
申请日：2009-07-23
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 암몬빌프리트폰 , 알트만쇼퍼루드비히 , 리만헬게 , 피셔죄르크
IPC分类号： C30B13/20 , C30B13/28
CPC分类号： C30B11/006 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B13/08 , C30B13/20 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092
摘要： 본 발명은 반도체 재료로 이루어진 배출 튜브를 구비하는 디쉬(dish) 상에서 제1 유도 가열 코일에 의해 반도체 재료 과립을 용융시키는 것과, 용융물 네크(melt neck)와 용융물 웨이스트(melt waist) 형태로 배출 튜브에서 상 경계까지 연장되는 용융된 과립 용융물을 형성하는 것과, 용융물 네크가 통과하는 개구를 지닌 제2 유도 가열 코일에 의해 상기 용융물에 열을 전달하는 것과, 상 경계에서 과립 용융물을 결정화하는 것, 그리고 상기 배출 튜브와 용융물 네크 간의 인터페이스의 축방향 위치를 제어하기 위해서 배출 튜브와 용융물 네크에 냉각 가스를 전달하는 것을 포함하는 단결정 반도체 재료 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 단결정 반도체 재료 제조 방법을 실시하는 장치에 관한 것이다.

88. 发明授权

KR1019880001425B1 단결정의 제조방법 失效
标题翻译：制造单晶的方法
公开(公告)号：KR1019880001425B1
公开(公告)日：1988-08-08
申请号：KR1019810003563
申请日：1981-09-23
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 요하네스페.엠.다멘 , 테오도루스제이.베르벤
IPC分类号： C03B11/00
CPC分类号： C30B11/10 , C30B11/00 , C30B29/26
摘要： A single crystal of composite oxide is made by gradually solidifying a melt, by (a) providing a melt consisting of not over 25 wt.% of the single crystal; (b) starting solidification from a seed crystal initially contacting the melt; and (c) adding the balance of the composite oxide constituting the single crystal as molten material during solidification, at the same rate as the material solidifies from the melt, the added material having the same compsn. as the material solidifying from the melt. The single crystal is pref. Mn- Zn ferrite. The single crystal composite oxide so formed is claimed.
摘要翻译：通过（a）提供由不超过25重量％的单晶组成的熔体，通过逐渐固化熔体来制备复合氧化物的单晶; （b）从最初与熔体接触的晶种开始固化; 和（c）以与熔融物固化的材料相同的速度，在固化期间，将构成单晶的复合氧化物的复合氧化物作为熔融材料添加，添加的材料具有相同的组成。作为从熔体固化的材料。单晶是首选。 Mn-Zn铁氧体。要求保护这样形成的单晶复合氧化物。

89. 发明授权

US09487884B2 Producing a mono-crystalline sheet of semiconductor material 有权
标题翻译：生产半导体材料的单晶片
公开(公告)号：US09487884B2
公开(公告)日：2016-11-08
申请号：US13698545
申请日：2011-05-23
申请人： Mikael T. Bjoerk , Heike E. Riel , Heinz Schmid
发明人： Mikael T. Bjoerk , Heike E. Riel , Heinz Schmid
IPC分类号： C30B15/02 , C30B11/12 , C30B11/10 , C30B13/18 , C30B15/08 , H01L31/18
CPC分类号： C30B15/08 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/002 , C30B21/06 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T117/1032
摘要： A method for producing a mono-crystalline sheet includes providing at least two aperture elements forming a gap in between; providing a molten alloy including silicon in the gap; providing a gaseous precursor medium comprising silicon in the vicinity of the molten alloy; providing a silicon nucleation crystal in the vicinity of the molten alloy; and bringing in contact said silicon nucleation crystal and the molten alloy. A device for producing a mono-crystalline sheet includes at least two aperture elements at a predetermined distance from each other, thereby forming a gap, and being adapted to be heated for holding a molten alloy including silicon by surface tension in the gap between the aperture elements; a precursor gas supply supplies a gaseous precursor medium comprising silicon in the vicinity of the molten alloy; and a positioning device for holding and moving a nucleation crystal in the vicinity of the molten alloy.
摘要翻译：一种单晶片的制造方法包括提供在其间形成间隙的至少两个孔元件; 在间隙中提供包含硅的熔融合金; 在熔融合金附近提供包含硅的气态前体介质; 在熔融合金附近提供硅成核晶体; 并使所述硅成核晶体和熔融合金接触。用于制造单晶片的装置包括彼此隔开预定距离的至少两个孔元件，从而形成间隙，并且适于被加热以在孔之间的间隙中通过表面张力保持包括硅的熔融合金元素前体气体供应在熔融合金附近供应包含硅的气态前体介质; 以及用于保持和移动熔融合金附近的成核晶体的定位装置。

90. 发明授权

US08647433B2 Germanium ingots/wafers having low micro-pit density (MPD) as well as systems and methods for manufacturing same 有权
标题翻译：具有低微坑密度（MPD）的锗锭/晶片以及其制造方法
公开(公告)号：US08647433B2
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：US12636778
申请日：2009-12-13
申请人： Weiguo Liu , Xiao Li
发明人： Weiguo Liu , Xiao Li
IPC分类号： C30B21/02
CPC分类号： C30B29/08 , C30B11/10
摘要： Systems and methods are disclosed for crystal growth including features of reducing micropit cavity density in grown germanium crystals. In one exemplary implementation, there is provided a method of inserting an ampoule with raw material into a furnace having a heating source, growing a crystal using a vertical growth process wherein movement of a crystallizing temperature gradient relative to the raw material/crucible is achieved to melt the raw material, and growing, at a predetermined crystal growth length, the material to achieve a monocrystalline crystal, wherein monocrystalline ingots having reduced micro-pit densities are reproducibly provided.
摘要翻译：公开了用于晶体生长的系统和方法，包括减少生长的锗晶体中微孔密度的特征。在一个示例性实施方式中，提供了将具有原料的安瓿插入具有加热源的炉中的方法，使用垂直生长方法生长晶体，其中实现相对于原料/坩埚的结晶温度梯度的移动到熔化原料，并以预定的晶体生长长度生长以获得单晶晶体的材料，其中可重复地提供具有降低的微坑密度的单晶锭。

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