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81. 发明专利

TW201509803A 生產多晶矽之方法审中-公开
简体标题：生产多晶硅之方法
公开(公告)号：TW201509803A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103125666
申请日：2014-07-28
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：克洛斯果南 , 克勞斯亨士 , KRAUS, HEINZ , 薩茲德法蘭茲 , SALZEDER, FRANZ
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： C01B33/035
摘要：本發明提供一種生產多晶矽的方法，包括將一包含一含矽成分和氫氣的反應氣體引入一反應器中，該反應器含有至少一個經加熱的絲棒，多晶矽係沉積在其上。該反應器包含至少一個管狀視鏡，其係通過反應器端而固定在反應器壁中的一孔口上，並在另一端具有一玻璃表面，在沉積過程中透過視鏡管中的孔供給沖洗氣體，其中，一沖洗氣體流M1係靠近視鏡之該玻璃表面流動，且係實質上與該玻璃表面平行，以及至少一個其他沖洗氣體流M2係在視鏡之該反應器端方向上相對於玻璃表面呈一定角度流動，其係在視鏡之該反應器端方向上與該沖洗氣體流M1相隔開。
简体摘要：本发明提供一种生产多晶硅的方法，包括将一包含一含硅成分和氢气的反应气体引入一反应器中，该反应器含有至少一个经加热的丝棒，多晶硅系沉积在其上。该反应器包含至少一个管状视镜，其系通过反应器端而固定在反应器壁中的一孔口上，并在另一端具有一玻璃表面，在沉积过程中透过视镜管中的孔供给冲洗气体，其中，一冲洗气体流M1系靠近视镜之该玻璃表面流动，且系实质上与该玻璃表面平行，以及至少一个其他冲洗气体流M2系在视镜之该反应器端方向上相对于玻璃表面呈一定角度流动，其系在视镜之该反应器端方向上与该冲洗气体流M1相隔开。

82. 发明专利

TW201445004A 製造多晶矽的反應器以及去除此類反應器部件上含矽沉積物的方法审中-公开
简体标题：制造多晶硅的反应器以及去除此类反应器部件上含硅沉积物的方法
公开(公告)号：TW201445004A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW103117293
申请日：2014-05-16
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：偉克瑟德克 , WECKESSER, DIRK
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4407 , B01D45/16 , B01D46/0019 , B01D50/002 , B24C1/086 , B24C11/00 , C01B33/027 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4412 , C23C16/442
摘要：本發明涉及一種去除製造多晶矽的反應器部件中含矽沉積物的方法，其包括借助含矽粒子機械地去除沉積物，以及還涉及一種用於生產多晶矽的反應器，其包括用於含矽粒子的供料裝置，其適於將反應器廢氣和含矽粒子供給廢氣熱交換器。
简体摘要：本发明涉及一种去除制造多晶硅的反应器部件中含硅沉积物的方法，其包括借助含硅粒子机械地去除沉积物，以及还涉及一种用于生产多晶硅的反应器，其包括用于含硅粒子的供料设备，其适于将反应器废气和含硅粒子供给废气热交换器。

83. 发明专利

TW201439370A ＣＶＤ生產室的清潔审中-公开
简体标题：ＣＶＤ生产室的清洁
公开(公告)号：TW201439370A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW103112990
申请日：2014-04-09
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：赫特連哈羅德 , HERTLEIN, HARALD , 波普佛萊德里奇 , POPP, FRIEDRICH
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： B08B3/08 , B08B1/00 , B08B3/04 , B08B3/10 , C01B33/02 , C01B33/035
摘要：本發明係關於一種用於清潔包含多個CVD反應器的生產多晶矽用的生產室的方法，其中係在二周內實施至少一次清潔，其中係將一水性清潔液用於清潔，其中係清潔該CVD反應器的外殼、管道和該生產室的地板。
简体摘要：本发明系关于一种用于清洁包含多个CVD反应器的生产多晶硅用的生产室的方法，其中系在二周内实施至少一次清洁，其中系将一水性清洁液用于清洁，其中系清洁该CVD反应器的外壳、管道和该生产室的地板。

84. 发明专利

TW201433352A 包含經交聯的熱塑性矽酮彈性體的多孔膜失效
简体标题：包含经交联的热塑性硅酮弹性体的多孔膜
公开(公告)号：TW201433352A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW103106024
申请日：2014-02-24
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：海爾巴克托比亞斯 , HALBACH, TOBIAS
IPC分类号： B01D67/00 , B01D71/70
CPC分类号： C08J9/28 , B01D67/0006 , B01D67/0011 , B01D67/0016 , B01D71/54 , B01D71/70 , B01D71/80 , B01D2323/30 , C08J2383/07
摘要：本發明係關於一種製備包含熱塑性矽酮化合物S的多孔薄膜的方法，其中，第一步驟包含在溶劑L1與溶劑L2的混合物中，由矽酮組合物SZ形成一溶液或懸浮液，該矽酮組合物SZ含有含烯基的熱塑性矽酮彈性體S1和交聯劑V，第二步驟包含將該溶液或懸浮液引入一模具中，第三步驟包含由該溶液或懸浮液中去除溶劑L1，直到矽酮組合物SZ於該溶劑L1與溶劑L2的混合物中的溶解性喪失，以形成一富含矽酮組合物SZ的A相和一缺乏矽酮組合物SZ的B相並因此藉由A相進行結構形成反應，以及第四步驟包含去除該溶劑L2和溶劑L1的殘餘物，並且使該矽酮組合物SZ發生交聯反應以形成矽酮化合物S。本發明亦關於可藉由該方法獲得的包含矽酮化合物S的膜以及其以下用途：用於分離混合物、用於傷口貼片、用於包覆外殼、建築產品、用作紡織品中的層或用作包裝材料。
简体摘要：本发明系关于一种制备包含热塑性硅酮化合物S的多孔薄膜的方法，其中，第一步骤包含在溶剂L1与溶剂L2的混合物中，由硅酮组合物SZ形成一溶液或悬浮液，该硅酮组合物SZ含有含烯基的热塑性硅酮弹性体S1和交联剂V，第二步骤包含将该溶液或悬浮液引入一模具中，第三步骤包含由该溶液或悬浮液中去除溶剂L1，直到硅酮组合物SZ于该溶剂L1与溶剂L2的混合物中的溶解性丧失，以形成一富含硅酮组合物SZ的A相和一缺乏硅酮组合物SZ的B相并因此借由A相进行结构形成反应，以及第四步骤包含去除该溶剂L2和溶剂L1的残余物，并且使该硅酮组合物SZ发生交联反应以形成硅酮化合物S。本发明亦关于可借由该方法获得的包含硅酮化合物S的膜以及其以下用途：用于分离混合物、用于伤口贴片、用于包覆外壳、建筑产品、用作纺织品中的层或用作包装材料。

85. 发明专利

TW201429869A 沉積多晶矽的方法审中-公开
简体标题：沉积多晶硅的方法
公开(公告)号：TW201429869A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW103100627
申请日：2014-01-08
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：慕勒芭芭拉 , 柯奇湯瑪士 , KOCH, THOMAS
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： H01L21/02595 , C01B33/035 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要：本發明係關於沉積多晶矽的方法，該方法包含將含有含矽組分和氫的反應氣體導入一反應器中，由此以棒的形式沉積多晶矽，其中，在沉積結束之後，以一特定的期間將該反應器打開及換氣。
简体摘要：本发明系关于沉积多晶硅的方法，该方法包含将含有含硅组分和氢的反应气体导入一反应器中，由此以棒的形式沉积多晶硅，其中，在沉积结束之后，以一特定的期间将该反应器打开及换气。

86. 发明专利

TW201418111A 多晶矽之包裝审中-公开
简体标题：多晶硅之包装
公开(公告)号：TW201418111A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102135660
申请日：2013-10-02
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：拉薩路斯華納 , LAZARUS, WERNER , 法朗荷佛克利斯汀 , FRAUNHOFER, CHRISTIAN , 史卻默茲赫伯特 , 維茲馬提亞斯 , VIETZ, MATTHIAS
IPC分类号： B65B1/34
CPC分类号： B65B1/30 , B65B1/06 , B65B1/32 , B65B5/101 , B65B29/00 , B65B43/59
摘要：本發明係關於一種用於包裝塊體形式的多晶矽的方法，該方法包含以下步驟：- 在一計量系統中提供多晶矽；- 將多晶矽從該計量系統裝填至一設置於該計量系統下方的塑膠袋內，該計量系統經由篩選而去除細塊體；其中在裝填操作過程中測定具有經引入之多晶矽之塑膠袋的重量，並在達到目標重量後結束裝填操作；其中在整個裝填操作過程中利用至少一個夾持設備使多晶矽從計量系統進入塑膠袋內的下落高度保持在小於450毫米。
简体摘要：本发明系关于一种用于包装块体形式的多晶硅的方法，该方法包含以下步骤：- 在一计量系统中提供多晶硅；- 将多晶硅从该计量系统装填至一设置于该计量系统下方的塑胶袋内，该计量系统经由筛选而去除细块体；其中在装填操作过程中测定具有经引入之多晶硅之塑胶袋的重量，并在达到目标重量后结束装填操作；其中在整个装填操作过程中利用至少一个夹持设备使多晶硅从计量系统进入塑胶袋内的下落高度保持在小于450毫米。

87. 发明专利

TW201416388A 包含經交聯之矽酮組合物的多孔膜审中-公开
简体标题：包含经交联之硅酮组合物的多孔膜
公开(公告)号：TW201416388A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102137679
申请日：2013-10-18
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：哈爾巴克托比亞斯 , HALBACH, TOBIAS , 克里莫珍西 , CREMER, JENS
IPC分类号： C08J9/28 , B01D67/00 , B01D71/70
CPC分类号： B01D67/0009 , B01D67/0006 , B01D67/009 , B01D71/70 , B01D2323/30 , B01D2323/345 , C08J5/18 , C08J9/286 , C08J2383/10
摘要：本發明係關於一種用於製備包含矽酮化合物S之薄的多孔膜的方法，其中一第一步驟包括由在溶劑L1與溶劑L2的混合物中的矽酮組合物SZ形成一溶液或懸浮液，一第二步驟包括將該溶液或懸浮液引入一模具中，一第三步驟包括從該溶液或懸浮液去除溶劑L1，直至矽酮組合物SZ在溶劑L1與溶劑L2的混合物中失去溶解性而形成富含矽酮組合物SZ的相A以及含有較少矽酮組合物SZ的相B，由此藉由該相A進行結構形成，以及一第四步驟包括去除該溶劑L2以及溶劑L1的殘餘物，並使矽酮組合物SZ進行交聯反應而形成矽酮化合物S；藉由該方法可得到的包含矽酮化合物S的膜及其用途用於混合物分離、在傷口貼劑中、用於塗覆房屋、建築產品或作為織物中的防水性與透氣性的層或作為包裝材料。
简体摘要：本发明系关于一种用于制备包含硅酮化合物S之薄的多孔膜的方法，其中一第一步骤包括由在溶剂L1与溶剂L2的混合物中的硅酮组合物SZ形成一溶液或悬浮液，一第二步骤包括将该溶液或悬浮液引入一模具中，一第三步骤包括从该溶液或悬浮液去除溶剂L1，直至硅酮组合物SZ在溶剂L1与溶剂L2的混合物中失去溶解性而形成富含硅酮组合物SZ的相A以及含有较少硅酮组合物SZ的相B，由此借由该相A进行结构形成，以及一第四步骤包括去除该溶剂L2以及溶剂L1的残余物，并使硅酮组合物SZ进行交联反应而形成硅酮化合物S；借由该方法可得到的包含硅酮化合物S的膜及其用途用于混合物分离、在伤口贴剂中、用于涂覆住屋、建筑产品或作为织物中的防水性与透气性的层或作为包装材料。

88. 发明专利

TW201348132A 粒狀多晶矽及其生產方法审中-公开
简体标题：粒状多晶硅及其生产方法
公开(公告)号：TW201348132A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102115671
申请日：2013-05-02
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：赫特連哈洛德 , HERTLEIN, HARALD , 豪斯威爾斯萊納 , HAUSWIRTH, RAINER , 偉德豪斯迪特 , WEIDHAUS, DIETER
IPC分类号： C01B33/03 , H01M4/134 , H01L31/042
CPC分类号： C01B33/02 , C01B33/03 , C01P2002/90 , C01P2004/03 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C23C16/24 , C23C16/442 , Y10T428/2982
摘要：一種粒狀多晶矽，其係包含一緻密的基質，該緻密的基質包含晶體尺寸為0.001微米至200微米的輻射針狀晶群。一種用於生產粒狀多晶矽的方法，包括：在流體化床反應器中，在900℃至970℃的流體化床溫度下，由包含TCS和氫的具有20莫耳%至29莫耳%的TCS含量的氣體混合物生產粒狀矽，將獲得的粒狀矽在一包含至少一個篩選板的篩選系統中區分成至少二種或二種以上的篩選部分，並在一研磨系統中研磨最小的篩選部分，從而提供具有尺寸為100微米至1500微米且基於質量的中間值為400微米至900微米範圍內的種粒，以及將這些種粒供應至流體化床反應器(1)，並將進一步的篩選部分供應至流體化床反應器(4)，並在870℃至990℃的流體化床溫度下使用包含TCS和氫的具有5.1莫耳%至小於10莫耳%的TCS含量的氣體混合物進行表面處理。
简体摘要：一种粒状多晶硅，其系包含一致密的基质，该致密的基质包含晶体尺寸为0.001微米至200微米的辐射针状晶群。一种用于生产粒状多晶硅的方法，包括：在流体化床反应器中，在900℃至970℃的流体化床温度下，由包含TCS和氢的具有20莫耳%至29莫耳%的TCS含量的气体混合物生产粒状硅，将获得的粒状硅在一包含至少一个筛选板的筛选系统中区分成至少二种或二种以上的筛选部分，并在一研磨系统中研磨最小的筛选部分，从而提供具有尺寸为100微米至1500微米且基于质量的中间值为400微米至900微米范围内的种粒，以及将这些种粒供应至流体化床反应器(1)，并将进一步的筛选部分供应至流体化床反应器(4)，并在870℃至990℃的流体化床温度下使用包含TCS和氢的具有5.1莫耳%至小于10莫耳%的TCS含量的气体混合物进行表面处理。

89. 发明专利

TWI403500B 製備乙酸乙烯酯的方法失效
简体标题：制备乙酸乙烯酯的方法
公开(公告)号：TWI403500B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW099147294
申请日：2010-12-31
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：古那泰穆罕默德 , GUENALTAY, MEHMET , 達芬格威利鮑德 , DAFINGER, WILLIBALD , 霍爾彼得 , HOLL, PETER
IPC分类号： C07C67/05 , C07C67/54 , C07C69/15
CPC分类号： C07C67/055 , C07C67/54 , C07C69/01 , C07C69/15

90. 发明专利

TWI389924B 可交聯乙烯基酯共聚物及其作為低收縮（ＬＯＷ－ＰＲＯＦＩＬＥ）添加劑之用途失效
简体标题：可交联乙烯基酯共聚物及其作为低收缩（ＬＯＷ－ＰＲＯＦＩＬＥ）添加剂之用途
公开(公告)号：TWI389924B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW097142013
申请日：2008-10-31
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：寇勒湯瑪斯 , 葛拉威瑞尼
IPC分类号： C08F263/02 , C08F218/04 , C08F220/32 , C08F220/00 , C08J3/24 , C09D151/00 , C09K3/00
CPC分类号： C08F8/46 , C08F8/14 , C08F2810/20 , C08F218/08 , C08F18/04 , C08F18/08

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