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81. 发明专利

JP6140927B2 成分送給機構、プラズマリアクタ、及び、半導体基板を処理する方法有权
公开(公告)号：JP6140927B2
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：JP2012029244
申请日：2012-02-14
申请人：ラムリサーチコーポレーション , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：ゴッチョー・リチャード・エー. , ステガー・ロバート・ジェイ.
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/3244

82. 发明专利

JP2017098224A ウェハキャビティ内のプラズマを検出するための測定学的方法ならびにステーション毎およびツール毎のマッチングのための測定学の使用审中-公开
公开(公告)号：JP2017098224A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：JP2016170415
申请日：2016-09-01
申请人：ラムリサーチコーポレーション , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：崎山幸紀 , ヤスワンス・ランジネニ , ジェレミー・タッカー , ダグラス・ケイル , エドワード・アウグスティニャック , スニル・カプーア
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3065 , H05H1/46 , H05H1/00
CPC分类号： H01J37/32935 , C23C16/45544 , C23C16/50 , C23C16/5096 , C23C16/52 , H01J37/32183 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/67253
摘要：【課題】チャンバ内の寄生容量がウェハキャビティのキャパシタンスと同等である場合でもプラズマ点火を正確に確認する方法を提供する。【解決手段】高周波電源150に接続された上側電極154と、電気的に接地され半導体ウェハ100を支持するための下側電極110により、プラズマ164を発生させるためのウェハキャビティ160が画定される。コイルセンサ116は、下側電極110からプロセスチャンバ102の外部に延びる底部110aに、下側電極110の底部110aを取り囲む様に配設され、ウェハキャビティ160を通って流れるRF電流を測定するように構成される。これによりウェハキャビティ160内部のプラズマの存在を確認する。【選択図】図1

83. 发明专利

JP2017092459A 統合バッファを備えたウエハ搬送アセンブリ审中-公开
公开(公告)号：JP2017092459A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016201375
申请日：2016-10-13
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： JOHN DAUGHERTY , DAVID TRUSSELL , MICHAEL KELLOGG , CHRISTOPHER PENA , RICHARD GOULD , KLAY KUNKEL
IPC分类号： H01L21/677 , B65G49/07
CPC分类号： H01L21/67742 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67727 , H01L21/67745 , H01L21/67754 , H01L21/67769
摘要：【課題】メンテナンス、サービスのためのアクセス空間を確保しながら、コンパクトなシステムを提供する。【解決手段】ウエハ搬送アセンブリ209が、ウエハ搬送モジュール102、212、218と、ウエハ搬送モジュールの間に接続されたバッファモジュールとを備える。ウエハ搬送モジュールならびにバッファモジュールは、単一方向軸に整列されている。バッファモジュールは、バッファモジュールの第1側端に配置された第1バッファスタック240と、第2側端に配置された第2バッファスタック242とを備える。バッファモジュールの第1側端は、ウエハ搬送モジュールと処理モジュール100、210との間に入れ子状に配置された第1側面突起を規定し、バッファモジュールの第2側端254は、ウエハ搬送モジュールとモジュール106、214との間に入れ子状に配置された第2側面突起252を規定する。【選択図】図2

84. 发明专利

JP2017085089A 熱閉塞体を備える静電チャック审中-公开
公开(公告)号：JP2017085089A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2016195343
申请日：2016-10-03
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： MAOLIN LONG , ALEX PATERSON , WU YING , CHAU QUAN
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/67109
摘要：【課題】静電チャックのガス分散穴とリフトピン穴とを取り囲む領域内で、埋込型クランプ電極などの2つの構造がギャップによって分離されると、特定の環境下でアークまたは高電圧破壊が生じる。【解決手段】静電チャック300は、共通の高周波および直流電極を設け、半導体処理チャンバの外部の位置で、半導体処理チャンバの内部の静電チャック300の電極に通じる共通の導電性経路が、高電圧直流電源および高電圧高周波電源へ接続され、静電チャック300の上面に位置された非常に薄い誘電層302、および/または静電チャック内部での熱流を制御するために使用される軸方向熱閉塞体308を含む。【選択図】図4

85. 发明专利

JP2017079329A ロードロックインターフェースおよび統合された後処理モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2017079329A
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2016201376
申请日：2016-10-13
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： DAVID TRUSSELL , RICHARD GOULD , JOHN DAUGHERTY
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67201 , H01L21/67063 , H01L21/67161 , H01L21/67207 , H01L21/6732 , H01L21/67727 , H01L21/67742 , H01L21/67745 , H01L21/67757 , H01L21/67766
摘要：【課題】効率的な空間利用で最大の生産性を達成し、かつ、メンテナンスおよびサービスのための設備に十分なアクセスを提供する。【解決手段】ロードロックモジュール(208)は、ダブルユニットであり、フロントエンドモジュール(EFEM)(200)とウエハ搬送モジュール(102)との間に接続されたロードロックであって、ウエハ搬送アセンブリ(209)は、ウエハ搬送アセンブリに接続された1または複数の処理モジュール(100)からウエハを搬送する。ダブルユニットのロードロックモジュール(208)の第2ロードロックは、第1ロードロックの上に配置され、ウエハ搬送アセンブリ(209)から同時に2つの個々のウエハをロードおよび/またはアンロードすることを可能にするよう独立的に制御される2つの別個のロードロックスロットを備えている。【選択図】図2

87. 发明专利

JP6091110B2 急速交互プロセス(RAP)のリアルタイム制御のためのシステム、方法、及び装置有权
标题翻译：系统，用于快速交变处理（RAP）的实时控制，方法，和装置
公开(公告)号：JP6091110B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2012181990
申请日：2012-08-21
申请人：ラムリサーチコーポレーション , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：ミルザファー・アバチェフ , ブラッドリー・ハワード , ア−メン・キラコシアン
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： G05B19/418 , G05B2219/45031 , G05B2219/45212 , Y02P90/02 , Y10T137/0318 , Y10T137/8158

88. 发明专利

JP2017037831A レシピセットの実行を同期化するためのシステム及び方法审中-公开
标题翻译：系统和方法，用于同步的配方组的执行
公开(公告)号：JP2017037831A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2016109685
申请日：2016-06-01
申请人：ラムリサーチコーポレーション , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：ジョン・シー.・バルコア・ジュニア , トニー・サン , ボストジャン・パスト
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： Y02P90/02
摘要：【課題】レシピセットの実行を同期化するためのシステム及び方法を提供する。【解決手段】方法の1つは、コマンドコントローラによって、マスタコントローラにレシピセットを送信することと、マスタコントローラによって、レシピセットをプラズマシステムのサブシステムコントローラによる実行のために送信することとを含む。レシピセットをマスタコントローラからサブシステムコントローラに送信する動作は、クロック信号の第1のクロックサイクル中に実施される。方法は、コマンドコントローラによって、レシピイベント信号を生成することと、コマンドコントローラによって、レシピイベント信号をサブシステムコントローラに送信し、サブシステムコントローラによるレシピセットの実行の時間を示すことと、を含む。実行の時間は、第1のクロックサイクルに続く第2のクロックサイクル中に生じる。第2のサイクルは、上記クロック信号のサイクルである。【選択図】図1A−1
摘要翻译：一种用于同步的配方组的执行的系统和方法。一项所述的方法，包括在命令控制器，和发送的配方设定为所述主控制器，所述主控制器，和发送的配方通过等离子体系统的子系统控制器执行设置。所述时钟信号的第一时钟周期期间执行发送食谱从主控制器到子系统控制器设定的动作。该方法包括：在命令控制器，并且产生食谱事件信号时，指令控制器，和配方事件信号发送到子系统控制器，并指示由子系统控制器设定的配方的执行的时间。执行时间的第一个时钟周期的第二时钟周期期间发生。第二周期是时钟信号的周期。点域1A-1

89. 发明专利

JP2017036493A 原子層堆積中における化学物質の制御された分離および送出により低欠陥処理を可能にするシステムおよび方法审中-公开
标题翻译：系统和方法，通过化学品的原子层沉积的受控分离和输送从而实现了低缺陷处理
公开(公告)号：JP2017036493A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2016135523
申请日：2016-07-08
申请人：ラムリサーチコーポレーション , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：ラメッシュ・チャンドラセカーラン , ジェニファー・オラフリン , サーングルト・サングプルン , シャンカー・スワミナタン , フランク・パスクァーレ , クロエ・バルダッセローニ , エイドリアン・ラボイエ
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
摘要：【課題】反応性ガスのガス供給ライン中でオーバーラップ、高圧でガスのオンオフの切り換えによるガスライン中に及び/又は下流のガス分配装置内で圧力過渡現象の低減する方法の提供。【解決手段】ガス送出システムは、第1のガス源と通じる入口を含む第1のバルブ90を含む。第2のバルブ94の第1の入口は、第1のバルブ90の出口と通じ、第2のバルブ94の第2の入口は、第2のガス源と通じ、第3のバルブ98の入口は、第3のガス源と通じる。コネクタ105は、第1のガスチャネル、および第2のガスチャネルを規定するシリンダを含む。シリンダおよび第1のガスチャネルは、共同でシリンダの外側表面と第1のガスチャネルの内側表面との間に流路を規定する。流路は、第3のバルブの出口および第2のガスチャネルの第1の端部と通じる。第3のガスチャネルは、第2のガスチャネル、第2のバルブの出口、および処理チャンバのガス分配装置と通じる。【選択図】図4
摘要翻译：本发明提供了一种减少在所述气体的气体供给管线中的压力瞬变反应重叠的方法，高压Oyobi在气体管线通过接通和关断所述气体/或气体分配器的下游的。气体输送系统包括第一阀90包括在与所述第一气体源的入口。第二阀94的第一入口，通过第一阀90，第二阀94的第二入口，通过第二气体源的出口处，该第三阀98的入口，它与第三气源连通。连接器105包括一汽缸限定第一气体通道，以及一个第二气体流路。气缸和所述第一气体流路限定了共同与所述第一气体流路的圆筒内表面的外表面之间的流动路径。流路与出口的第一端和所述第三阀的第二气体通道连通。第三气体通道与所述第二气体流路，所述第二阀的出口，和处理室的气体分配系统进行通信。点域4

90. 发明专利

JP2017034234A ドープされた石英表面を備えるプラズマエッチング装置审中-公开
标题翻译：的等离子体蚀刻装置，其包括掺杂的石英表面
公开(公告)号：JP2017034234A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2016115793
申请日：2016-06-10
申请人：ラムリサーチコーポレーション , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：サンケット・サント
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32642 , H01J2237/334 , H01L21/68721
摘要：【課題】基板を処理するための装置を提供する。【解決手段】処理チャンバ104が準備される。基板164を支持するための基板支持体が、処理チャンバ内にある。エッジリング160が基板支持体上にあり、AlOおよびYOのドーパントもしくはLaOのドーパントでドープされると共に窒素を含まない石英を含む。処理チャンバ空洞内にガスを供給するためのガス流入口140が、基板表面の上方にある。少なくとも1つの電極120が、処理チャンバ内にRF電力を供給する。【選択図】図1
摘要翻译：用于处理基板的设备。的处理室104是准备。用于支撑衬底164衬底支撑是在处理室内。一基板支撑件上有边缘环160，其包含含有同时被掺杂由AlO和YO的掺杂剂或LAO的掺杂剂没有氮的石英。气体入口140用于供应气体到处理腔室中，在衬底表面上。至少一个电极120，供给RF功率至处理腔室。点域1

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