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81. 发明公开

KR1020150012454A 광투과 후면전극과 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：透光背接触器和使用其的太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150012454A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：KR1020130087984
申请日：2013-07-25
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 조준식 , 어영주 , 박주형 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 윤경훈 , 유진수 , 박상현 , 안세진
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 본 발명은 후면전극을 개량한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 태양전지 모듈(module)의 뒷면으로 조사되는 빛을 투과시킬 수 있는 후면전극에 관한 것이다. 본 발명은 태양전지의 후면전극의 제조방법에 있어서, 태양전지의 투명기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)층(200)을 형성시키는 단계(s1000); 상기 몰리브덴(Mo)층을 패터닝(patterning)하는 단계(s2000); 투명기판(100)과 그 위에 패터닝된 몰리브덴층(200)위에 투명전극층(210)을 형성시키는 단계(s3000); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법을 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种具有改进的背面电极的太阳能电池及其制造方法。特别地，本发明涉及一种能够发射到太阳能电池组件背面的光的背面电极。在制造太阳能电池的背面电极的方法中，光透射背面电极的制造方法包括在透明基板（100）上形成Mo层（20）的工序（s1000）。图案化Mo层的步骤（s2000）; 在透明基板（100）上形成图案的MO层（200）上形成透明电极层（210）的步骤（s3000）。

82. 发明授权

KR101480394B1 저저항 금속층을 가지는 후면전극과 이를 이용한 태양전지 및 이들을 제조하는 방법 有权
标题翻译：包括反接触的低电阻金属层和使用其的太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101480394B1
公开(公告)日：2015-01-12
申请号：KR1020130063854
申请日：2013-06-04
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 조준식 , 박주형 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 유진수 , 박상현
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 후면전극이 다중층으로 구성된 CIGS 박막 태양전지에 관한 것으로, 태양전지의 기판(100)위에 형성되는 후면전극(200)에 있어서, 태양전지 후면전극의 제조방법에 있어서, (i) 태양전지의 기판(100) 위에 저저항 금속으로 저저항 금속층(210)을 형성시키는 단계(s1000), (ii) 상기 저저항 금속층(210) 위에 몰리브덴(Mo)층(220)을 형성시키는 단계(s2000) 를 포함하는 것을 특징으로 하여 태양전지의 광전변환효율을 높이는 효과가 있는 것임.

83. 发明公开

KR1020140142771A 저저항 금속층을 가지는 후면전극과 이를 이용한 태양전지 및 이들을 제조하는 방법 有权
标题翻译：包括使用其的背面和太阳能电池的低电阻金属层及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140142771A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：KR1020130063854
申请日：2013-06-04
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 조준식 , 박주형 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 유진수 , 박상현
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 후면전극이 다중층으로 구성된 CIGS 박막 태양전지에 관한 것으로, 태양전지의 기판(100)위에 형성되는 후면전극(200)에 있어서, 태양전지 후면전극의 제조방법에 있어서, (i) 태양전지의 기판(100) 위에 저저항 금속으로 저저항 금속층(210)을 형성시키는 단계(s1000), (ii) 상기 저저항 금속층(210) 위에 몰리브덴(Mo)층(220)을 형성시키는 단계(s2000) 를 포함하는 것을 특징으로 하여 태양전지의 광전변환효율을 높이는 효과가 있는 것임.
摘要翻译：本发明涉及具有由多层构成的后电极的CIGS薄膜太阳能电池。在形成在太阳能电池的基板（100）上的背面电极（200）中，制造太阳能电池的背面电极的方法包括以下步骤：（i）在基板上形成低电阻金属层（210）（100），具有低电阻金属（s1000）的太阳能电池; 和（ii）在低电阻金属层（210）上形成Mo层（220）（s2000）。由此，能够提高太阳能电池的光电转换效率。

84. 发明授权

KR101449576B1 비진공 방식에 의한 ＣＺＴＳ계 광흡수층 제조방법 有权
标题翻译：通过非真空工艺制备基于CZTS的吸收层的制造方法
公开(公告)号：KR101449576B1
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：KR1020130036773
申请日：2013-04-04
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 곽지혜 , 윤재호 , 안승규 , 신기식 , 안세진 , 조아라 , 윤경훈 , 어영주 , 조준식 , 박상현 , 박주형 , 유진수 , 윤나경
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/042
摘要： The present invention relates to a method for fabricating a light-absorbing layer of a CZTS-based solar cell. The present invention comprises: a step of spreading a precursor solution, where all the sources of copper, zinc, and tin are dissolved and one or more among the sources of sulfur and selenium are dissolved in a glycol ether solvent, on a substrate; a step of drying the spread solution with heat; and a step of sulfurizing or selenizing a dried thin film. The present invention dissolves metallic salt, thiourea, and/or selenourea in a glycol ether by using the sources of four or five elements forming a CZTS-based compound, spreads the solution on a substrate, and performs a sulfurization or a selenization process, thereby fabricating a CZTS-based light-absorbing layer through a non-vacuum process without using an explosive solvent. Also, the present invention dissolves the sources of elements forming a CZTS-based compound in a solvent at high concentrations, therefore can fabricate a CZTS-based light-absorbing layer with a desired thickness through a single spreading process, and thus can simplify processes.
摘要翻译：本发明涉及一种制造基于CZTS的太阳能电池的光吸收层的方法。本发明包括：将基底上溶解铜，锌和锡的所有来源和硫和硒源中的一种或多种溶解在二醇醚溶剂中的前体溶液的扩散步骤; 用热量干燥铺展溶液的步骤; 以及将干燥的薄膜硫化或硒化的步骤。本发明通过使用形成基于CZTS的化合物的四种或五种元素的源将二醇醚中的金属盐，硫脲和/或硒脲溶解在基底上，并将其溶解在底物上，进行硫化或硒化处理通过非真空工艺制造基于CZTS的光吸收层，而不使用爆炸溶剂。此外，本发明在溶剂中溶解形成CZTS系化合物的元素的来源高浓度，因此可以通过单次扩散法制造具有所需厚度的CZTS系的光吸收层，从而可以简化工序。

85. 发明授权

KR101448938B1 태양전지를 구비한 전자종이 단말기 有权
标题翻译：装有太阳能电池的电子纸终端。
公开(公告)号：KR101448938B1
公开(公告)日：2014-10-13
申请号：KR1020130044040
申请日：2013-04-22
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 윤재호 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 조준식 , 유진수 , 박상현 , 박주형
IPC分类号： G02F1/167
CPC分类号： G02F1/167
摘要： The present invention relates to an e-paper terminal in which a thin film type solar cell is inserted on the back of a display unit to efficiently manage and supply power. In particular, by using a flexible solar cell which is cheap, thin, light, small to easily be inserted, and flexible; the light is incident on the solar cell to charge the battery when the e-paper device is not in operation, the charged electricity is supplied as power during operation, the inner-light reflected on the opaque particles expressing a black color of the e-ink is incident on the solar cell even in the operation period, and the electricity generated from the solar cell can be supplied as power.
摘要翻译：本发明涉及一种电子纸端子，其中薄膜型太阳能电池插入显示单元的背面以有效地管理和供电。特别是通过使用便宜，薄，轻，小，易于插入和柔性的柔性太阳能电池，当电子纸装置不工作时，光入射到太阳能电池上以对电池充电，在操作期间将充电电力作为电力供应，反映在表示电子纸张的黑色的不透明粒子上的内光，即使在运行期间，墨水也入射到太阳能电池上，从太阳能电池产生的电力可以作为电力供应。

86. 发明公开

KR1020140082881A CI(G)S 박막과 그 제조 방법, 및 이를 이용한 CI(G)S 태양전지와 그 제조 방법. 有权
标题翻译： CI（G）S薄膜及其制造方法，以及使用CI（G）S薄膜的CI（G）S太阳能电池及其制造方法。
公开(公告)号：KR1020140082881A
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：KR1020120151855
申请日：2012-12-24
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 조아라 , 조준식 , 박주형 , 윤경훈 , 윤재호 , 곽지혜 , 신기식 , 안세진 , 안승규 , 유진수 , 박상현
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
摘要： In a process of manufacturing a CI(G)S thin film used as a light absorbing layer for a solar cell, a chelating agent is added to form a complex with Cu or In when CuI, InI_3, and Na_2Se used as materials of the light absorbing layer are dissolved, thereby making small-sized particles by structurally obstructing bonding of Se ions. Accordingly, a CI(G)S thin film with reduced pore sizes and improved composition uniformity can be manufactured. Also, problems of an existing method for manufacturing a light absorbing layer or a CI(G)S thin film, such as large pore sizes, necessity of changing a selenization condition of each process, and deterioration of composition uniformity of a manufactured absorbing layer or CI(G)S thin film when the change in the process condition is not appropriate, can be solved.
摘要翻译：在制造用作太阳能电池的光吸收层的CI（G）S薄膜的过程中，当CuI，InI_3和Na_2Se用作光的材料时，加入螯合剂以与Cu或In形成络合物吸收层被溶解，从而通过结构上阻碍Se离子的键合而制造小尺寸的颗粒。因此，可以制造具有减小的孔径和改进的组成均匀性的CI（G）S薄膜。此外，现有的制造光吸收层或CI（G）S薄膜的现有方法，例如孔径大，需要改变每种工艺的硒化条件的必要性，以及所制造的吸收层的组成均匀性的劣化或 CI（G）S薄膜当工艺条件的变化不合适时，可以解决。

87. 发明公开

KR1020140082880A CI(G)S 박막과 그 제조 방법, 및 이를 이용한 CI(G)S 태양전지와 그 제조 방법. 有权
标题翻译： CI（G）S薄膜及其制造方法，以及使用CI（G）S薄膜的CI（G）S太阳能电池及其制造方法。
公开(公告)号：KR1020140082880A
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：KR1020120151848
申请日：2012-12-24
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 조아라 , 조준식 , 박주형 , 윤경훈 , 윤재호 , 곽지혜 , 신기식 , 안세진 , 안승규 , 유진수 , 박상현
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： In a process of manufacturing a CI(G)S thin film used as a light absorbing layer for a solar cell, a chelating agent is added to form a complex with Cu or In when CuI, InI_3, and Na_2Se used as materials of the light absorbing layer are dissolved, thereby making small-sized particles by structurally obstructing bonding of Se ions. Therefore, a CI(G)S thin film with reduced pore sizes and improved composition uniformity can be manufactured. Also, problems of an existing method for manufacturing a light absorbing layer or a CI(G)S thin film, such as large pore sizes, necessity of changing a selenization condition of each process, and deterioration of composition uniformity of a manufactured absorbing layer or CI(G)S thin film when the change in the process condition is not appropriate, can be solved.
摘要翻译：在制造用作太阳能电池的光吸收层的CI（G）S薄膜的过程中，当CuI，InI_3和Na_2Se用作光的材料时，加入螯合剂以与Cu或In形成络合物吸收层被溶解，从而通过结构上阻碍Se离子的键合而制造小尺寸的颗粒。因此，可以制造具有减小的孔径和改进的组成均匀性的CI（G）S薄膜。此外，现有的制造光吸收层或CI（G）S薄膜的现有方法，例如孔径大，需要改变每种工艺的硒化条件的必要性，以及所制造的吸收层的组成均匀性的劣化或 CI（G）S薄膜当工艺条件的变化不合适时，可以解决。

88. 发明授权

KR101406734B1 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有改进的钠掺合法的柔性电容太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101406734B1
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：KR1020130094089
申请日：2013-08-08
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 안승규 , 윤경훈 , 윤재호 , 조준식 , 안세진 , 곽지혜 , 신기식 , 박상현 , 박주형 , 어영주 , 유진수 , 조아라
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/03928 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지에 관한 것으로, 유연한 재질의 기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극, 상기 후면전극 위에 형성된 CIGS 광흡수층; 상기 CIGS 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 전면전극을 포함하여 구성되며, 상기 후면전극은 단일층으로 구성된 Na 첨가 금속 전극층인 것을 특징으로 한다.
본 발명은 종래의 Na 첨가 Mo 전극층에 비하여 약 1/10정도 낮은 비저항을 나타내는 Na 첨가 Mo 전극층을 적용하여, 단일층으로 후면전극을 구성한 고효율의 유연기판 CIGS 태양전지를 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 후면전극층을 형성하는 공정이 단일층의 Na 첨가 Mo 전극층을 형성하는 공정만으로 이루어져, 유연기판 CIGS 태양전지의 제조공정 및 제조비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.
나아가, Na 첨가 금속층이 공기 중에 노출된 동안에 표면에 형성된 Na 화합물을 제거하는 공정을 더 포함함으로써, 광흡수층이 박리되거나 태양전지의 변환효율이 감소하는 문제를 해소할 수 있는 효과가 있다.

89. 发明授权

KR101405113B1 후면 버퍼층을 갖는 태양전지 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有背面缓冲层的太阳能电池及其制造方法。
公开(公告)号：KR101405113B1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020130026377
申请日：2013-03-12
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 조아라 , 조준식 , 박주형 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 신기식 , 안승규 , 유진수 , 박상현
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0465 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022433 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/02366 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/1884 , Y02E10/541
摘要： The present invention relates to a thin film solar cell enabling sunlight to be incident on a light absorbing layer directly without obstacles by forming a buffer layer, a transparent electrode, and a grid electrode on a lower surface of a CIGS instead of forming the buffer layer and the transparent electrode on the upper part of the light absorbing layer as the thin film solar cell used to be manufactured by forming the buffer layer, the transparent electrode, and the grid electrode on the upper part of the conventional light absorbing layer. Also, the solar cell can shorten the distance of an electron-hole moving to the electrode or the buffer layer, wherein the electron-hole is generated by patterning a first electrode and the buffer layer into a shape to mesh with a tooth structure to absorb light energy.
摘要翻译：本发明涉及通过在CIGS的下表面上形成缓冲层，透明电极和栅格电极而使太阳光直接入射到光吸收层上的薄膜太阳能电池，而不是形成缓冲层以及作为薄膜太阳能电池的光吸收层的上部的透明电极，通过在传统的光吸收层的上部形成缓冲层，透明电极和栅格电极来制造。此外，太阳能电池可以缩短移动到电极或缓冲层的电子空穴的距离，其中通过将第一电极和缓冲层图案化成与牙齿结构相互吸收的形状而产生电子空穴光能。

90. 发明授权

KR101388458B1 급속 열처리 공정을 사용한 ＣＩＧＳ 박막의 제조방법 有权
标题翻译：使用快速热处理的CIGS薄膜的制备方法
公开(公告)号：KR101388458B1
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：KR1020120091874
申请日：2012-08-22
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 안세진 , 윤재호 , 곽지혜 , 윤경훈 , 신기식 , 안승규 , 조아라 , 조준식 , 박상현 , 어영주 , 유진수 , 박주형
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 Se 성분이 포함된 Cu-In-Ga-Se 전구체 박막을 형성한 후 급속 열처리 공정을 수행함으로써 급속 열처리 공정 중 추가적인 Se 공급이 필요하지 않은 CIGS 박막의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 기판에 셀레늄 성분이 포함된 Cu-In-Ga-Se 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 a); 상기 단계 a에서 형성된 전구체 박막에 400℃ 초과 600℃ 미만의 온도 및 1∼760 torr의 압력에서 1∼30분 동안 급속 열처리 공정(RTP)을 처리하는 단계(단계 b)를 포함한다. 본 발명에 따르면, CIGS 전구체 박막을 제조하는 과정에서 충분한 양의 Se가 전구체 박막 자체에 포함되게 함으로써 급속 열처리 공정 중 추가적으로 Se를 공급하여야 할 필요가 없으며, 급속 열처리 공정 조건의 제어를 통해 Se 손실을 최소화하여 고결정성의 CIGS 박막을 제공할 수 있다.

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