专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

81. 发明公开

KR1020020056093A 액정표시장치의 게이트 구동회로 有权
标题翻译： LCD设备的门驱动电路
公开(公告)号：KR1020020056093A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：KR1020000085391
申请日：2000-12-29
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 하용민
IPC分类号： G09G3/36
摘要： PURPOSE: A gate driving circuit of an LCD device is provided to compensate for unbalance due to a difference of feed through voltage between an upper portion and a lower portion of a screen. CONSTITUTION: A signal is transmitted from a flipflop and a current buffer of a shift register to a gate scanning line. The signal is applied to a gate start pulse of the next stage. A delay value is increased by the above operations. Accordingly, the unbalance of an upper portion and a lower portion of a screen is compensated since the delay value of the buffer device is reduced on an upper portion of a screen and the delay value is increased on a lower portion of the screen. On the upper portion of the screen, the delay value is increased by reducing transistor channel width of a buffer stage since the delay value is reduced on the upper portion of the screen.
摘要翻译：目的：提供LCD装置的栅极驱动电路，以补偿由于屏幕的上部和下部之间的馈电电压的差异导致的不平衡。构成：从触发器和移位寄存器的当前缓冲器向门扫描线发送信号。信号被施加到下一级的门起始脉冲。通过上述操作增加延迟值。因此，屏幕的上部和下部的不平衡被补偿，因为缓冲装置的延迟值在屏幕的上部减小，并且延迟值在屏幕的下部增加。在屏幕的上部，通过减小缓冲器级的晶体管沟道宽度来延长延迟值，因为延迟值在屏幕的上部被减小。

82. 发明公开

KR1020020024466A 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 失效
标题翻译：用于液晶显示的阵列基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020024466A
公开(公告)日：2002-03-30
申请号：KR1020000056225
申请日：2000-09-25
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 하용민
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136213 , G02F1/134336
摘要： PURPOSE: An array substrate for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same are provided to improve the open ratio by dividing pixel electrodes of a thin film transistor array substrate on storage electrodes. CONSTITUTION: An array substrate for a liquid crystal display includes an insulation substrate, n gate lines(151a,151b) formed on the substrate, m data lines(171) perpendicular to the gate lines, nxm pixel areas defined by the n gate lines and the m data lines, nxm storage capacitors(155) formed of electrodes parallel to the respective gate lines, switching elements connected to the respective gate lines and the data lines, and pixel electrodes(191a,191b) overlapping parts of storage capacitors of n(1
摘要翻译：目的：提供一种用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法，用于通过将薄膜晶体管阵列基板的像素电极划分为存储电极来提高开放比。构成：用于液晶显示器的阵列基板包括绝缘基板，形成在基板上的n个栅极线（151a，151b），垂直于栅极线的m条数据线（171），由n条栅极线限定的n×m个像素区域和 m个数据线，与各个栅极线平行的电极形成的n×m个存储电容器（155），连接到各个栅极线和数据线的开关元件以及n（n）的存储电容器的重叠部分的像素电极（191a，191b） 1 <= n <= N）行和第（n-1）行的存储电容器，其中n和m分别是整数。

83. 发明公开

KR1020020017229A 액정표시장치 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：液晶显示及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020017229A
公开(公告)日：2002-03-07
申请号：KR1020000050429
申请日：2000-08-29
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 박재덕 , 하용민 , 여주천
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136227 , G02F1/1368
摘要： PURPOSE: A liquid crystal display and a method for manufacturing the same are provided to form an organic insulating film between data lines and pixel electrodes by overlapping edge parts of the data lines with the pixel electrodes, thereby reducing the parasitic capacitance due to the data lines and the pixel electrodes and reducing the vertical crosstalk. CONSTITUTION: A liquid crystal display includes a dummy gate insulating film and dummy gate electrodes(43) stacked on a bottom substrate with a predetermined pattern and separated from gate lines, an insulating film between layers formed on the bottom substrate including the dummy gate electrodes with a step difference, drain electrodes(45a) formed on the insulating film between layers with a step difference from data lines(45b), contacting drain areas and overlapped the dummy gate electrodes partially on the dummy gate electrodes, the data lines formed on the insulating film between layers crossing the gate electrodes and having a step difference from drain electrodes, a passivation film formed on the insulating film between layers including the dummy gate electrodes and the data lines, contact holes formed to expose the drain electrodes overlapped with the dummy gate electrodes, and pixel electrodes(47) contacting the drain electrodes via the contact holes and overlapped on edge parts of the data lines.
摘要翻译：目的：提供液晶显示器及其制造方法，通过将数据线的边缘部分与像素电极重叠来形成数据线和像素电极之间的有机绝缘膜，从而减少由于数据线引起的寄生电容和像素电极，并减少垂直串扰。构成：液晶显示器包括：虚拟栅极绝缘膜和堆叠在具有预定图案的底部基板上并与栅极线分离的伪栅极电极（43），在包括虚拟栅电极的底部基板上形成的层之间的绝缘膜与台阶差，形成在与数据线（45b）之间的步长差的层之间的绝缘膜上的漏电极（45a），与漏极区域接触并部分地在虚拟栅电极上重叠虚设栅电极，形成在绝缘层上的数据线与栅电极交叉并且与漏极之间具有阶梯差的层之间的膜，在包括虚拟栅极和数据线的层之间的绝缘膜上形成的钝化膜，形成为暴露与虚拟栅电极重叠的漏电极的接触孔和像素电极（47），经由接触孔与漏电极接触并重叠在边缘部分上的数据线。

84. 发明授权

KR100266216B1 박막트랜지스터구조및그제조방법 有权
标题翻译： TFT LCD的结构与制造方法
公开(公告)号：KR100266216B1
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR1019970052799
申请日：1997-10-15
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 하용민
IPC分类号： G02F1/136
摘要： PURPOSE: A thin film transistor and a method for manufacturing the same are to prevent an active layer pattern from being damaged at an annealing and ion implanting process, thereby minimizing an inferior rate of the thin film transistor. CONSTITUTION: A source and/or drain interconnection(32) is formed by depositing a conductive material on a substrate(30) in a uniform thickness and patterning the conductive material layer. A buffer insulating film(34) is formed on the substrate by spin coating an insulating material of a liquid state on the substrate and curing the material at a high temperature of above 250 deg.C. A polysilicon film(36) is formed on the buffer insulating film by depositing amorphous silicon on the buffer insulating film in a uniform thickness and curing it using a laser light. An active layer pattern(38), a gate insulating pattern(40), and a gate electrode(42) are formed on the buffer insulating film.
摘要翻译：目的：薄膜晶体管及其制造方法是为了防止有效层图案在退火和离子注入工艺中被损坏，由此最小化薄膜晶体管的劣化率。构成：通过在均匀厚度的衬底（30）上沉积导电材料并形成导电材料层来形成源极和/或漏极互连（32）。通过在基板上旋转液态绝缘材料并在高于250℃的高温下固化材料，在基板上形成缓冲绝缘膜（34）。通过以均匀的厚度在缓冲绝缘膜上沉积非晶硅并使用激光固化，在缓冲绝缘膜上形成多晶硅膜（36）。在缓冲绝缘膜上形成有源层图案（38），栅绝缘图案（40）和栅电极（42）。

85. 发明公开

KR1020000010124A 박막트랜지스터및그제조방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020000010124A
公开(公告)日：2000-02-15
申请号：KR1019980030869
申请日：1998-07-30
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 여주천 , 최홍석 , 하용민 , 이상걸
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/6675 , H01L29/41733 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78648
摘要： PURPOSE: A thin film transistor is provided to include a buried bus coplanar structure with a source and drain wiring positioned, and a lightly doped drain area with a low resistance area positioned, thereby improving the current driving capacity. CONSTITUTION: An insulated substrate(200) is provided with a source drain(21S), a drain electrode(21D), and a lower gate electrode(21G). An exposed surface of the substrate is covered with a buffer film(23). On a desired portion of the buffer film, a source area(24S), a drain area(24D), and a lightly doped drain area(24L) are formed. An activity layer(24) defining a channel area(24C) is also formed on the buffer film. The buffer film functions as a lower gate insulated film.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜晶体管，以包括一个位于源极和漏极布线的掩埋式总线共面结构，以及一个具有低电阻面积的轻掺杂漏极区域，从而提高电流驱动能力。构成：绝缘衬底（200）设置有源极漏极（21S），漏极电极（21D）和下部栅电极（21G）。衬底的暴露表面被缓冲膜（23）覆盖。在缓冲膜的期望部分上，形成源极区（24S），漏极区（24D）和轻掺杂漏极区（24L）。限定通道区域（24C）的活性层（24）也形成在缓冲膜上。缓冲膜用作下栅极绝缘膜。

86. 发明授权

KR100243914B1 액정표시패널의 탭패드부 구조 및 그 제조방법 有权
标题翻译：液晶面板的结构及其制造方法
公开(公告)号：KR100243914B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970035755
申请日：1997-07-29
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김병구 , 하용민
IPC分类号： G02F1/1345
CPC分类号： G02F1/13458 , G02F1/13452
摘要： 본 발명은 액정표시패널의 탭패드(tap pad)부의 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 탭패드부에서 구동회로로 연결되는 연결배선들의 배열을 위한 공간잠식을 최소화하기 위하여 연결배선들의 배열구조를 개선시킨 것인데, 기판상에 형성되어 외부회로부에 연결될 다수개의 패드들 중 그 일부에 일대일 대응으로 연결되어 제1방향으로 제1연결배선들을 베열하고, 나머지 패드들에 일대일 대응으로 연결되어 제2방향으로 제2연결배선들을 배열함으로써, 콤팩트한 패널 구조를 형성할 수 있다.

87. 发明公开

KR1019990031904A 박막트랜지스터구조및그제조방법 有权
公开(公告)号：KR1019990031904A
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：KR1019970052799
申请日：1997-10-15
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 하용민
IPC分类号： G02F1/136
摘要： 본 발명은 플래너(planer) 구조를 가지는 박막 트탠지스터와 그 제조방법에 관한 것이다.
박막 트랜지스터는 표면에 배선이 형성되어진 기판의 상부에 평탄하게 형성되어진 버퍼절연막을 구비한다. 이 버퍼절연막의 상부에는 활성층패턴이 형성되게 된다. 활성층패턴은 평탄화된 버퍼절연막상에 위치함으로써 레이저광을 이용한 열처리공정과 이온주입공정 등이 진행되더라도 손상 및 유실되지 않게 된다. 또한, 활성층패턴의 상부에는 게이트전극이 형성되게된다.
이러한 구조를 가지는 박막 트랜지스터에서는 활성층이 유실 및 손상되지 않음으로써 불량율이 최소화됨과 아울러 제조수율이 증대되게 된다.

88. 发明公开

KR1019990015856A 액정표시장치 有权
公开(公告)号：KR1019990015856A
公开(公告)日：1999-03-05
申请号：KR1019970038198
申请日：1997-08-11
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김병구 , 하용민
IPC分类号： G02F1/1333
摘要： 본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 광차단층과 구동회로부의 신호 버스라인의 중첩으로 인한 커플링 캐패시턴스를 감소시키기 위하여, 다수개의 신호 버스 라인을 구비하는 구동회로부와 화소부가 제1기판에 형성되고, 광차단층과 컬러필터를 구비하는 제2기판 사이에 액정물질이 개재되어 형성되는 액정표시장치에 있어서, 상기 광차단층은 상기 구동회로부의 신호 버스라인들 사이의 투명부를 차단화되, 상기 신호 버스라인과 최소한으로 중첩하도록 형성되는 것이 특징으로 하고 있으며, 액정표시장치에서의 신호 지연 및 왜곡현상을 최소화할 수 있다.

89. 发明公开

KR1019980066340A 평행전계형 액정표시장치 失效
标题翻译：并联电场型液晶显示器
公开(公告)号：KR1019980066340A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970001797
申请日：1997-01-22
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 문범진 , 하용민
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1343
摘要： 액정표시장치는 기판 위에 주사선과 신호선이 직교하여 형성되어 있고, 그 교차부에 박막트랜지스터와 화소전극이 형성된 하판과 공통전극이 형성된 상판으로 구성되어 있다. 그리고, 상기 액정표시장치는 공통전극에 인가되는 공통전압과 화소전극에 인가되는 화소전압의 전압차에 의해 변하는 액정분자의 정렬에 의해 구동된다.
상기 액정표시장치를 구동시키는 구동방법으로는 화소전극에 인가하는 전압의 위상에 따라 라인인버전방식과 도트인버전방식의 구동방법이 있다. 라인인버전방식은 화소전압의 강하에 의해 플리커현상이 일어나 화질이 나쁘고, 도트인버전방식은 플리커현상이 적어 화질이 좋다.
그런데, 공통전극과 화소전극이 각각 분리된 기판에 형성된 액정표시장치는 시야각이 좁은 단점이 있다. 그래서, 공통전극과 화소전극을 하나의 기판에 형성시키는 IPS구조의 액정표시장치를 사용하기도 한다. 그리고, IPS구조의 액정표시장치는 도트인버전방식으로 구동되기 위해 화소전극에는 교류의 화소전압이 인가되지만, 공통전극에는 직류의 공통전압이 인가된다. 그 이유는 주사선방향으로 공통전극배선이 형성되어 있기 때문이다.
그러나, 공통전극에 직류의 공통전압이 인가되면, 액정표시장치의 소비전력이 높아지는 단점이 있다. 그래서, 공통전극에 교류의 공통전압을 인가하여야 한다.
본 발명은 IPS구조의 액정표시장치에서 공통전극배선이 신호선방향으로 형성되고, 홀수번째의 신호선에 대응되는 공통전극배선과 짝수번째의 신호선에 대응되는 공통전극배선에 서로 위상이 다른 교류의 공통전압을 인가하여 소비전력을 줄이는 IPS방식의 액정표시장치와 그 구동방법에 관한 것이다.

90. 发明公开

KR1019980016032A 액정표시장치의 구조 및 그 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019980016032A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960035540
申请日：1996-08-26
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 하용민
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1333

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式