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82. 发明专利

TWI382803B 多層電路基板及電子設備失效
简体标题：多层电路基板及电子设备
公开(公告)号：TWI382803B
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：TW095130800
申请日：2006-08-22
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 森本明大 , MORIMOTO, AKIHIRO
IPC分类号： H05K3/46
CPC分类号： H05K1/024 , H05K3/4602 , H05K3/4626 , H05K3/4673 , H05K2201/0116 , H05K2201/0195 , H05K2201/0209 , H05K2201/0254

83. 发明专利

TWI356857B 金屬氧化物膜、疊層體、金屬構件及其製造方法 METAL OXIDE FILM, LAMINATE, METALLIC MEMBER AND METHODS OF PRODUCING THE SAME 有权
简体标题：金属氧化物膜、叠层体、金属构件及其制造方法 METAL OXIDE FILM, LAMINATE, METALLIC MEMBER AND METHODS OF PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TWI356857B
公开(公告)日：2012-01-21
申请号：TW095116431
申请日：2006-05-09
申请人：國立大學法人東北大學 , 三菱化學股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 白井泰雪 , 森永均 , 河瀬康弘 , 北野真史 , 水谷文一 , 石川誠
IPC分类号： C25D , G02F , H01L
CPC分类号： C25D11/06 , C25D11/18 , Y10T428/265
摘要：一種金屬氧化物膜，適於保護以鋁為主成分之金屬。一種金屬氧化物膜，係以鋁為主成分之金屬之氧化物所構成之膜，膜厚為10nm以上且來自前述膜之放出水分量為1E18分子/cm2以下，及一種金屬氧化物膜之製造方法，係將以鋁為主成分之金屬於pH4~10之化學生成液中進行陽極氧化而得到金屬氧化物膜。
简体摘要：一种金属氧化物膜，适于保护以铝为主成分之金属。一种金属氧化物膜，系以铝为主成分之金属之氧化物所构成之膜，膜厚为10nm以上且来自前述膜之放出水分量为1E18分子/cm2以下，及一种金属氧化物膜之制造方法，系将以铝为主成分之金属于pH4~10之化学生成液中进行阳极氧化而得到金属氧化物膜。

84. 发明专利

TWI355743B 功率ＩＣ裝置及其製造方法 POWER IC DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
简体标题：功率ＩＣ设备及其制造方法 POWER IC DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI355743B
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW096120149
申请日：2007-06-05
申请人：夏普股份有限公司 , 國立大學法人東北大學 , 矢崎總業股份有限公司
发明人：亞伯特歐亞當 , 菊田光洋 , 寺本章伸 , 大見忠弘 , 矢部弘男 , 渡邊高訓
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/823412 , H01L21/823456 , H01L21/823487 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L21/823885 , H01L27/088 , H01L27/0922 , H01L29/045 , H01L29/4236 , H01L29/66734
摘要：本發明提供一種功率MOS電晶體部分之ON電阻低，且表層通道MOS電晶體部分之處理速度快之功率IC裝置及其製造方法。晶片(2a)表面之面方位係從矽之(110)結晶面起－8°以上＋8°以下之面方位，P通道型溝槽功率MOS電晶體(10)具有：從晶片(2a)之表面垂直穿孔之溝槽(3)；溝槽(3)內之閘極區域(11)；溝槽(3)橫壁部分之反轉通道區域(12)；設於晶片(2a)表面層之源極區域(14)；及設於晶片(2a)背面層之汲極區域(13)。表層通道MOS電晶體(20)具有以反轉通道電流之方向成為從前述矽之結晶方向起－8°以上＋8°以下之方向之方式所配設之反轉通道區域(22)。
简体摘要：本发明提供一种功率MOS晶体管部分之ON电阻低，且表层信道MOS晶体管部分之处理速度快之功率IC设备及其制造方法。芯片(2a)表面之面方位系从硅之(110)结晶面起－8°以上＋8°以下之面方位，P信道型沟槽功率MOS晶体管(10)具有：从芯片(2a)之表面垂直穿孔之沟槽(3)；沟槽(3)内之闸极区域(11)；沟槽(3)横壁部分之反转信道区域(12)；设于芯片(2a)表面层之源极区域(14)；及设于芯片(2a)背面层之汲极区域(13)。表层信道MOS晶体管(20)具有以反转信道电流之方向成为从前述硅之<110>结晶方向起－8°以上＋8°以下之方向之方式所配设之反转信道区域(22)。

85. 发明专利

TW201112356A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201112356A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099122856
申请日：2007-07-13
申请人：國立大學法人東北大學 , 財團法人國際科學振興財團
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 黑田理人
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/045 , H01L21/02057 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/823807 , H01L21/823835 , H01L21/82385 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/41766 , H01L29/456 , H01L29/518 , H01L29/785 , H01L2029/7857
摘要：一種半導體裝置,藉由於遮光狀態下且於氮氣環境中以加氫超純水清洗矽表面而使峰至谷(P-V)値在0.3nm以下之平坦度之理想得以實現,且藉由使電極與矽之間之工作函數差在0.2eV以下,使接觸電阻降低至10-11��cm2以下之理想亦得以實現。藉此可獲得可以10GHz以上之頻率工作之半導體裝置。
简体摘要：一种半导体设备,借由于遮光状态下且于氮气环境中以加氢超纯水清洗硅表面而使峰至谷(P-V)値在0.3nm以下之平坦度之理想得以实现,且借由使电极与硅之间之工作函数差在0.2eV以下,使接触电阻降低至10-11��cm2以下之理想亦得以实现。借此可获得可以10GHz以上之频率工作之半导体设备。

86. 发明专利

TW201025422A 循環式之基板燒成爐 SUBSTRATE FIRING FURNACE OF THE CIRCLE METHOD 审中-公开
简体标题：循环式之基板烧成炉 SUBSTRATE FIRING FURNACE OF THE CIRCLE METHOD
公开(公告)号：TW201025422A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW098111052
申请日：2009-04-02
申请人：國立大學法人東北大學 , 未來視野股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 村岡祐介 , 宮路恭祥
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種熱損失少且可獲得穩定之燒成溫度之循環式之基板燒成爐。將熱風吹入至爐體本體部10之內部,藉此進行玻璃基板W之燒成處理。自爐體本體部10排出之熱風藉由循環風扇40而於循環路徑20內循環,自分解有機物之觸媒過濾部70經由吸附分解產生物之吸附塔30而再次為主加熱器52加熱。自爐體本體部10排出之熱風直接流入至觸媒過濾部70,熱風中所含之有機物被分解,因此無需用以加熱觸媒之另外之加熱器,可減小熱損失。又,可藉由僅控制主加熱器52而調整爐體本體部10之內部之燒成溫度,因此溫度控制容易,可獲得穩定之燒成溫度。
简体摘要：本发明提供一种热损失少且可获得稳定之烧成温度之循环式之基板烧成炉。将热风吹入至炉体本体部10之内部,借此进行玻璃基板W之烧成处理。自炉体本体部10排出之热风借由循环风扇40而于循环路径20内循环,自分解有机物之触媒过滤部70经由吸附分解产生物之吸附塔30而再次为主加热器52加热。自炉体本体部10排出之热风直接流入至触媒过滤部70,热风中所含之有机物被分解,因此无需用以加热触媒之另外之加热器,可减小热损失。又,可借由仅控制主加热器52而调整炉体本体部10之内部之烧成温度,因此温度控制容易,可获得稳定之烧成温度。

87. 发明专利

TWI500209B 電極構造物及二次電池有权
简体标题：电极构造物及二次电池
公开(公告)号：TWI500209B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW102139943
申请日：2013-11-04
申请人：新日本金屬鑛業股份有限公司 , NEW NIPPON METAL MINING INDUSTRY CO., LTD. , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：清水健三 , SHIMIZU, KENZO , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 後藤哲也 , GOTO, TETSUYA
IPC分类号： H01M4/13 , H01M10/052
CPC分类号： H01M4/366 , H01M4/5825 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M4/661 , H01M4/664 , H01M4/665 , H01M4/667 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011

88. 发明专利

TW201513351A ３維構造之ＭＯＳＦＥＴ及其製造方法审中-公开
简体标题：３维构造之ＭＯＳＦＥＴ及其制造方法
公开(公告)号：TW201513351A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW102135319
申请日：2013-09-30
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：諏訪智之 , SUWA, TOMOYUKI , 田中宏明 , TANAKA, HIROAKI , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
摘要：本發明欲解決的課題之一是在於即使尺寸更小仍可根據該尺寸設計，提供實質上具有元件性能的基本電子元件及集成該基本電子元件構成的集成化半導體裝置。本發明之解決手段是在於有關3維構造之MOS-FET中，具備：具有不同的複數個結晶面的通道區域、面對該通道區域的複數個結晶面而設的閘極電極、設置在該閘極電極與前述通道區域之間的閘極絕緣膜、和設置成面對流經前述通道區域之電流的方向且隔該通道區域的第一、第二矽化物區域。
简体摘要：本发明欲解决的课题之一是在于即使尺寸更小仍可根据该尺寸设计，提供实质上具有组件性能的基本电子组件及集成该基本电子组件构成的集成化半导体设备。本发明之解决手段是在于有关3维构造之MOS-FET中，具备：具有不同的复数个结晶面的信道区域、面对该信道区域的复数个结晶面而设的闸极电极、设置在该闸极电极与前述信道区域之间的闸极绝缘膜、和设置成面对流经前述信道区域之电流的方向且隔该信道区域的第一、第二硅化物区域。

89. 发明专利

TWI478334B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI478334B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW098113468
申请日：2009-04-23
申请人：國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CPRPORATION TOHOKU UNIVERSITY , 財團法人國際科學振興財團 , FOUNDATION FOR ADVANCEMENT OF INTERNATIONAL SCIENCE
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 黑田理人 , KURODA, RIHITO
IPC分类号： H01L29/36 , H01L27/092
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L27/0883 , H01L27/092 , H01L29/045 , H01L29/458 , H01L29/78654 , H01L29/78696

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