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81. 发明专利

JP6246982B1 高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法有权
公开(公告)号：JP6246982B1
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：JP2017519701
申请日：2016-10-25
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：渡部武紀 , 橋上洋 , 大塚寛之
IPC分类号： H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：本発明は、第一導電型を有する半導体基板の両主表面に凹凸を形成する工程、半導体基板の第一主表面に、エミッタ層を形成する工程、エミッタ層上に拡散マスクを形成する工程、拡散マスクをパターン状に除去する工程、拡散マスクを除去した箇所に、ベース層を形成する工程、残存させた拡散マスクを除去する工程、第一主表面上に誘電体膜を形成する工程、ベース層上にベース電極を形成する工程、エミッタ層上にエミッタ電極を形成する工程を有する太陽電池の製造方法である。これにより、工数を削減しつつも高い光電変換効率を示す太陽電池の製造方法が提供される。

82. 发明专利

JP6243581B1 高光電変換効率太陽電池セル及び高光電変換効率太陽電池セルの製造方法有权
公开(公告)号：JP6243581B1
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：JP2017519700
申请日：2016-12-01
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：渡部武紀 , 松尾陽子 , 橋上洋 , 大塚寛之
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/0224
摘要：本発明は、半導体基板の第一主表面上にフィンガー電極を有する太陽電池セルであって、少なくとも前記フィンガー電極の表面が露出しないように絶縁材料を含む材料で被覆されており、前記絶縁材料を含む材料は、加水分解しないもの又は加水分解した際にカルボン酸を発生しないものであることを特徴とする太陽電池セルである。これにより、EVAを用いても、経時での光電変換効率低下を抑制する太陽電池セル及びこれを用いた太陽電池モジュールが提供される。

83. 发明专利

JP6162918B1 高効率太陽電池の製造方法有权
公开(公告)号：JP6162918B1
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：JP2017519714
申请日：2016-11-07
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：橋上洋 , 植栗豊敬 , 渡部武紀 , 大塚寛之
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：本発明は、半導体基板の第1主表面に、第1電極を形成する工程と、前記第1電極の少なくとも一部を覆うように、絶縁膜前駆体を塗布する工程と、前記絶縁膜前駆体を仮硬化させる工程と、少なくとも前記絶縁膜前駆体上に、導電性ペーストを前記第1電極と電気的に絶縁するように塗布する工程と、前記導電性ペーストを硬化させて第2電極とする工程と、前記絶縁膜前駆体を本硬化させて絶縁膜とする工程と、を有し、前記導電性ペーストを前記第1電極と電気的に絶縁するように塗布する工程は、前記絶縁膜前駆体を仮硬化させる工程後に行われ、前記導電性ペーストを硬化させて第2電極とする工程の少なくとも一部と前記絶縁膜前駆体を本硬化させて絶縁膜とする工程の少なくとも一部が同時に行われる太陽電池の製造方法である。これにより、生産性が高く、高い光電変換特性を有する太陽電池の製造方法が提供される。

84. 发明专利

JP6162076B2 太陽電池モジュールおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6162076B2
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：JP2014115565
申请日：2014-06-04
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：橋上洋 , 渡部武紀 , 大塚寛之
IPC分类号： H01L31/048 , H01L21/306 , H01L31/0236
CPC分类号： Y02E10/50

85. 发明专利

JP2017098460A 裏面電極型太陽電池の電極形成方法および電極形成装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017098460A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：JP2015230637
申请日：2015-11-26
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：橋上洋 , 渡部武紀 , 大塚寛之
IPC分类号： H01L31/0224
摘要：【課題】裏面電極型太陽電池の製造工程において、良好な電気特性を有する電極を簡易な工程で低コストに形成するための電極形成方法を提供する。【解決手段】第1極性の電極材を吐出する複数の第1の吐出口と第2極性の電極材を吐出する複数の第2の吐出口とが太陽電池基板の裏面に対向して或る方向に交互に並ぶように設けられた吐出手段の各吐出口から各電極材を吐出し垂下することにより基板の裏面に電極材を塗布して第1極性の電極と第2極性の電極を交互に形成する。【選択図】図1

86. 发明专利

JP2016201382A 太陽電池用パッシベーション膜形成方法及び太陽電池用パッシベーション膜形成装置审中-公开
标题翻译：钝化膜的形成方法及用于太阳能电池的太阳能电池的钝化膜形成装置
公开(公告)号：JP2016201382A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：JP2015078130
申请日：2015-04-07
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：橋上洋 , 渡部武紀 , 大塚寛之
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0216
CPC分类号： Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要：【課題】少ない材料でかつシンプルな工程で低コストに太陽電池用パッシベーション膜を形成する。【解決手段】p型またはn型の導電型を持つ結晶シリコン基板よりキャリア濃度が高い、p型の導電型を持つp + 領域とn型の導電型を持つn + 領域とが一方の表面に形成された当該結晶シリコン基板の、当該一方の表面にパッシベーション膜を形成する方法であって、有機金属を含むプリカーサガスをp + 領域の表面に選択的に噴き付けてプリカーサ層を形成するプリカーサ層形成ステップと、少なくともプリカーサ層を酸化ガス雰囲気に曝すことにより酸化させて金属酸化膜を形成する酸化ステップと、とを実行する。【選択図】図1
摘要翻译：甲以较少材料和用于以低成本形成用于太阳能电池的钝化膜还简单的过程。的p型或载流子浓度比具有结晶硅衬底n型导电性是高的，并具有一个p +区和n型导电性与p型导电性形成在一个表面上的n +区所有的晶体硅基板，所述一个表面上形成钝化膜的方法，和将前体层形成选择性黑色大理石施加到p +区域的表面上的前体层的前体步骤含有有机金属气体形成金属氧化物膜的氧化步骤通过暴露氧化成至少前体层时，它执行与氧化性气体气氛。点域1

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