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81. 发明公开

EP1146551A1 Verfahren zur Überführung einer Rücklaufscheibe in eine Halbleiterscheibe 审中-公开
标题翻译：一种用于在半导体晶片变换的返回轮处理
公开(公告)号：EP1146551A1
公开(公告)日：2001-10-17
申请号：EP01106304.7
申请日：2001-03-15
申请人： Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft
发明人： Wenski, Guido, Dr.
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/02079 , H01L21/02032
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Überführung einer als Rücklaufscheibe bezeichneten Halbleiterscheibe in eine Halbleiterscheibe, die als Ausgangsmaterial für die Halbleiterfertigung geeignet ist, wobei die Rücklaufscheibe eine Vorderseite, eine Rückseite und eine Kante besitzt und auf mindestens einer der beiden Seiten Fremdmaterial trägt, das von mindestens einem Prozess zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen stammt. Das Verfahren umfasst folgende Einzelschritte:

(a) mechanische materialabtragende Bearbeitung mindestens einer der das Fremdmaterial tragenden Seite der Rücklaufscheibe;
(b) Abtragen von Oberflächenmaterial von mindestens einer der Seiten und/oder der Kante der Rücklaufscheibe durch mindestens einen Ätzschritt;
(c) Polieren der Kante der Rücklaufscheibe;
(d) gleichzeitiges Polieren der Seiten der Rücklaufscheibe zwischen sich drehenden, mit Poliertuch bedeckten Poliertellern unter Zuführen eines Poliermittels mit einer Feststoffkonzentration von 0,1 bis 5 Gew.-% und einem pH-Wert von 9 bis 12, wobei die Rücklaufscheibe in einer Aussparung einer Läuferscheibe liegt; und
(e) einseitiges Polieren mindestens einer Seite der Rücklaufscheibe auf einem mit Poliertuch bedeckten Polierteller unter Zuführen eines Poliermittels mit einer Feststoffkonzentration von 0,1 bis 5 Gew.-% und einem pH-Wert von 9 bis 12, wobei eine schleierfrei polierte Oberfläche erzeugt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于传送被称为在一个半导体晶片，其是适合作为用于半导体生产的起始材料返回轮的半导体晶片，所述回转轮具有前部，后部和边缘并从轴承上的异物的两侧中的至少一个用于生产半导体器件的至少一个过程导出。该方法包括以下各个步骤：（a）机械材料去除加工携带返回板的一侧的异物的至少一个; （B）除去侧中的至少一个和/或通过至少一个蚀刻步骤后行驶轮的所述边缘的表面材料; （C）研磨后行驶轮的边缘; （D）同时抛光回复盘的侧面旋转覆盖有抛光布，抛光板而供给具有0.1的固体浓度的抛光剂5重量％和9至12的pH值之间，其中在凹部中的返回轮转子盘所在; 和（e）单面抛光至少一个在覆盖有研磨布的抛光板，同时提供具有0.1的固体浓度的抛光剂5重量％和9至12的pH值的表的返回盘，其特征在于，无混浊的抛光表面产生的侧是。

82. 发明公开

EP1119031A2 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe 有权
标题翻译：一种制造半导体晶片的工艺
公开(公告)号：EP1119031A2
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：EP01101103.8
申请日：2001-01-18
申请人： Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft
发明人： Schwab, Günter , Franke, Helmut , Schöfberger, Manfred
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02019 , H01L21/30604 , H01L21/67075
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe durch Ätzen der Halbleiterscheibe, wobei ein Ätzmedium entlang einer Strömungsrichtung laminar zu einer Kante der Halbleiterscheibe strömt. Wesentliches Merkmal des Verfahrens ist, daß vor der Kante der Halbleiterscheibe ein Schutzschild angeordnet wird, so daß das Ätzmedium gegen das Schutzschild und nicht gegen die Kante der Halbleiterscheibe strömt. Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Halbleiterscheibe in Bezug auf die Strömungsrichtung des Ätzmediums geneigt wird, so daß zwischen der Strömungsrichtung des Ätzmediums und einer ersten Seite der Halbleiterscheibe ein Winkel von kleiner als 180° und zwischen der Strömungsrichtung des Ätzmediums und einer zweiten Seite der Halbleiterscheibe ein Winkel von größer als 180° besteht, und die zweite Seite der Halbleiterscheibe später poliert wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过蚀刻半导体晶片，其特征在于，沿流动方向的层的蚀刻介质流到半导体晶片的边缘的制造半导体晶片的方法。该方法的一个重要特征是，保护罩被布置在半导体晶片的边缘的前面，从而使蚀刻介质流动靠在屏蔽而不与半导体晶片的边缘。本发明进一步提供了一种方法，其特征在于，该半导体晶片被倾斜相对于所述蚀刻介质的流动方向，从而使蚀刻介质的流动方向与所述半导体晶片的在小于180°的角度和流动方向之间的第一侧之间蚀刻介质和半导体晶片的第二侧，有一个大于180°的角度，和所述半导体晶片的所述第二侧被后抛光。

83. 发明公开

EP1081254A1 Verfahren zur Herstellung von mit Stickstoff dotierten Halbleiterscheiben 有权
公开(公告)号：EP1081254A1
公开(公告)日：2001-03-07
申请号：EP00117291.5
申请日：2000-08-17
申请人： Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft
发明人： Ammon von, Wilfied, Dr. , Weidner, Herbert , Zemke, Dirk, Dr. , Frey, Christoph, Dr.
IPC分类号： C30B15/04 , C30B15/00 , C30B13/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B13/00 , C30B15/04 , Y10S117/916
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von mit Stickstoff dotierten Halbleiterscheiben, wobei der Stickstoff von einem Dotierstoffgas stammt, das NH 3 enthält. Das Verfahren umfaßt das Ziehen des Einkristalls aus einer Schmelze von Halbleitermaterial, wobei das Dotierstoffgas dem Halbleitermaterial zugeleitet wird, und das Abtrennen der mit Stickstoff dotierten Halbleiterscheiben vom gezogenen Einkristall. Das Dotierstoffgas wird dem Halbleitermaterial höchstens so lange zugeleitet, bis mit dem Ziehen eines Teils des Einkristalls begonnen wird, von dem die Halbleiterscheiben abgetrennt werden.
摘要翻译：掺杂氮的半导体晶片的制造包括将含有NH 3的掺杂气体进料到半导体材料中，直到单晶的一部分的拉出已经开始并且去除晶片。优选特征：掺杂气体通过牵引室进料并且掺杂气体通过牵拉室的流通速度，并且调节掺杂气体中NH 3的浓度，其以如下方式测量：氮气浓度为掺杂半导体在/ cm 3处不超过5×10 15。

84. 发明公开

EP1077111A1 Werkzeug und Verfahren zum abrasiven Bearbeiten einer im wesentlichen ebenen Fläche 审中-公开
标题翻译：工具和方法，用于磨削加工工具的基本平坦的表面，制造和使用
公开(公告)号：EP1077111A1
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：EP00115098.6
申请日：2000-07-27
申请人： Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft
发明人： Ripper, Bert , Grubmüller, Hubert
IPC分类号： B24D7/06 , B24B37/04 , B24D7/10 , B24B53/02
CPC分类号： B24B37/16 , B24B37/26 , B24B53/017 , B24D7/06 , B24D7/10
摘要： Die Erfindung betrifft Werkzeug und Verfahren zum abrasiven Bearbeiten einer im wesentlichen ebenen Fläche. Das Werkzeug umfaßt einen Grundkörper (1) und mehrere Elemente (2), die auf dem Grundkörper (1) montiert sind und einen ebenen Belag bilden, der als Arbeitsbelag beim Bearbeiten der Fläche eingesetzt wird.
摘要翻译：所述研磨机具有一基体（1），其上安装的几个元件（2），以形成光滑层。该基体具有主动冷却，并且这些元件具有圆形，圆弧段形或多边形轮廓，并且与类似的结构质地和硬度由铸造金属制成的。该器具是一个研磨盘对盘形工件使用的形式。

85. 发明公开

EP1074366A1 Sägedraht und Verfahren zum Trennläppen von sprödharten Werkstücken 审中-公开
标题翻译： äged ht en en en en en en en en en en en en en en en en en en en
公开(公告)号：EP1074366A1
公开(公告)日：2001-02-07
申请号：EP00114192.8
申请日：2000-07-13
申请人： Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft
发明人： Käser, Maximilian , Andrä, Christian
IPC分类号： B28D5/04 , B23D57/00
CPC分类号： B23D57/0053
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Sägedraht zum gleichzeitigen Trennläppen von einer Vielzahl von Scheiben von einem sprödharten Werkstück. Der Sägedraht ist dadurch gekennzeichnet, daß er eine Torsion aufweist. Gegenstand der Erfindung ist auch ein Verfahren zum gleichzeitigen Trennläppen von einer Vielzahl von Scheiben von einem sprödharten Werkstück unter Verwendung eines Sägedrahtes, der spiralförmig über Drahtführungsrollen läuft und ein Drahtgatter bildet und eines Trennläppmittels in einer Drahtsäge, dadurch gekennzeichnet, daß der Sägedraht während des Trennläppens eine Rotationsbewegung ausführt.
摘要翻译：切割时锯线以旋转的方式移动。使用在线引导辊上以螺旋方式延伸的导线来磨蚀几个圆盘。对于受到扭转力的电线，还包括独立权利要求。

86. 发明授权

EP0935134B1 Apparatus and method for inspecting the edge micro-texture of a semiconductor wafer 失效
标题翻译：装置和方法，用于在半导体晶片的周边检查微织构
公开(公告)号：EP0935134B1
公开(公告)日：2000-09-27
申请号：EP98101958.1
申请日：1998-02-05
申请人： Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft
发明人： Nicolesco, Claudian R.
IPC分类号： G01N21/88
CPC分类号： G01N21/9503 , G01N21/8806

87. 发明公开

EP1005072A1 Verfahren zur nasschemischen Behandlung von Halbleiterscheiben 有权
公开(公告)号：EP1005072A1
公开(公告)日：2000-05-31
申请号：EP99120902.4
申请日：1999-10-28
申请人： Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft
发明人： Brunner, Roland , Schwenk, Helmut, Dr. , Zach, Johann
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02052
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur naßchemischen Behandlung von Halbleiterscheiben, bei dem die Halbleiterscheiben mit Behandlungsflüssigkeiten behandelt werden. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheiben zuerst mit einer wässerigen HF-Lösung, anschließend mit einer wässerigen O 3 -Lösung und schließlich mit Wasser oder einer wässerigen HCl-Lösung behandelt werden, wobei diese Behandlungen eine Behandlungsfolge bilden.
摘要翻译：半导体晶片的湿化学清洗包括用氢氟酸（HF）水溶液，臭氧（O 3）水溶液，然后用水或盐酸盐酸水溶液连续处理。优选特征：处理顺序先用含有过氧化氢（H 2 O 2）和氢氧化铵（NH 4 OH）或氢氧化四甲基铵（TMAH）的水溶液SC1溶液进行处理，然后干燥。

88. 发明授权

EP0745704B1 Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe 失效
标题翻译：一种用于生产一个外延涂覆半导体晶片的过程
公开(公告)号：EP0745704B1
公开(公告)日：1999-08-25
申请号：EP96108627.9
申请日：1996-05-30
申请人： Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft
发明人： Siebert, Wolfgang, Dr. , Mayer, Erwin-Peter, Dr.
IPC分类号： C30B13/00 , C30B29/06 , C30B13/12
CPC分类号： C30B29/06 , C30B13/00 , C30B33/00

89. 发明公开

EP0924029A1 Verfahren zum Erzielen eines möglichst linearen Verschleissverhaltens und Werkzeug mit möglichst linearem Verschleissverhalten 有权
标题翻译：一种用于获得线性的可能的磨损行为和工具的方法磨损性能与线性尽可能
公开(公告)号：EP0924029A1
公开(公告)日：1999-06-23
申请号：EP98123050.1
申请日：1998-12-08
申请人： Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft
发明人： Ripper, Bert , Hofmann, Robert , Lehfeld, Peter , Lundt, Holger, Dr.
IPC分类号： B24B37/04
CPC分类号： B24B37/08 , B24B37/26 , B24B49/00 , H01L21/30625
摘要： Die Erfindung betrifft die materialabtragende Bearbeitung von scheibenförmigen Werkstücken, insbesondere Halbleiterscheiben. Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Erzielen eines möglichst linearen Verschleißverhaltens bei einem Werkzeug (7,9), das eine im wesentlichen ebene Arbeitsfläche zur materialabtragenden Bearbeitung von scheibenförmigen Werkstücken besitzt, sowie ein Werkzeug (7,9) mit möglichst linearem Verschleißverhalten. Gegenstand der Erfindung ist auch ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Messen eines Verschleißprofils an einer im wesentlichen ebenen Arbeitsfläche (7,9) zur materialabtragenden Bearbeitung von scheibenförmigen Werkstücken. Gegenstand der Erfindung ist schließlich auch eine Läuferscheibe (16), die bei der beidseitigen materialabtragenden Bearbeitung von scheibenförmigen Werkstücken eingesetzt wird.
摘要翻译：工具工作台面的磨损轮廓确定性从用过的工具或通过基于在加工过程中的运动为主的关系的计算机模拟开采。基于在工具上的点的不同程度的磨损的表面修饰工作面准备。在其中较大的磨损指示材料具有高的耐磨损性被使用并且其中磨损少一个具有较低电阻点

90. 发明公开

EP0916450A1 Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben 有权
公开(公告)号：EP0916450A1
公开(公告)日：1999-05-19
申请号：EP98119004.4
申请日：1998-10-08
申请人： Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft
发明人： Hennhöfer, Heinrich , Krämer, Hans , Kirschner, Helmut , Thurner, Manfred , Buschhardt, Thomas , Röttger, Klaus Dr.
IPC分类号： B24B37/04 , B24B49/14
CPC分类号： B24B37/12 , B24B37/015 , B24B37/042
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben, bei dem mindestens eine Seite mindestens einer Halbleiterscheibe gegen einen mit einem Poliertuch bespannten Polierteller gedrückt und poliert wird, wobei die Halbleiterscheibe und der Polierteller eine Relativbewegung ausführen. Die Halbleiterscheibe überstreicht während des Polierens mindestens zwei Bereiche auf dem Polierteller, die bestimmte radiale Breiten aufweisen und unterschiedliche Temperaturen haben. Im Polierteller sind Temperiermittel vorgesehen, mit deren Hilfe die Anzahl, die radialen Breiten und die Temperaturen der Bereiche vor dem Polieren der Halbleiterscheiben festgelegt werden. Gegenstand der Erfindung ist ferner eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
摘要翻译：在抛光期间，半导体盘（5）在抛光托盘（4）上滑过不同温度的至少两个径向区域。提供了允许在半导体盘抛光之前规定这些区域的径向宽度，温度和数量的装置。所要求保护的装置的特征在于，抛光托盘包括用于温度可调的介质流动的同心环形室（Z1，Z2，...）的系统。

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