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81. 发明专利

FR2967862B1 CIRCUIT ET PROCEDE DE COMMANDE DE DEL 未知
公开(公告)号：FR2967862B1
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：FR1159980
申请日：2011-11-04
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND LLC
发明人： VAN DE MAELE WIM PIET , RANKOVIC ZORAN , VOORDE LUC VANDER , HALL JEFFERSON W
IPC分类号： H05B37/02 , H05B44/00

82. 发明专利

DE202017107334U1 Reduzieren oder eliminieren von Schallwandler-Nachhall 未知
公开(公告)号：DE202017107334U1
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：DE202017107334
申请日：2017-12-01
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND LLC
IPC分类号： G01S7/52 , G01S15/93
摘要： Hindernisüberwachungssystem, das Folgendes umfasst: einen Schallwandler, der ein Ultraschallecho von einem Hindernis empfängt und ein Signal basierend auf dem Echo erzeugt; einen Regler, der mit dem Schallwandler verbunden ist, der basierend auf einer Reaktion des Schallwandlers und eines Kopplungsschaltkreises kalibriert ist; und einen Schaltkreis zum Erzeugen eines Dämpfungsstroms, der durch den Regler gesteuert wird, der den Nachhall des Schallwandlers reduziert oder eliminiert.

83. 发明专利

DE102017209407A1 BILDSENSOREN MIT LED FLACKERMILDERUNG UND GLOBAL-SHUTTER-PIXELN 未知
公开(公告)号：DE102017209407A1
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：DE102017209407
申请日：2017-06-02
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND LLC
发明人： GEURTS TOMAS
IPC分类号： H04N5/3745 , H01L27/146
摘要： Ein Bildsensor kann ein oder mehrere Pixel umfassen, die eine Ladungslenkungs-Struktur aufweisen, die selektiv Ladung von einer Photodiode ableiten kann, um den dynamischen Bereich des Pixels zu erhöhen. Die Ladungslenkungs-Struktur kann eine gekoppelte Gatestruktur sein, die während der Belichtungsperiode Überschussladung zu einer Spannungsquelle und zu einer oder mehreren integrierenden Speicherstrukturen leitet. Die Ladungslenkungs-Struktur kann aus zwei integrierenden Speicherstrukturen bestehen, die direkt mit der Photodiode verbunden sind und während der Belichtungsperiode abwechselnd von der Photodiode generierte Ladung integrieren. Die in der Ladungslenkungs-Struktur enthaltenen Speicherstrukturen und Transistoren können Steuersignale empfangen, die in einer sich gegenseitig ausschließenden Art und Weise ausgegeben werden können. Pixel können auch eine Dual-Gain-Struktur umfassen, die zusätzliche Speicherkapazität bereitstellen kann.

84. 发明专利

DE202017106059U1 Einrichtung zum Steuern der mittleren Ströme in einem Abwärts-DC/DC-LED-Treiber 未知
公开(公告)号：DE202017106059U1
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：DE202017106059
申请日：2017-10-05
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND LLC
IPC分类号： H05B37/02 , H02M3/156 , H05B44/00
摘要： Einrichtung zum Versorgen einer elektrischen Last mit Leistung, umfassend: ein Treibermodul (300, 802) umfassend: ein Abwärtswandlermodul (104), umfassend einen Ausgangsknoten (313), konfiguriert zum Bereitstellen von Elektrizität mit einer Ausgangsspannung und einem Ausgangsstrom; wobei ein Betriebstakt des Abwärtswandlermoduls (104) einen Einschaltzeitraum-Betriebszustand (tON) und einen Ausschaltzeitraum-Betriebszustand (tOFF) umfasst; wobei der Einschaltzeitraum-Betriebszustand (tON) über einem ersten Zeitraum (T1) und einem zweiten Zeitraum (T2) auftritt; einen ersten Schalter (116), eingerichtet zum betrieblichen Koppeln einer Stromquelle (VIN) während eines geschlossenen Betriebszustands mit dem Abwärtswandlermodul (104) während des Einschaltzeitraum-Betriebszustands (tON); ein Stromsensormodul (302, 804, 1002), eingerichtet zum Erfassen eines ersten Schalterstroms (ISW1), der durch den ersten Schalter (116) während des Einschaltzeitraum-Betriebszustands (tON) zum Abwärtswandlermodul (104) bereitgestellt wird; ein Regelmodul (350, 806), betreibbar zum Anweisen und Regeln der Betriebszustände des ersten Schalters (116), sodass ein Durchschnittswert des ersten Schalterstroms (ISW1), der über den Betriebstakt zum Abwärtswandlermodul (104) bereitgestellt wird, gleich einem Soll-Strom ist.

85. 发明专利

DE202017105679U1 Stromsparende Sensorkommunikation unter Verwendung von zwei oder weniger Drähten 未知
公开(公告)号：DE202017105679U1
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：DE202017105679
申请日：2017-09-19
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND LLC
IPC分类号： G08C19/02 , B60C23/04 , G08C19/16
摘要： Sensormodul, welches das Folgende umfasst: einen Sensor, der konfiguriert ist, um Daten zu erfassen; eine Sensor-Schnittstelle, die an den Sensor gekoppelt und konfiguriert ist, um die von dem Sensor erfassten Daten zu verarbeiten, um verarbeitete Daten zu bilden; eine Stromverbrauchskonfigurationskomponente; und einen Transistor, der an die Stromverbrauchskonfigurationskomponente gekoppelt ist und konfiguriert ist, um die Stromverbrauchskonfigurationskomponente zu steuern, um die verarbeiteten Daten auszugeben.

86. 发明专利

DE202017105479U1 Bildsensoren mit Befähigung zur Unterdrückung von Stromversorgungsrauschen 未知
公开(公告)号：DE202017105479U1
公开(公告)日：2017-10-23
申请号：DE202017105479
申请日：2017-09-11
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND LLC
IPC分类号： H04N5/335 , H04N5/357
摘要： Bildsensor, umfassend: ein aktives Pixel in einem Array von Pixeln, wobei das aktive Pixel Bildsignale in Reaktion auf das Empfangen einfallenden Lichts erzeugt; eine Stromversorgung, die an das aktive Pixel gekoppelt ist und die ein Stromversorgungsspannungssignal an das aktive Pixel bereitstellt, wobei das Stromversorgungsspannungssignal eine erste Rauschkomponente aufweist, und eine Boosterschaltlogik, die an das aktive Pixel gekoppelt ist und die ein Steuersignal für einen Transistor in dem aktiven Pixel bereitstellt, wobei das Steuersignal eine zweite Rauschkomponente aufweist, bei der es sich um eine invertierte Version der ersten Rauschkomponente handelt.

87. 发明专利

MY163661A SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURE 未知
公开(公告)号：MY163661A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：MYPI2010004310
申请日：2010-09-15
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND LLC
发明人： SUTESH KRISHNAN , SOON WEI WANG
IPC分类号： H05K7/00
摘要： A METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR COMPONENT (10, 150, 200, 300, 320), WHEREIN THE SEMICONDUCTOR COMPONENT INCLUDES STACKED SEMICONDUCTOR DIE (48, 78, 118, 218, 258). IN ACCORDANCE WITH EMBODIMENTS, THE SEMICONDUCTOR COMPONENT (10, 150, 200, 300, 320) INCLUDES A SUBSTRATE (12, 12A) HAVING A COMPONENT RECEIVING AREA (18) AND A PLURALITY OF BOND PADS (20, 22, 24, 26, 28, 30, 32, 34, 36, 38, 40, 42). A SEMICONDUCTOR CHIP (48) IS ATTACHED TO THE COMPONENT RECEIVING AREA (18). AN ELECTRICAL CONNECTOR (62) IS COUPLED TO THE SEMICONDUCTOR CHIP (48) AND THE SUBSTRATE (12, 12A). A SECOND SEMICONDUCTOR CHIP (78) IS MOUNTED OR ATTACHED TO ONE OF THE ENDS OF THE ELECTRICAL CONNECTOR (62) SUCH THAT THIS END IS POSITIONED BETWEEN THE SEMICONDUCTOR CHIPS (48, 78). A SECOND ELECTRICAL CONNECTOR (92) IS COUPLED TO THE SECOND SEMICONDUCTOR CHIP. A THIRD SEMICONDUCTOR CHIP (118) IS MOUNTED OVER OR ATTACHED TO THE SECOND ELECTRICAL CONNECTOR (92) SUCH THAT A PORTION OF THE SECOND ELECTRICAL CONNECTOR (92) IS BETWEEN THE SECOND (48) AND THIRD (78) SEMICONDUCTOR CHIPS.

88. 发明专利

DE112015004767T5 Schaltlogik zum Unter-Vorspannungs-setzen von Lichtabschirmungsstrukturen und Tiefgrabenisolierungsstrukturen 未知
公开(公告)号：DE112015004767T5
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：DE112015004767
申请日：2015-10-20
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND LLC
发明人： SULFRIDGE MARC ALLEN , BORTHAKUR SWARNAL
IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/146 , H04N5/369
摘要： Ein Abbildungssystem (100) kann ein Bildsensorbauteil (102) einschließen, das auf einem digitalen Signalprozessor(DSP)-Bauteil (104) gestapelt ist. Durchkontaktierungen durch ein Oxid hindurch (through-oxide vias (TOVs)) (128) können in dem Bildsensorbauteil (102) ausgebildet sein und können sich zumindest teilweise in das DSP-Bauteil (104) erstrecken, um eine Kommunikation zwischen dem Bildsensorbauteil (102) und dem DSP-Bauteil (104) zu ermöglichen. Das Bildsensorbauteil (102) kann Lichtabschirmungsstrukturen (126) zum Verhindern, dass Referenzphotodioden (116') in dem Bildsensorbauteil (102) Licht empfangen, und pixelinterne Gitterstrukturen (200) zum Verhindern eines Übersprechens zwischen angrenzenden Pixeln (116) einschließen. Die Lichtabschirmungsstruktur (126) kann eine gewünschte Vorspannung durch eine entsprechende TOV (128), eine integrale Steckerstruktur (190) und/oder eine Verbindung empfangen, die mit einem Polysilicium-Gate (192) einen direkten Kontakt aufnimmt. Das pixelinterne Gitter (200) kann einen peripheren Kontakt (200') besitzen, der die gewünschte Vorspannung durch einen Lichtschirm (210), eine leitfähige Brücke (210), eine TOV (300) und/oder ein Aluminiumkontaktfeld (450) empfängt.

89. 发明专利

DE102017200698A1 Abbildungspixel mit einem vollständig verarmten Ladungsübertragungspfad 未知
公开(公告)号：DE102017200698A1
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：DE102017200698
申请日：2017-01-18
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND LLC
发明人： VELICHKO SERGEY , KOROBOV VLADIMIR
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/3745
摘要： Ein Abbildungspixel kann einen vollständig verarmten Ladungsübertragungspfad zwischen einer gepinnten Photodiode und einer Floating-Diffusion-Region besitzen. Eine gepinnte Übertragungsdiode kann zwischen der gepinnten Photodiode und der Floating Diffusion-Region gekoppelt sein. Das Abbildungspixel kann in einem oberen und unteren Substrat mit einer das obere Substrat mit dem unteren Substrat koppelnden Verbindungsschicht ausgebildet sein. Das Abbildungspixel kann eine oder mehrere zwischen der Übertragungsdiode und der Floating-Diffusion-Region gekoppelten Speicherdiode einschließen. Das Abbildungspixel kann verwendet werden, um Bilder mit hohem Dynamikbereich mit Flackermilderung aufzunehmen, mit Lichtquellen synchronisierte Bilder aufzunehmen, oder kann für einen Betrieb mit hoher Einzelbildrate verwendet werden

90. 发明专利

DE102017200859A1 Verfahren und Geräte für ein bildgebendes System 未知
公开(公告)号：DE102017200859A1
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：DE102017200859
申请日：2017-01-19
申请人： SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND LLC
发明人： SHEN RUI
IPC分类号： G06T7/70 , G01C11/00
摘要： Verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Technologie können ein Verfahren und ein Gerät für ein Fahrzeugkamerasystem umfassen, das die Kameraorientierung (d. h. Kipp-, Gier- und Rollwinkel) hinsichtlich des Fahrzeugkoordinatensystems unter Verwendung normal gebräuchlicher Bildaufnahmen kalibriert. Das Verfahren und das Gerät können die Verwendung eines Bildprozessors umfassen, um die Merkmale ausgehend von den Pixeldaten von Einzelbildern zu erkennen, Merkmals-Matching durchzuführen, eine geschätzte Orientierung anzugeben und die Orientierung zu validieren. Ein System, das dieses Verfahren und dieses Gerät verwendet, kann die Kameraorientierung hinsichtlich des Fahrzeugkoordinatensystems an ein peripheres System übertragen.

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