专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

81. 发明专利

DE102010037319A1 Solarzelle mit verbesserter Rückseitenmetallisierungsschicht 未知
公开(公告)号：DE102010037319A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：DE102010037319
申请日：2010-09-03
申请人： CELLS SE Q
发明人： HOFMANN MATTHIAS , METTE ANSGAR , SCHELHASE STEFAN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： Die Erfindung beschreibt eine Solarzelle, welche eine Rückseite sowie eine Rückseitenmetallisierungsschicht aufweist. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Metallisierungsschicht Strukturmaterialien in Form von Nanopartikeln enthält.

82. 发明专利

DE102010017155B4 Solarzelle 未知
公开(公告)号：DE102010017155B4
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：DE102010017155
申请日：2010-05-31
申请人： CELLS SE Q
发明人： ENGELHART PETER DR , SEGUIN ROBERT DR , KESSELS WILHELMUS MATHIJS MARIE , DINGEMANS GIJS
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/055
摘要： Solarzelle, aufweisend ein Halbleitersubstrat mit einer Halbleitersubstratoberfläche und eine Passivierung aus mindestens einer Passivierungsschicht, welche die Halbleitersubstratoberfläche derart oberflächenpassiviert, dass die Rekombinationsaktivität von Ladungsträgern über Oberflächenzustände herabgesetzt ist, wobei die Passivierungsschicht eine Verbindung aus Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid oder Aluminiumoxynitrid umfasst, wobei die Verbindung zumindest ein weiteres Element enthält, welches stöchiometrisch signifikant in der Passivierungsschicht enthalten ist.

83. 发明专利

DE102010016992A1 Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102010016992A1
公开(公告)日：2011-11-24
申请号：DE102010016992
申请日：2010-05-18
申请人： CELLS SE Q
发明人： ENGELHARDT PETER DR , SEGUIN ROBERT DR , KESSELS WILHELMUS MATHIJS MARIE DR , DINGEMANS GIJS DR
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/3105 , H01L31/04
摘要： Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung, umfassend die folgenden Verfahrensschritte: Bereitstellen eines Substrats (3) mit einer Halbleiteroberfläche (31); Bilden einer ersten Passivierschicht (1) aus einem ersten Dielektrikmaterial auf der Halbleiteroberfläche (31); Aufbringen einer zweiten Passivierschicht (2) aus einem zweiten Dielektrikmaterial auf die erste Passivierschicht (1) und/oder auf eine der Halbleiteroberfläche (31) gegenüberliegend angeordneten weiteren Halbleiteroberfläche auf dem Substrat (3); und Unterziehung des Substrates (3) einer Schicht opfernden Behandlung, bei der eine Schichtdicke der zweiten Passivierschicht (2) im Wesentlichen entlang der gesamten Halbleiteroberfläche (31) oder der gesamten weiteren Halbleiteroberfläche um einen überwiegenden Teil der Schichtdicke reduziert wird.

84. 发明专利

DE112009003127A5 MODULARER CARRIER 未知
公开(公告)号：DE112009003127A5
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：DE112009003127
申请日：2009-12-14
申请人： CELLS SE Q
发明人： PETZOLD JOERG , WEGERT FRANK
IPC分类号： H01L21/673

85. 发明专利

DE102010016122A1 Herstellungsverfahren einer Halbleitersolarzelle 未知
公开(公告)号：DE102010016122A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：DE102010016122
申请日：2010-03-24
申请人： CELLS SE Q
发明人： ENGELHART PETER , SEGUIN ROBERT , ERDMANN MATTHIAS
IPC分类号： H01L31/18
摘要： Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren einer Halbleitersolarzelle (1), umfassend die folgenden Verfahrensschritte: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (2) der Halbleitersolarzelle (1); Erzeugen einer Passivierungsdoppelschicht (3, 4) auf einer Oberfläche (22) des Hableitersubstrats (2), indem eine erste Dielektrikschicht (3) aus einem ersten Dielektrikmaterial auf die Oberfläche (22) des Hableitersubstrats (2) aufgebracht wird und auf die erste Dielektrikschicht (3) eine zweite Dielektrikschicht (4) aus einem vom ersten Dielektrikmaterial verschiedenen, zweiten Dielektrikmaterial aufgebracht wird; und einen weiteren Herstellungsschritt umfassend mindestens einen, zwei oder drei aus den folgenden Prozessschritten: ein Texturschritt; ein Diffusionsschritt; und ein Ätzschritt, wobei die Passivierungsdoppelschicht (3, 4) während des weiteren Herstellungsschrittes als Barriereschicht wirkt und das unmittelbar darunter liegende Halbleitersubstrat (2) schützt und wobei die Passivierungsdoppelschicht (3, 4) in der fertigen Halbleitersolarzelle (1) als Passivierungsschicht dient.

86. 发明专利

DE102009044493A1 Solarzelle und Herstellungsverfahren einer Solarzelle 未知
公开(公告)号：DE102009044493A1
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：DE102009044493
申请日：2009-11-10
申请人： CELLS SE Q
发明人： HLUSIAK MARKUS , ENGELHART PETER
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： Die Erfindung betrifft eine Solarzelle und ein Herstellungsverfahren einer Solarzelle, wobei die Solarzelle ein Halbleitersubstrat (3) umfasst, mit einer Substratoberfläche (31), einer auf der Substratoberfläche (31) angeordneten ersten Kontaktschicht (1) aus einem ersten elektrisch leitfähigen Material und einer auf der ersten Kontaktschicht (1) angeordneten und mit der ersten Kontaktschicht (1) elektrisch verbundenen zweiten Kontaktschicht (2) aus einem zweiten elektrisch leitfähigen Material, wobei zwischen der ersten Kontaktschicht (1) und der zweiten Kontaktschicht (2) eine Barriereschicht (4) angeordnet ist, mittels welcher eine stoffliche Vermischung zwischen der ersten Kontaktschicht (1) und der zweiten Kontaktschicht (2) im Wesentlichen verhindert ist.

87. 发明专利

DE102009044060A1 rdnung, Solarzellenstring und Solarzellenmodul 未知
公开(公告)号：DE102009044060A1
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：DE102009044060
申请日：2009-09-20
申请人： KOMAX HOLDING AG , ORTHODYNE ELECTRONICS CORP , CELLS SE Q
发明人： TRAEGER MARKUS , MUELLER JOERG , MEISSER CLAUDIO , LUECHINGER CHRISTOPH
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/05
摘要： Die Erfindung betrifft ein Solarzellenkontaktierungsverfahren sowie eine Solarzellenanordnung mit beidseitig gebondeten Verbindern (33, 34). Das Solarzellenkontaktierungsverfahren umfassend die Verfahrensschritte: Anordnen einer Solarzelle (1) mit einer Auflagefläche (11) auf einem Solarzellenhalter (2) mit einer Halteroberfläche (21) derart, dass Erhöhungen (13) der Auflagefläche (11) der Solarzelle (1) in Vertiefungen (22) der Halteroberfläche (21) eingreifen derart, dass die Halteroberfläche (21) die Solarzelle (1) an Auflageflächenbereichen zwischen den Erhöhungen (13) der Auflagefläche (11) der Solarzelle (1) stützt; Anordnen eines Verbinders (3) auf einer der Auflagefläche (11) gegenüberliegenden Bondfläche (12); und Bonden des Verbinders (3) auf der Bondfläche (12).

88. 发明专利

DE102009036982A1 Verfahren und Vorrichtung zur plasmaunterstützten Gasphasenabscheidung für photovoltaisches Element 未知
公开(公告)号：DE102009036982A1
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：DE102009036982
申请日：2009-08-12
申请人： CELLS SE Q
发明人： EHLING CHRISTIAN , MERZ REINER , ROSTAN JOHANNES PHILIPP
IPC分类号： C23C14/22
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur plasmaunterstützten Gasphasenabscheidung einer amorphen Schicht auf einem kristallinen Photovoltaik-Siliziumsubstrat mittels einer sich zwischen dem Substat und der dem Substrat gegenüberliegenden Elektrode befindlichen - für das Plasma teildurchlässige - Elektrode sowie mittels dieses Verfahrens hergestellte photovoltaische Elemente.

89. 发明专利

DE102009026249A1 Plasma unterstütztes Abscheideverfahren, Halbleitervorrichtung und Abscheidevorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102009026249A1
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：DE102009026249
申请日：2009-07-24
申请人： CELLS SE Q
发明人： SEGUIN ROBERT , KESSELS WILHELMUS MATHIJS MARIE , DINGEMANS GIJS , ENGELHART PETER , HINTZE BERND , SANDEN MAURITIUS CORNELIUS MARIA VAN DE
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/452 , C23C16/52
摘要： Die Erfindung betrifft ein Plasma unterstütztes Abscheideverfahren einer Materialschicht (5), eine Halbleitervorrichtung und eine Abscheidevorrichtung. Bei dem Plasma unterstützten Abscheideverfahren der Materialschicht (5) werden ein erster Ausgangsstoff (7) und ein zweiter Ausgangsstoff (8) gasförmig in eine Reaktionskammer (1) eingeleitet und nehmen an einer chemischen Abscheidereaktion teil, durch die auf einem Oberflächenbereich (4) eines in der Reaktionskammer (1) angeordneten Substrates (3) die Materialschicht (5) deponiert wird, wobei die Einleitung (12) des ersten Ausgangsstoffes (7) und/oder eine Bewegung (22) des Substrates (3) derart vorgenommen wird, dass die Konzentration des ersten Ausgangsstoffes (7) in einem Umgebungsraum (6) oberhalb des Oberflächenbereiches (4) impulsförmig variiert wird und in dem Umgebungsraum (6) zumindest teilweise eine chemische Gasphasenreaktion des ersten Ausgangsstoffes (7) mit einem Reaktionspartner abläuft, und wobei der zweite Ausgangsstoff (8) mittels einer Plasmaentladung für eine chemische Reaktion mit dem ersten Ausgangsstoff (7) aktiviert wird.

90. 发明专利

DE102009027852A1 Dünnschicht-Solarmodul mit verbesserter Zusammenschaltung von Solarzellen sowie Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102009027852A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：DE102009027852
申请日：2009-07-20
申请人： CELLS SE Q
发明人： VERDUGO VICTOR
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/0392 , H01L31/18
摘要： Die Erfindung betrifft ein Dünnschicht-Solarmodul 1, welches mehrere zusammengeschaltete Solarzellen 2 enthält, umfassend in der angegebenen Reihenfolge die Schichten (a) ein Substrat 3; (b) eine erste Elektrodenschicht 4; (c) eine Halbleiterschicht 5 und (d) eine zweite Elektrodenschicht 6; wobei in der ersten Elektrodenschicht 4 mindestens eine erste nichtlineare Ausnehmung 7 angeordnet ist und in der zweiten Elektrodenschicht 6 und in der Halbleiterschicht 5 eine zweite nichtlineare Ausnehmung 8 angeordnet ist, wobei sich eine erste Projektion 9 der ersten nichtlinearen Ausnehmung 7 auf das Substrat 3 und eine zweite Projektion 10 der zweiten nichtlinearen Ausnehmung 8 auf das Substrat 3 in mindestens zwei Projektionspunkten 14, 15 schneindestens einen inselförmigen Kontaktbereich 11 aufweist, der sich in einer zum Substrat 3 vertikalen Richtung über die Schichten (a) bis (d) 3, 4, 5, 6 erstreckt und in einer zum Substrat 3 parallelen Richtung durch die erste Projektion 9 und die zweite Projektion 10 begrenzt ist, und wobei sich in der Halbleiterschicht 5 innerhalb des inselförmigen Kontaktbereichs 11 eine dritte Ausnehmung 12 befindet, die mit einem elektrisch leitfähigen Material gefüllt ist, und sich eine vierte Ausnehmung 20 durch die erste Elektrodenschicht 4, die Halbleiterschicht 5 und die zweite Elektrodenschicht 6 zwischen mindestens zwei inselförmigen Kontaktbereichen 11 erstreckt. Die ...

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式