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81. 发明申请

WO2022092166A1 熱処理環境の評価方法及び炭化ケイ素基板审中-公开
公开(公告)号：WO2022092166A1
公开(公告)日：2022-05-05
申请号：PCT/JP2021/039699
申请日：2021-10-27
申请人：学校法人関西学院 , 豊田通商株式会社
发明人：金子　忠昭 , 堂島　大地
IPC分类号： C30B29/36 , C30B33/02 , H01L21/66
摘要：本発明の解決しようとする課題は、熱処理環境を評価する新規の技術を提供することにある。本発明は、熱処理されたＳｉＣ基板１０の｛０００１｝面の法線Ｎに対して傾斜した入射角度θで電子線ＰＥを入射して画像Ｉを取得する画像取得工程Ｓ２０と、画像Ｉのコントラスト情報Ｃに基いてＳｉＣ基板１０の熱処理環境ＨＥを評価する環境評価工程Ｓ３０と、を含む、熱処理環境の評価方法である。

82. 发明申请

WO2021241145A1 ポリエステル樹脂組成物、それを用いた樹脂成形体、およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2021241145A1
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：PCT/JP2021/017294
申请日：2021-04-30
申请人：東英通商株式会社
发明人：小納　雅幸 , 巽　重夫
IPC分类号： C08K5/103 , C08L67/02 , C08J5/18
摘要：本発明のポリエステル樹脂組成物は、互いに異なるポリエステル（Ａ）およびポリエステル（Ｂ）を含む。ここで、ポリエステル（Ａ）が、エチレングリコール単位とテレフタル酸単位とを含み、ポリエステル（Ｂ）が、エチレングリコール単位とイソフタル酸単位とテレフタル酸単位とを含み、ポリエステル（Ａ）とポリエステル（Ｂ）との質量比（（Ａ）／（Ｂ））が、９０／１０から４０／６０であり、そしてポリエステル（Ｂ）におけるイソフタル酸単位（ＩＰ）とテレフタル酸単位（ＴＰ）のモル比（（ＩＰ）／（ＴＰ））が、１／９９から５／９５である。

83. 发明申请

WO2021210398A1 窒化アルミニウム基板の製造方法、窒化アルミニウム基板及び窒化アルミニウム成長層への転位の導入を抑制する方法审中-公开
公开(公告)号：WO2021210398A1
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：PCT/JP2021/013751
申请日：2021-03-30
申请人：学校法人関西学院 , 東洋アルミニウム株式会社 , 豊田通商株式会社
发明人：金子　忠昭 , 堂島　大地 , 村川　拓 , 松原　萌子 , 西尾　佳高
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/38
摘要：本発明の解決しようとする課題は、成長層への転位の導入を抑制可能な新規の技術を提供することにある。上述した課題を解決する本発明は、炭化ケイ素基板の一部を除去し劣角を含むパターンを形成する加工工程と、前記パターンが形成された前記炭化ケイ素基板上に窒化アルミニウム成長層を形成する結晶成長工程と、を含む、窒化アルミニウム基板の製造方法である。また、本発明は、下地基板上に成長層を形成する前に、前記炭化ケイ素基板の一部を除去し劣角を含むパターンを形成する加工工程を含む、窒化アルミニウム成長層への転位の導入を抑制する方法である。

84. 发明申请

WO2021210397A1 半導体基板の製造方法、半導体基板及び成長層への転位の導入を抑制する方法审中-公开
公开(公告)号：WO2021210397A1
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：PCT/JP2021/013750
申请日：2021-03-30
申请人：学校法人関西学院 , 豊田通商株式会社
发明人：金子　忠昭 , 堂島　大地
IPC分类号： C30B29/38 , C30B23/06
摘要：本発明の解決しようとする課題は、成長層への転位の導入を抑制可能な新規の技術を提供することにある。上述した課題を解決する本発明は、下地基板の一部を除去し劣角を含むパターンを形成する加工工程と、前記パターンが形成された前記下地基板上に成長層を形成する結晶成長工程と、を含む、半導体基板の製造方法である。また、本発明は、下地基板上に成長層を形成する前に、前記下地基板の一部を除去し劣角を含むパターンを形成する加工工程を含む、成長層への転位の導入を抑制する方法である。

85. 发明申请

WO2021187516A1 動物成長促進剤及び家畜用飼料审中-公开
公开(公告)号：WO2021187516A1
公开(公告)日：2021-09-23
申请号：PCT/JP2021/010781
申请日：2021-03-17
申请人：国立大学法人　東京大学 , 川村通商株式会社
发明人：李　俊佑 , 川村　洋一郎
IPC分类号： A61P3/02 , A61K36/22 , A23K10/30 , A23K50/30
摘要：【課題】　従来の抗生物質の代替となり得る、抗生物質フリーの新規な家畜用成長促進剤及び家畜飼料を提供することを課題とする。【解決手段】　ウルシ科樹木の抽出物を含む動物成長促進剤。

86. 发明申请

WO2021060365A1 半導体基板の製造方法及び半導体基板の製造装置审中-公开
公开(公告)号：WO2021060365A1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：PCT/JP2020/036000
申请日：2020-09-24
申请人：学校法人関西学院 , 豊田通商株式会社
发明人：金子　忠昭 , 小島　清
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
摘要：高品質な半導体基板を成長可能な新規の技術を提供することを解決すべき課題とする。　上記課題を解決するため、本発明は、原基板及び原料体を交互に設置する設置工程と、前記原基板及び原料体を加熱し前記原基板上に成長層を形成する加熱工程と、を含む半導体基板の製造方法及びその製造装置を実現する。このような構成とすることで、本発明は、複数の原基板のそれぞれにおいて、所望の成長条件を同時に実現することができるため、高品質な半導体基板を成長可能な新規の技術を提供することができる。

87. 发明申请

WO2021045204A1 包装された魚肉練り製品审中-公开
公开(公告)号：WO2021045204A1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：PCT/JP2020/033644
申请日：2020-09-04
申请人：海商株式会社
发明人：高田　誠
IPC分类号： A23L17/00
摘要：長期間にわたる常温保存が可能で、また食感、食味および風味に優れた、包装された魚肉練り製品を提供すること。　魚肉練り食品を真空包装体中に収納してなる魚肉練り製品であって、前記製品は加熱殺菌処理されたものであり、前記魚肉練り食品はレトルト臭を有さず、かつ、常温保管用である。前記魚肉練り食品は、前記真空包装体中にて、３０±２℃で９０日間保管後において、食品衛生検査指針微生物編（改定第２版、２０１８年）に記載の方法に準拠して検査した際、標準寒天培地を用いて検査した一般生菌数が３００ＣＦＵ／ｇ未満、ＸＭ－Ｇ寒天培地を用いて検査した大腸菌群が陰性、ＸＭ－Ｇ寒天培地を用いて検査した大腸菌が陰性、かつ卵黄加マンニット食塩寒天培地を用いて検査した黄色ブドウ球菌が陰性となる無菌性条件を満たす。

88. 发明申请

WO2020203517A1 大口径半導体基板に適用可能な半導体基板の製造装置审中-公开
公开(公告)号：WO2020203517A1
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：PCT/JP2020/013203
申请日：2020-03-25
申请人：学校法人関西学院 , 豊田通商株式会社
发明人：金子　忠昭
IPC分类号： C30B33/02 , H01L21/324
摘要：直径、又は長径が比較的大きい半導体基板においても、表面を均一に加熱することが可能な半導体基板の製造装置を提供する。　半導体基板を収容する本体容器と、　前記本体容器を収容する加熱室を有する加熱炉と、を備え、　前記加熱炉は、前記加熱室内に配置すべき前記半導体基板に対して交差する方向に加熱源を有する、半導体基板の製造装置。

89. 发明申请

WO2020179796A1 ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法及びその製造装置审中-公开
公开(公告)号：WO2020179796A1
公开(公告)日：2020-09-10
申请号：PCT/JP2020/008967
申请日：2020-03-03
申请人：学校法人関西学院 , 豊田通商株式会社
发明人：金子　忠昭
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06 , C30B33/02 , C30B33/12
摘要：新規なＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法及びその製造装置を提供することを課題とする。　ＳｉＣ基板１０と、このＳｉＣ基板１０よりもドーピング濃度が低いＳｉＣ材料２０とを相対させて加熱し、ＳｉＣ材料２０からＳｉＣ基板１０に原料を輸送してＳｉＣエピタキシャル層１１を形成する。これにより、従来法（化学気相成長法）と比較して、制御するパラメータを削減したＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法を提供することができる。

90. 发明申请

WO2020179795A1 ＳｉＣ基板の製造方法及びその製造装置审中-公开
公开(公告)号：WO2020179795A1
公开(公告)日：2020-09-10
申请号：PCT/JP2020/008966
申请日：2020-03-03
申请人：学校法人関西学院 , 豊田通商株式会社
发明人：金子　忠昭 , 吉田　奈都紀 , 青木　一史
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06 , C30B33/02 , C30B33/12
摘要：変形や破損を抑制しつつ下地基板層が薄いＳｉＣ基板を製造可能なＳｉＣ基板の製造方法及びその製造装置を提供することを課題とする。　ＳｉＣ下地基板１０を収容可能で、加熱によりＳｉ元素を含む気相種及びＣ元素を含む気相種の蒸気圧を内部空間に発生させる本体容器２０と、　前記本体容器２０を収容し、Ｓｉ元素を含む気相種の蒸気圧を内部空間に発生させるとともに温度勾配が形成されるように加熱する加熱炉３０と、を備え、　前記本体容器２０は、前記ＳｉＣ下地基板１０の片面に成長層１１を形成する成長空間Ｓ1と、前記ＳｉＣ下地基板１０の他の片面をエッチングするエッチング空間Ｓ２と、を有することを特徴とする。

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