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81. 发明专利

TW201833692A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201833692A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107119206
申请日：2015-09-22
申请人：日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：宮崎邦浩 , MIYAZAKI, KUNIHIRO , 南健治 , MINAMI, KENJI , 長嶋裕次 , NAGASHIMA, YUJI , 林航之介 , HAYASHI, KONOSUKE
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/311 , B08B3/08
摘要：本發明係一種基板處理裝置及基板處理方法，其中，可實現處理性能之提升及處理液使用量的降低之基板處理裝置及基板處理方法。有關實施形態基板處理裝置(1)係具備：將過氧化氫水之沸點以上的第1溫度之硫酸溶液，供給至基板(W)之第1液供給部(3a)，和將硫酸溶液及過氧化氫水的混合液，係較第1溫度為低之第2溫度之混合液，供給至基板(W)之處理對象面(Wa)的第2液供給部(3b)，和將基板(W)的溫度，呈作為過氧化氫水之沸點以上地，使第1溫度之硫酸溶液供給至第1液供給部(3a)，而基板(W)的溫度則成為第2溫度以上之情況，對於第1液供給部(3a)停止第1溫度之硫酸溶液的供給，而使第2溫度之混合液供給至第2液供給部(3b)的控制部(5)。
简体摘要：本发明系一种基板处理设备及基板处理方法，其中，可实现处理性能之提升及处理液使用量的降低之基板处理设备及基板处理方法。有关实施形态基板处理设备(1)系具备：将过氧化氢水之沸点以上的第1温度之硫酸溶液，供给至基板(W)之第1液供给部(3a)，和将硫酸溶液及过氧化氢水的混合液，系较第1温度为低之第2温度之混合液，供给至基板(W)之处理对象面(Wa)的第2液供给部(3b)，和将基板(W)的温度，呈作为过氧化氢水之沸点以上地，使第1温度之硫酸溶液供给至第1液供给部(3a)，而基板(W)的温度则成为第2温度以上之情况，对于第1液供给部(3a)停止第1温度之硫酸溶液的供给，而使第2温度之混合液供给至第2液供给部(3b)的控制部(5)。

82. 发明专利

TW201815596A 錠劑的印刷裝置及錠劑印刷方法审中-公开
简体标题：锭剂的印刷设备及锭剂印刷方法
公开(公告)号：TW201815596A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106129669
申请日：2017-08-31
申请人：日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：荻本眞一 , OGIMOTO, SHINICHI , 生田亮 , IKUTA, RYO , 岡部由孝 , OKABE, YUTAKA , 青柳均 , AOYAGI, HITOSHI , 星野光 , HOSHINO, HIKARU
IPC分类号： B41M1/40 , A61J3/06
摘要：提供一種，藉由適切地控制為了錠劑的吸引保持而被使用的空氣之吸引，可實現印刷品質之維持的錠劑印刷裝置及錠劑印刷方法。　　實施形態所述之錠劑印刷裝置，係具有：輸送裝置，係將被依序供給的錠劑予以吸引保持而輸送；和印刷頭(H)，係對向於輸送裝置而被設置，對被輸送之錠劑進行印刷；和偵測裝置，係在比印刷頭(H)還靠近上游側而偵測錠劑之姿勢；和印刷狀態確認裝置(33)，係在比印刷頭(H)還靠近下游側而確認印刷狀態。該錠劑印刷裝置，係至少使從偵測位置至印刷狀態確認裝置為止之領域中的對錠劑之吸引力，降到比其他領域還低。
简体摘要：提供一种，借由适切地控制为了锭剂的吸引保持而被使用的空气之吸引，可实现印刷品质之维持的锭剂印刷设备及锭剂印刷方法。　　实施形态所述之锭剂印刷设备，系具有：输送设备，系将被依序供给的锭剂予以吸引保持而输送；和印刷头(H)，系对向于输送设备而被设置，对被输送之锭剂进行印刷；和侦测设备，系在比印刷头(H)还靠近上游侧而侦测锭剂之姿势；和印刷状态确认设备(33)，系在比印刷头(H)还靠近下游侧而确认印刷状态。该锭剂印刷设备，系至少使从侦测位置至印刷状态确认设备为止之领域中的对锭剂之吸引力，降到比其他领域还低。

83. 发明专利

TWI616339B 基板貼合裝置、顯示面板製造裝置及顯示面板製造方法有权
简体标题：基板贴合设备、显示皮肤制造设备及显示皮肤制造方法
公开(公告)号：TWI616339B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW103141299
申请日：2014-11-28
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：田辺昌平 , TANABE, SHOHEI , 瀧澤洋次 , TAKIZAWA, YOJI , 西垣寿 , NISHIGAKI, HISASHI
IPC分类号： B32B37/12 , B32B37/26 , C09J5/00

84. 发明专利

TW201807763A 壓接裝置审中-公开
简体标题：压接设备
公开(公告)号：TW201807763A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106126622
申请日：2017-08-08
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：野田明孝 , NODA, AKITAKA
IPC分类号： H01L21/603 , H01L21/60
摘要：本發明提供一種壓接裝置，相對於安裝於基板側面的電極的電子零件壓接印刷基板而可確保電性連接。具有：支撑部（200），將爲側面具有電極（11）的平板狀、且在側面的電極（11）上安裝有電子零件（2）的基板（1）以電子零件（2）垂下的方式支撑爲水平狀態；保持部（300），保持印刷基板（3）；推壓部（400），在基板（1）支撑於支撑部（200）的狀態下，相對於保持於保持部（300）的印刷基板（3）推壓電子零件（2）；以及支承部（600），與推壓部（400）相向配置，且在與推壓部（400）之間夾持電子零件（2）及印刷基板（3）。
简体摘要：本发明提供一种压接设备，相对于安装于基板侧面的电极的电子零件压接印刷基板而可确保电性连接。具有：支撑部（200），将为侧面具有电极（11）的平板状、且在侧面的电极（11）上安装有电子零件（2）的基板（1）以电子零件（2）垂下的方式支撑为水平状态；保持部（300），保持印刷基板（3）；推压部（400），在基板（1）支撑于支撑部（200）的状态下，相对于保持于保持部（300）的印刷基板（3）推压电子零件（2）；以及支承部（600），与推压部（400）相向配置，且在与推压部（400）之间夹持电子零件（2）及印刷基板（3）。

85. 发明专利

TWI612165B 成膜裝置以及成膜工件製造方法有权
简体标题：成膜设备以及成膜工件制造方法
公开(公告)号：TWI612165B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW105107278
申请日：2016-03-10
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：福岡洋太郎 , FUKUOKA, YOTARO , 八木聡介 , YAGI, SOSUKE
IPC分类号： C23C14/50
CPC分类号： C23C14/542 , C23C14/34 , C23C14/505 , H01J37/32403 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/3417 , H01J37/347 , H01J2237/332

86. 发明专利

TW201802917A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201802917A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106106833
申请日：2017-03-02
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：齊藤裕樹 , SAITO, YUKI , 林航之介 , HAYASHI, KONOSUKE , 大田垣崇 , OOTAGAKI, TAKASHI , 長嶋裕次 , NAGASHIMA, YUJI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306
摘要：本發明藉由有效率地生成亞硝酸，可生成具有適於蝕刻的亞硝酸濃度的蝕刻液，而提升蝕刻的效率。本發明之基板處理裝置是使用包含氫氟酸及硝酸的蝕刻液來處理半導體晶圓，其中具有：儲存槽，儲存蝕刻液；濃度感測器，測量蝕刻液中的亞硝酸濃度；醇供給部，將異丙醇供給至蝕刻液，使亞硝酸濃度維持在預定值以上；及基板處理單元，將儲存槽內的蝕刻液供給至半導體晶圓。
简体摘要：本发明借由有效率地生成亚硝酸，可生成具有适于蚀刻的亚硝酸浓度的蚀刻液，而提升蚀刻的效率。本发明之基板处理设备是使用包含氢氟酸及硝酸的蚀刻液来处理半导体晶圆，其中具有：存储槽，存储蚀刻液；浓度传感器，测量蚀刻液中的亚硝酸浓度；醇供给部，将异丙醇供给至蚀刻液，使亚硝酸浓度维持在预定值以上；及基板处理单元，将存储槽内的蚀刻液供给至半导体晶圆。

87. 发明专利

TWI604896B 接液處理裝置，接液處理方法，基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：接液处理设备，接液处理方法，基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI604896B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW104107224
申请日：2015-03-06
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：西部幸伸 , NISHIBE, YUKINOBU , 磯明典 , ISO, AKINORI
IPC分类号： B05B12/08 , G02F1/1337

88. 发明专利

TWI601202B 基板之處理裝置及處理方法有权
简体标题：基板之处理设备及处理方法
公开(公告)号：TWI601202B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW104113076
申请日：2012-12-22
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：林航之介 , HAYASHI, KONOSUKE , 松井繪美 , MATSUI, EMI , 大田垣崇 , OOTAGAKI, TAKASHI , 檜森洋輔 , HIMORI, YOSUKE
IPC分类号： H01L21/306

89. 发明专利

TW201735095A 等離子體處理裝置审中-公开
简体标题：等离子体处理设备
公开(公告)号：TW201735095A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106109641
申请日：2017-03-23
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：加茂克尚 , KAMO, YOSHINAO
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/50 , C23C14/0068 , C23C14/0078 , C23C14/505 , C23C14/54 , C23C16/458 , H01J37/32082 , H01J37/32513 , H01J37/32532 , H01J37/32541 , H01J37/32559 , H01J37/32651 , H01J37/32779 , H01J37/32899 , H01J37/3417
摘要：本發明提供一種等離子體處理裝置，包括：筒形電極，具有作爲設有開口部的一端的下端與作爲被封閉的另一端的上端，內部導入工藝氣體，通過施加電壓而使所述工藝氣體等離子體化；以及作爲具有開口的真空容器的腔室，上端經由絕緣構件而安裝於開口的筒形電極在腔室的內部延伸存在。而且，等離子體處理裝置包括：作爲搬送部的旋轉平台，將利用工藝氣體受到處理的工件搬送至筒形電極的開口部之下；護罩，隔著間隙覆蓋在真空容器的內部延伸存在的筒形電極；以及間隔件，設置於筒形電極與護罩的間隙中且包含絕緣材料。
简体摘要：本发明提供一种等离子体处理设备，包括：筒形电极，具有作为设有开口部的一端的下端与作为被封闭的另一端的上端，内部导入工艺气体，通过施加电压而使所述工艺气体等离子体化；以及作为具有开口的真空容器的腔室，上端经由绝缘构件而安装于开口的筒形电极在腔室的内部延伸存在。而且，等离子体处理设备包括：作为搬送部的旋转平台，将利用工艺气体受到处理的工件搬送至筒形电极的开口部之下；护罩，隔着间隙覆盖在真空容器的内部延伸存在的筒形电极；以及间隔件，设置于筒形电极与护罩的间隙中且包含绝缘材料。

90. 发明专利

TWI597769B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI597769B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW103109915
申请日：2014-03-17
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：林航之介 , HAYASHI, KONOSUKE , 古矢正明 , FURUYA, MASAAKI , 大田垣崇 , OOTAGAKI, TAKASHI , 長嶋裕次 , NAGASHIMA, YUJI , 木名瀬淳 , KINASE, ATSUSHI , 安部正泰 , ABE, MASAHIRO
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/6776

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