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71. 发明授权

KR102167974B1 유도성 소자를 작동하기 위한 방법 및 장치 有权
公开(公告)号：KR102167974B1
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：KR1020167006596
申请日：2014-07-16
申请人： 로베르트 보쉬 게엠베하
发明人： 두카트안톤 , 엑카르트위르겐
IPC分类号： H03K17/73 , H03K17/74 , H03K17/13 , F02M51/06 , H02M3/335 , H02M1/34

72. 发明公开

KR1020160086047A 게이트 구동 회로 审中-实审
标题翻译：门控驱动电路
公开(公告)号：KR1020160086047A
公开(公告)日：2016-07-19
申请号：KR1020150003197
申请日：2015-01-09
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 방성만 , 허창재
IPC分类号： H03K17/73 , H03K17/08
CPC分类号： H03K17/73 , H03K17/08
摘要： 본발명의일 실시예에따른게이트구동회로는입력전압을입력받고, 제1 게이트신호및 제2 게이트신호를생성하는인버터부; 상기제1 게이트신호및 상기제2 게이트신호에따라출력전압을출력하는출력부; 상기제1 게이트신호를입력받고, 상기입력전압의상승천이시상기출력부와미러회로를형성하여상기출력부의전류를조절하는제1 바이어스부; 및상기제2 게이트신호를입력받고, 상기입력전압의하강천이시상기출력부와미러회로를형성하여상기출력부의전류를조절하는제2 바이어스부를포함할수 있다.
摘要翻译：根据本发明的实施例的栅极驱动器电路包括：逆变器单元，用于接收输入电压并产生第一栅极信号和第二栅极信号; 输出单元，用于根据第一门信号和第二门信号输出输出电压; 第一偏置单元，用于在输入电压的上升过渡期间通过与输出单元形成镜像电路来接收第一门信号并调节输出单元的电流; 以及第二偏置单元，用于在输入电压的下降转变期间通过与输出单元形成镜电路来接收第二栅极信号并调节输出单元的电流。本发明的栅极驱动器电路可以在最小化功耗的同时调节输出电压的转换速率。

73. 发明公开

EP1292841A1 SCHALTUNGSANORDNUNG ZUR ERZEUGUNG POSITIVER UND NEGATIVER PULSFÖRMIGER MAGNETFELDER 审中-公开
标题翻译：电路，用于产生正负脉冲状磁性FIELDS
公开(公告)号：EP1292841A1
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：EP01953792.7
申请日：2001-06-19
申请人： Forschungszentrum Rossendorf e.V. , Institut für Festkörper- und Werkstofforschung Dresden e.V.
发明人： KRUG, Hans , ECKERT, Dieter
IPC分类号： G01R33/385 , H03K17/73
CPC分类号： G01R33/3852
摘要： The aim of the invention is to provide especially large devices for producing positively and negatively pulsed magnetic fields at a greatly reduced cost. The invention relates to a circuit which substantially consists of a capacitor battery, a high-field solenoid, a protection choke, a thyristor switch, a crowbar diode, a crowbar resistor, and several separating contacts. The invention is characterised in that: a) only one individual high voltage supply unit (I1) having only one voltage polarity is available to feed the capacitor battery (C1), b) during potential equalisation, the positive terminal of the capacitor battery (C1) is connected to the earth by means of a high-impedance resistance (RX), c) a circuit comprising several separating contacts which are used to rearrange said circuit is located between the capacitor battery (C1) and the high-field solenoid (L1) in such a way that the input pertaining to the thyristor switch (X1) which is used to produce the positively or negatively pulsed magnetic field can be connected to the respective live terminal of the capacitor battery (C1) as opposed to the earth terminal.

74. 发明授权

EP0251428B1 SCR priming and sweep-out circuit apparatus 失效
标题翻译： SCR启动和扫除电路装置
公开(公告)号：EP0251428B1
公开(公告)日：1993-09-01
申请号：EP87302450.9
申请日：1987-03-23
申请人： MEGAPULSE INCORPORATED
发明人： Ver Planck, Peter
IPC分类号： H03K17/73
CPC分类号： H03K17/0403 , H03K17/732 , H03K2217/0036

75. 发明授权

EP0158903B1 Capacitive load driving device 失效
标题翻译：电力负载驱动装置
公开(公告)号：EP0158903B1
公开(公告)日：1990-12-05
申请号：EP85103824.0
申请日：1985-03-29
申请人： HITACHI, LTD. , Hitachi Engineering Co., Ltd.
发明人： Okutsu, Mitsuhiko , Shimura, Tatsuo , Kariya, Tadaaki
IPC分类号： H03K17/73
CPC分类号： H03K17/0403 , H03K17/732

76. 发明公开

EP0280536A3 Turn-on driving technique for insulated gate thyristor 失效
标题翻译：绝缘闸门开启/关闭驱动技术
公开(公告)号：EP0280536A3
公开(公告)日：1990-10-10
申请号：EP88301593.5
申请日：1988-02-24
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Ogura, Tsuneo c/o Patent Division , Nakagawa, Akio c/o Patent Division
IPC分类号： H01L29/749 , H03K17/73
CPC分类号： H01L29/102 , H01L29/0834 , H01L29/744 , H01L29/749 , H03K17/732
摘要： There is disclosed a specific turn-on/off driving technique for an insulated gate thyristor which has a first gate electrode (24) insulatively provided above a first base layer (14) and functioning as a gate (G1) of MOSFET (Q), and a second gate electrode (G2) formed on the second base layer. To drive the turn-on of the thyristor, a first voltage for conducting MOSFET (Q) is applied to the first gate electrode (G1), while substantially simultaneously a second voltage for forwardly biasing between the second base layer (14) and a second emitter layer (18) is applied to the second gate electrode (G2). To turn-off drive the thyristor (10), a third voltage for reversely biasing between the second emitter layer (18) and the second base layer (16) to stop the operation of the thyristor is applied to the second gate (G2), while the MOSFET (Q) is kept conductive. The thyristor starts turning off in response to the voltage application. At this time, charge carriers exhausted from the second emitter layer (18) are allowed to flow into the first base layer (14) through the channel region (CH) of the MOSFET (Q), thereby suppressing the local concentration of the turn-off current in the thyristor (10).

77. 发明公开

EP0320784A3 Verfahren und Anordnungen zur Ansteuerung eines Abschaltthyristors 失效
标题翻译：控制GTO THYRISTOR的方法
公开(公告)号：EP0320784A3
公开(公告)日：1990-07-18
申请号：EP88120489.5
申请日：1988-12-08
申请人： Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft
发明人： Fregien, Gert
IPC分类号： H03K17/73
CPC分类号： H03K17/732 , H03K17/08124 , H03K2217/0036
摘要： Bei diesem Verfahren zur Ansteuerung eines Abschaltthyristors (1) erfolgt der Abschaltvorgang wie üblich durch Einprägen eines negativen Gatestromes (iG). Um eine verbesserte Nutzung des Abschaltthyristors und der ansteuernden Treiberstufe (2) zu gewährleisten, wird vorgeschlagen, die negative Treiberspannung (UGKX) auf einen kleineren Wert abzusenken, sobald der Anodenstrom (iA) abgefallen ist, d.h. sobald die Speicherzeit (ts) beendet ist. Die Absenkung kann in einer Stufe, in mehreren Stufen oder stufenlos nach einer verzögernden Zeitfunktion erfolgen. Die negative Treiberspannung wird vorzugsweise auf einen Wert zwischen 4V und 7V abgesenkt. Zur Ermittlung des exakten Zeitpunktes (t₃) für die Spannungsabsenkung kann die Gate-Kathodenspannung (UGK) herangezogen werden. Durch die vorgeschlagene Spannungsabsenkung wird die im Thyristor in Wärme umgesetzte Verlustleistung reduziert, wodurch sich eine deutlich verminderte Gatesteuerleistung (PSt) und Treiberstufenleistung (PTs) ergeben.

78. 发明公开

EP0320784A2 Verfahren und Anordnungen zur Ansteuerung eines Abschaltthyristors 失效
标题翻译： Verfahren und Anordnungen zur Ansteuerung eines Abschaltthyristors。
公开(公告)号：EP0320784A2
公开(公告)日：1989-06-21
申请号：EP88120489.5
申请日：1988-12-08
申请人： Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft
发明人： Fregien, Gert
IPC分类号： H03K17/73
CPC分类号： H03K17/732 , H03K17/08124 , H03K2217/0036
摘要： Bei diesem Verfahren zur Ansteuerung eines Abschaltthyristors (1) erfolgt der Abschaltvorgang wie üblich durch Einprägen eines negativen Gatestromes (iG). Um eine verbesserte Nutzung des Abschaltthyristors und der ansteuernden Treiberstufe (2) zu gewährleisten, wird vorgeschlagen, die negative Treiberspannung (UGKX) auf einen kleineren Wert abzusenken, sobald der Anodenstrom (iA) abgefallen ist, d.h. sobald die Speicherzeit (ts) beendet ist. Die Absenkung kann in einer Stufe, in mehreren Stufen oder stufenlos nach einer verzögernden Zeitfunktion erfolgen. Die negative Treiberspannung wird vorzugsweise auf einen Wert zwischen 4V und 7V abgesenkt. Zur Ermittlung des exakten Zeitpunktes (t₃) für die Spannungsabsenkung kann die Gate-Kathodenspannung (UGK) herangezogen werden. Durch die vorgeschlagene Spannungsabsenkung wird die im Thyristor in Wärme umgesetzte Verlustleistung reduziert, wodurch sich eine deutlich verminderte Gatesteuerleistung (PSt) und Treiberstufenleistung (PTs) ergeben.
摘要翻译：在这种用于控制栅极截止晶闸管（1）的方法中，通过施加负栅极电流（iG），照常进行关断处理。为了确保栅极关断晶闸管和驱动驱动级（2）的利用率得到提高，建议在阳极电流（iA）下降时，将负驱动电压（UGKX）降低到更小的值，也就是说，一旦存储时间（ts）完成。降低可以在一个步骤中，在几个步骤中或在延迟时间功能之后连续地实现。负驱动器电压优选地降低到4V和7V之间的值。栅极 - 阴极电压（UGK）可用于确定降低电压的精确时间（t3）。所提出的降压降低了晶闸管中转换成热量的功耗，导致明显降低的栅极控制功率（PSt）和驱动级功率（PT）。

79. 发明公开

EP0311839A1 Abschaltbares Halbleiterbauelement sowie Schaltungsanordnung mit diesem Bauelement 失效
标题翻译： Abschaltbares Halbleiterbauelement sowie Schaltungsanordnung mit diesem Bauelement。
公开(公告)号：EP0311839A1
公开(公告)日：1989-04-19
申请号：EP88115945.3
申请日：1988-09-28
申请人： BBC Brown Boveri AG
发明人： Grüning, Horst, Dr.
IPC分类号： H01L29/72 , H03K17/73 , H03K17/78
CPC分类号： H03K17/567 , H01L29/7392 , H03K17/73 , H03K17/79
摘要： Bei einem feldgesteuerten Thyristor (FCTh) werden durch geeignete Auslegung der Gate-Kathoden-Struktur normally-OFF-Eigenschaften realisiert, die zu vereinfachten Schaltungsanordnungen beim Betrieb des Bauelements führen.
摘要翻译：在场控制的晶闸管（FCTh）中，通过栅极 - 阴极结构的合适设计来实现通过在该器件的操作中简化电路布置的常关的特性。

80. 发明授权

EP0112096B1 Gate circuit for gate turn-off thyristor 失效
标题翻译：门电路闸门电路
公开(公告)号：EP0112096B1
公开(公告)日：1988-11-17
申请号：EP83307318.2
申请日：1983-12-01
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Nagataka, Seki Patent Div. Tokyo Shibaura
IPC分类号： H03K17/73
CPC分类号： H02M1/06 , H03K17/723

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