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71. 发明授权

KR100735857B1 노광방법 失效
标题翻译：曝光方法
公开(公告)号：KR100735857B1
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：KR1020000063523
申请日：2000-10-27
申请人： 소니 주식회사
发明人： 마쓰자와노부유키 , 오이즈미히로아키
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2039 , G03F7/0757 , Y10S430/167 , Y10S430/168
摘要： 극자외선(極紫外線)(EUV)의 파장영역에서의 레지스트층의 광투과율을 향상하여, 이제까지 이상의 극미세(極微細) 가공을 가능하게 하는 반도체의 극미세 가공을 위한 노광방법이다. 레지스트층을 선택적으로 X선으로 노광(露光)하는 데 있어서, 레지스트층을 구성하는 고분자 재료로서, 기존 레지스트 재료인 수소원자의 최소한 일부를 알킬기(基)를 함유하는 치환기(置換基) 및/또는 방향족환(芳香族環)을 함유하는 치환기에 의해 치환된 고분자 재료를 사용한다. 고분자 재료의 수소원자를 알킬기를 함유하는 치환기나 방향족환을 함유하는 치환기로 치환함으로써, 그 결과 고분자 재료를 구성하는 원자 전체에 차지하는 산소원자의 비율이 상대적으로 적어져, 고분자 재료 전체의 광학적인 흡수가 억제된다.
레지스트층, X선, 고분자 재료, 수소원자, 산소원자.
摘要翻译：对于在极紫外（EUV）光的波长范围内的抗蚀剂层的透光率得到改善以使得超细加工比常规方法更加精细化的半导体的超细加工的曝光方法。在将抗蚀剂层选择性地暴露于X射线时，使用通过含有烷基和/或含有芳环的取代基取代含有烷基和/或取代基的原有抗蚀剂材料的至少一部分氢原子获得的高分子材料作为抗蚀剂层的高分子材料。通过用含有烷基或含有芳环的取代基取代高分子材料的氢原子，高分子材料的原子中氧原子的比例变得相对较小，以抑制整个高分子量的光吸收材料。

72. 发明公开

KR1020060044803A 전자선, ＥＵＶ광 또는 Ｘ선용 포지티브 레지스트 조성물 및 이를 사용한 패턴형성법 有权
标题翻译：与电子束，EUV光或X射线一起使用的正极性组合物和使用其的图案形成方法
公开(公告)号：KR1020060044803A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：KR1020050025227
申请日：2005-03-26
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 미즈타니가즈요시
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0046 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S430/167 , Y10S430/168
摘要： (A)활성광선 또는 방사선을 처리하여 산을 발생시키는 화합물; 및 (B)산의 작용에 의해 알칼리성 현상액에서의 (B)수지의 용해성이 증대되는 수지를 포함하는 포지티브형 레지스트 조성물에 있어서, (B)수지가 불소 치환된 알콜 잔기에 연결된 지환식기를 갖는 반복단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자선, EUV광 또는 X선용 포지티브형 레지스트 조성물.

73. 发明公开

KR1020030023191A 나노미터 수준의 고정밀 패턴 형성방법 失效
标题翻译：高精度纳米尺寸图形的形成方法
公开(公告)号：KR1020030023191A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：KR1020010056221
申请日：2001-09-12
申请人： 학교법인 포항공과대학교
发明人： 박준원 , 나영혜 , 문중호 , 김봉수 , 강태희 , 김기정
IPC分类号： G03F7/00 , B82B3/00 , B82B1/00
CPC分类号： G03F7/0045 , B81B2201/0214 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G03F7/0755 , G03F7/165 , G03F7/2039 , H01L21/0337 , H01L21/312 , Y10S430/168 , Y10T428/261
摘要： PURPOSE: A method for forming the nanometer-sized pattern of high precision is provided, to obtain the pattern sectioned by hydrophilic and hydrophobic parts rapidly by using a self-assembling monolayer. CONSTITUTION: The method comprises the steps of forming an aromatic imine molecular layer having a substituted terminal ring on a substrate; cutting the substituent of the aromatic imine molecular layer selectively; and hydrolyzing it. Preferably the aromatic imine molecular layer having a substituted terminal ring is formed by reacting the amine group of the aminosilane or aminothiol molecular layer self-assembled on the substrate with an aromatic aldehyde having a substituted terminal ring. The aromatic aldehyde having a substituted terminal ring is represented by the formula 1, 2, 3 or 4, wherein X is NO2, F, Cl, Br or I. Preferably the substrate is made of silica or gold; and the substituent is cut by using photomask or a soft X-ray.
摘要翻译：目的：提供一种形成高精度纳米尺寸图案的方法，通过使用自组装单层快速获得亲水和疏水部分切片图案。构成：该方法包括在基材上形成具有取代的末端环的芳族亚胺分子层的步骤; 选择性地切割芳族亚胺分子层的取代基; 并水解。优选地，具有取代的末端环的芳香族亚胺分子层通过将自组装在基材上的氨基硅烷或氨基硫醇分子层的胺基与具有取代的末端环的芳族醛反应而形成。具有取代的末端环的芳族醛由式1,2,3或4表示，其中X是NO 2，F，Cl，Br或I.优选地，底物由二氧化硅或金制成; 并且通过使用光掩模或软X射线切割取代基。

74. 发明公开

KR1020020054120A 열산 발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물을 이용하여포토레지스트 패턴 폭 감소 현상을 개선하는 방법 失效
标题翻译：使用包含热酸发生器的光电组合物改善光电子图形宽度沉降法的方法
公开(公告)号：KR1020020054120A
公开(公告)日：2002-07-06
申请号：KR1020000082823
申请日：2000-12-27
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 공근규 , 박규동 , 정재창 , 신기수
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0395 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S430/143 , Y10S430/168
摘要： PURPOSE: A method for improving a photoresist pattern width slimming phenomenon is provided to easily determine a critical dimension target, by using a photoresist composition including a thermal acid generator and by heating a pattern formed after a developing process. CONSTITUTION: The photoresist composition including the thermal acid generator is applied on an etch target layer to form a photoresist layer. An exposure process is performed on the photoresist layer. The resultant structure is developed to form the pattern, and then the pattern is heated. The photoresist composition includes chemically amplified photoresist resin, a light acid generator, the thermal acid generator and an organic solvent.
摘要翻译：目的：提供一种改善光致抗蚀剂图案宽度减肥现象的方法，通过使用包含热酸发生剂的光致抗蚀剂组合物和通过加热在显影过程之后形成的图案来容易地确定临界尺寸目标。构成：将包含热酸发生剂的光致抗蚀剂组合物施加在蚀刻目标层上以形成光致抗蚀剂层。在光致抗蚀剂层上进行曝光处理。将所得结构显影以形成图案，然后将图案加热。光致抗蚀剂组合物包括化学放大的光致抗蚀剂树脂，轻酸发生剂，热酸产生剂和有机溶剂。

75. 发明公开

KR1020010041139A 마스크 패턴 이미징 방법, 리쏘그래피 투사 장치 및 리쏘그래피 마스크 无效
标题翻译：掩模图案成像方法，光刻投影装置和光刻掩模
公开(公告)号：KR1020010041139A
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：KR1020007009187
申请日：1999-12-13
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 브라트조세퍼스제이엠 , 베르호벤잔
IPC分类号： G03F1/22 , G03F1/76
CPC分类号： H05G2/00 , G03F1/22 , G03F1/24 , G03F7/70008 , G03F7/70375 , Y10S430/143 , Y10S430/167 , Y10S430/168
摘要： 본발명에따라기판(W) 상에투사될마스크패턴(22)에조명을비추기위한리쏘그래피투사장치에사용되는 EUV 조사소스유닛(10)이제공된다. EUV 조사소스유닛(10)은전자소스(12)와소스의전자가 EUV 체렌코프조사 (PB)를생성하도록하는매체를포함한다. 체렌코프조사의파장과투사시스템(30)의거울(31-34)의다층구조는서로적응되어, 이들거울이최대반사율을나타내게끔한다. 매체는마스크(MA)의일부를형성하여거울콘덴서시스템이더 이상필요없도록한다. 이런방식으로소스로부터기판으로의조사 (PB)의효율적인전송을얻을수 있다.

76. 发明授权

KR1019900003254B1 X-선 노출 마스크 失效
标题翻译： X射线曝光面具
公开(公告)号：KR1019900003254B1
公开(公告)日：1990-05-12
申请号：KR1019870000696
申请日：1987-01-28
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 나까가와껜지
IPC分类号： H01L21/308
CPC分类号： G03F1/22 , Y10S430/168
摘要： An X-ray exposure mask able to be aligned during patterning by using a light beam comprises (a) a substrate translucent to Xrays and light, (b) an electrically conductive layer which is also translucent to X-rays and light, (c) stencil means on (b), as patterns located on the 1st parts and apertures on the 2nd parts, to form the semiconductor chip patterns on a wafer, the stencil being translucent to the light beam, (d) a metal layer 1-67 Angstroms thick and translucent to light and X-rays, the 1st portion of which is formed on the 2nd parts of (b) and the 2nd portion on the stencil means and (e) an X-ray absorption means on the 1st portion of (d) in the apertures of the stenicl patterns.
摘要翻译：（a）与X射线和光透射的基板，（b）对X射线和光也是半透明的导电层，（c）可以通过使用光束在图案化期间对准的X射线曝光掩模，在（b）上的模板装置，作为位于第二部分上的第一部分和孔上的图案，以在晶片上形成半导体芯片图案，模板对于光束是半透明的，（d）金属层1-67埃厚度和半透明的光和X射线，其第一部分形成在（b）的第二部分和模板装置上的第二部分，以及（e）在（d）的第一部分上的X射线吸收装置）在stenicl图案的孔中。

77. 发明专利

TWI300790B 聚合物,抗蝕刻劑組合物,及形成圖案之方法 POLYMERS, RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS 有权
简体标题：聚合物,抗蚀刻剂组合物,及形成图案之方法 POLYMERS, RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TWI300790B
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：TW091103652
申请日：2002-02-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. , 中央硝子股份有限公司 CENTRAL GLASS CO., LTD.
发明人：原田裕次 HARADA, YUJI , 渡邊淳 WATANABE, JUN , 山潤 HATAKEYAMA, JUN , 河合義夫 KAWAI, YOSHIO , 子勝 SASAGO, MASARU , 遠藤政孝 ENDO, MASAYUKI , 岸村真治 KISHIMURA, SHINJI , 大谷充孝 OOTANI, MICHITAKA , 宮澤覺 MIYAZAWA, SATORU , 堤憲太郎 TSUTSUMI, KENTARO , 前田一彥 MAEDA, KAZUHIKO
IPC分类号： C08L , G03F
CPC分类号： C08F220/22 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/108 , Y10S430/126 , Y10S430/168
摘要：在此提供一種內含經氟化脂環族單位的酯基團之基材
聚合物。一種其中包含此聚合物的光阻組合物係敏感於高
能量輻射線,且在低於200 nm之波長具有卓越的敏
感性,因為經氟化脂環族單位加入而有的透明度之顯著改
良,與令人滿意的電漿蝕刻抗性。此光阻組合物在F2雷
射曝光波長之下具有低的吸收,且可理想地作為VLSI
製造中的微圖案化材料。
简体摘要：在此提供一种内含经氟化脂环族单位的酯基团之基材聚合物。一种其中包含此聚合物的光阻组合物系敏感于高能量辐射线,且在低于200 nm之波长具有卓越的敏感性,因为经氟化脂环族单位加入而有的透明度之显着改良,与令人满意的等离子蚀刻抗性。此光阻组合物在F2雷射曝光波长之下具有低的吸收,且可理想地作为VLSI 制造中的微图案化材料。

78. 发明专利

TW573215B 減低圖案化光阻材料中邊緣粗糙度的方法失效
简体标题：减低图案化光阻材料中边缘粗糙度的方法
公开(公告)号：TW573215B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW090127263
申请日：2001-11-02
申请人：艾克塞利斯科技公司 AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：約翰史考特哈洛克 JOHN SCOTT HALLOCK , 羅伯特道格拉斯莫洪洛 MOHONDRO, ROBERT DOUGLAS
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/40 , Y10S430/143 , Y10S430/168
摘要：一種用於降低圖案化光阻材料表面粗糙的製程。該製程包含有將具有該圖案化光阻材料位於其上的基板暴露於蒸氣，其中該蒸氣會滲入該光阻材料表面中及/或與其反應。接著將具有該圖案化光阻材料位於其上的該基板加熱至足以使該光阻材料表面產生流動及/或與該蒸氣反應的溫度一段時間，其中該表面粗糙會降低。在該製程期間，該基板係視需要而曝露於輻射，以增加該光阻材料的抗蝕刻性及/或促使該蒸氣與該光阻材料表面反應。
简体摘要：一种用于降低图案化光阻材料表面粗糙的制程。该制程包含有将具有该图案化光阻材料位于其上的基板暴露于蒸气，其中该蒸气会渗入该光阻材料表面中及/或与其反应。接着将具有该图案化光阻材料位于其上的该基板加热至足以使该光阻材料表面产生流动及/或与该蒸气反应的温度一段时间，其中该表面粗糙会降低。在该制程期间，该基板系视需要而曝露于辐射，以增加该光阻材料的抗蚀刻性及/或促使该蒸气与该光阻材料表面反应。

79. 发明专利

JP4130516B2 Products for industrial radiography 有权
公开(公告)号：JP4130516B2
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：JP14780399
申请日：1999-05-27
申请人：ケアストリームヘルス,インコーポレイティド
发明人：モーリスドロワンジェラール , ルシルジャック
IPC分类号： G03C1/00 , G03C1/005 , G03C1/035 , G03C1/10 , G03C1/34 , G03C1/74 , G03C5/16 , G03C5/17
CPC分类号： G03C5/17 , G03C1/0051 , G03C1/10 , G03C1/34 , G03C5/16 , G03C2001/03511 , G03C2007/3025 , Y10S430/167 , Y10S430/168
摘要： This invention concerns a non-spectral sensitized radiographic product for exposure to ionizing radiation of energy equal to at least 40 keV containing at least 50 mg/dm , which comprises a support covered with on at least one of its sides with a layer of silver halide emulsion in which at least 50% of the grains are tabular grains, and at least 0.05 mmol/mol Ag of a compound of formula wherein R and R are each independently an atom of hydrogen, an alkyl group comprising from 1 to 5 atoms of carbon, substituted or not, a hydroxyl group, or a benzyl group; R and R are each independently a hydrogen, or an alkyl group from 1 to 5 atoms of carbon, or jointly comprise the atoms necessary to form a heterocycle of 4 to 6 atoms, substituted or not. The product for industrial radiography of the invention provides an improved keeping of the latent image and higher speed.

80. 发明专利

JP2007510962A Ultra-high-speed imaging assemblies for radiography 审中-公开
公开(公告)号：JP2007510962A
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：JP2006539708
申请日：2004-11-08
申请人：イーストマンコダックカンパニー
发明人：ジョンステクレンスキー，デイビッド , エドワードディッカーソン，ロバート , カーターバンチ，フィリップ
IPC分类号： G03C1/00 , G03C1/005 , G03C1/035 , G03C1/047 , G03C1/46 , G03C1/795 , G03C1/83 , G03C5/02 , G03C5/16 , G03C5/17
CPC分类号： G03C5/16 , G03C1/0051 , G03C1/047 , G03C1/46 , G03C1/7954 , G03C5/17 , G03C2001/0055 , G03C2001/03511 , G03C2001/0478 , G03C2200/27 , Y10S430/167 , Y10S430/168
摘要：改良されたコントラストおよび鮮鋭度並びに低減されたカブリを伴う画像を提供する、1100以上の全体システム・スピードを有する対称的なラジオグラフィ・ハロゲン化銀フィルムを含んで成るラジオグラフィ画像形成集成体。画像形成集成体は、支持体の各側に、平板上ハロゲン化銀を含む少なくとも少なくとも２種類のハロゲン化銀乳剤を有する700以上のスピードを有する対称的なラジオグラフィフィルムを有する。支持体により近い乳剤は好適なクロスオーバー制御剤を含む。また画像形成集成体は、図4の基準曲線Aよりも大きい平均スクリーン鮮鋭度測定値を有する一対の燐光増感スクリーンも含む。このスクリーンは、連続的なポリエステル相とポリエステル相内に分散された無機粒子を含有するマイクロボイドとを含む反射基層を含む支持体を有することができる。

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