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71. 发明授权

CN1109364C 与电路相集成的光接收元件失效
公开(公告)号：CN1109364C
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN97119246.4
申请日：1997-09-30
申请人：夏普株式会社
发明人：泷本贵博 , 福永直树 , 久保胜
IPC分类号： H01L27/14
CPC分类号： H01L27/144 , H01L31/02024
摘要：与电路集成的光接收元件，包括：I型导电半导体基底；在该基底上的II型导电的第一半导体层；把该层分成多个II型导电区的I型导电的第一半导体层；由分隔开的半导体区和下方基底区构成的光探测部分，由多个光探测部分构成一个分隔光电二极管；仅在I型导电的第一层附近和形成各个光探测部分的基底区中形成的II型导电的第二半导体层；在II型导电的第一层的表面区，包括分隔区形成的I型导电的第二半导体层，覆盖第二层的上方。

72. 发明公开

CN1292933A 半导体位置探测器失效
公开(公告)号：CN1292933A
公开(公告)日：2001-04-25
申请号：CN98814037.3
申请日：1998-10-13
申请人：浜松光子学株式会社
发明人：竹下辰夫 , 榊原正之
IPC分类号： H01L31/16 , G01C3/06
CPC分类号： G01D5/26 , G01C3/08 , G01S3/781 , G01S3/783 , H01L31/02024
摘要：由于构成基干导电层的多个电阻区域的宽度随着从一端朝向另一端前进而变宽,其各自的电阻率实质上是相同的,故如果把本半导体位置探测器配置为使得相应于来自位于远距离处的被测定物的光而产生的电荷流入宽度窄的电阻区域,则即便是在入射光位置因被测定物的距离的变化而在受光面上只进行微小的移动的情况下,由于宽度窄的电阻区域的电阻值高,故来自基干导电层两端的输出电流变化得也大,因而将提高位置测定精度。

73. 发明公开

CN1185659A 与电路相集成的光接收元件失效
公开(公告)号：CN1185659A
公开(公告)日：1998-06-24
申请号：CN97119246.4
申请日：1997-09-30
申请人：夏普株式会社
发明人：泷本贵博 , 福永直树 , 久保胜
IPC分类号： H01L27/14
CPC分类号： H01L27/144 , H01L31/02024
摘要：与电路集成的光接收元件,包括:Ⅰ型导电半导体基底;在该基底上的Ⅱ型导电的第一半导体层;把该层分成多个Ⅱ型导电区的Ⅰ型导电的第一半导体层;由分隔开的半导体区和下方基底区构成的光探测部分,由多个光探测部分构成一个分隔光电二极管;仅在Ⅰ型导电的第一层附近和形成各个光探测部分的基底区中形成的Ⅱ型导电的第二半导体层;在Ⅱ型导电的第一层的表面区,包括分隔区形成的Ⅰ型导电的第二半导体层,覆盖第二层的上方。

74. 发明授权

CN1006099B 有位敏探测器的信息读/写系统失效
公开(公告)号：CN1006099B
公开(公告)日：1989-12-13
申请号：CN86102770
申请日：1986-04-21
申请人：菲利浦光灯制造公司
发明人：霍伯雷克斯·阿瑟·玛丽·尤金 , 诺拉·戴特·简·威廉
IPC分类号： G11B7/05 , H01L3/02 , H01L27/14
CPC分类号： G11B7/1359 , G11B7/0916 , G11B7/094 , G11B7/13 , G11B7/133 , G11B7/1381 , H01L27/1446 , H01L31/02024
摘要：在一种用于在一记录载体的辐射反射表面上读取和/或写入信息的系统中，一聚焦误差探测系统配备以一位置灵敏辐射探测器，在工作条件下，其半导体本体至少包含一位于两附有联接电极的辐射灵敏二极管间的高欧姆电阻区，一位于两个附有联接电极的半导体区之间的高欧姆电阻区，可以这样方法改变加在联接电极的电压实现表现对中，使通过二极管的光电流相等。由此得到的信号可提供给如用于光学读取和写入装置及其它测置装置的测量和控制系统中。

75. 发明公开

KR1020100049677A 태양 복사의 입사 방향 및 강도를 탐지하기 위한 태양 센서 无效
标题翻译：用于检测入射方向和太阳辐射强度的太阳传感器
公开(公告)号：KR1020100049677A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：KR1020107006883
申请日：2008-08-28
申请人： 베르-헬라 테르모콘트롤 게엠베하
发明人： 크닛텔,오토 , 스티흐,베른트 , 트라프,랄프 , 나겔,디르크
IPC分类号： G01J1/42 , B60H1/00
CPC分类号： H01L31/02024 , G01J1/4228 , G01J2001/4266 , G01S3/781 , G01S3/783 , H01L31/0203 , H01L31/02325 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： Disclosed is a solar sensor for detecting the direction of incidence and the intensity of solar radiation. Said solar sensor comprises a housing (12) made of a plastic material that is permeable to at least some of the solar radiation. The housing (12) has a curved side facing the incident solar radiation, optically acts as a lens, and has an internal focal plane defined by the lens characteristics thereof. The solar sensor further comprises at least two photosensors (16) that are embedded in the plastic material of the housing (12) and each have a sensor area (18) sensitive at least to the part of the radiation to which the plastic material is permeable. The sensor areas (18) of the photosensors (16) are disposed substantially parallel to the focal plane in front of or behind the focal plane from the perspective of the side facing the incident solar radiation. The direction of incidence of the solar radiation can be determined based on the intensities of the solar radiation received by the sensor areas (18) of the photosensors (16).
摘要翻译：公开了一种用于检测入射方向和太阳辐射强度的太阳能传感器。所述太阳能传感器包括由塑料材料制成的壳体（12），其可透过至少一些太阳辐射。壳体（12）具有面对入射的太阳辐射的弯曲侧，光学地用作透镜，并且具有由其透镜特性限定的内部焦平面。太阳能传感器还包括至少两个光电传感器（16），其被嵌入在壳体（12）的塑料材料中，并且每个具有至少对塑料材料可渗透的辐射部分敏感的传感器区域（18）。光电传感器（16）的传感器区域（18）从面向入射太阳辐射的一侧的角度基本平行于焦平面前方或焦点平面上方设置。可以基于由光电传感器（16）的传感器区域（18）接收的太阳辐射的强度来确定太阳辐射的入射方向。

76. 发明授权

KR1019950009930B1 방사 감지 디바이스 및 그 제조방법 失效
标题翻译：辐射检测装置
公开(公告)号：KR1019950009930B1
公开(公告)日：1995-09-01
申请号：KR1019870003319
申请日：1987-04-08
申请人： 에이티 앤드 티 코포레이션
发明人： 크라이드지베디아 , 다니엘브라젠 , 로날드하워드윌렌즈
IPC分类号： G01T7/00
CPC分类号： G01T1/24 , G01T1/2928 , H01L31/02024 , H01L31/101 , H01L31/115
摘要： 내용 없음.

77. 发明申请

WO2009087531A1 LIGHT SENSOR WITH INTENSITY AND DIRECTION DETECTION 审中-公开
标题翻译：具有强度和方向检测的光传感器
公开(公告)号：WO2009087531A1
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：PCT/IB2008/055547
申请日：2008-12-26
申请人： NXP B.V. , SOUCHKOV, Vitali , VAN DALEN, Robert , O'MATHUNA, Padraig
发明人： SOUCHKOV, Vitali , VAN DALEN, Robert , O'MATHUNA, Padraig
IPC分类号： G01J1/02 , G01J1/04 , G01J1/06 , G01J1/16
CPC分类号： G01J1/1626 , G01J1/02 , G01J1/0209 , G01J1/0219 , G01J1/0228 , G01J1/0266 , G01J1/04 , G01J1/0407 , G01J1/0437 , G01J1/06 , G01J1/4228 , G01J1/4257 , G01S3/784 , G02F1/13318 , H01L27/14623 , H01L31/02024 , H01L31/02164
摘要： A light sensor and light sensing system to detect an intensity of incident light and an angle of incidence of the incident light. The light sensor includes a dielectric layer, a plurality of photo detectors coupled relative to the dielectric layer, and a plurality of stacks of opaque slats embedded within the dielectric layer. The dielectric layer is substantially transparent to the incident light. The photo detectors detect the incident light through the dielectric layer. The stacks of opaque slats are approximately parallel to an interface between the dielectric layer and the photo detectors. The stacks of opaque slats define light apertures between adjacent stacks of opaque slats. At least some of the stacks of opaque slats are arranged at a non-zero angle relative to other stacks of the opaque slats.
摘要翻译：光传感器和光感测系统，用于检测入射光的强度和入射光的入射角。光传感器包括电介质层，相对于电介质层耦合的多个光电检测器以及嵌入电介质层内的多个不透明板条堆叠。电介质层对入射光基本上是透明的。光电检测器通过介电层检测入射光。不透明板条的堆叠大致平行于电介质层和光电检测器之间的界面。不透明板条的堆叠在相邻的不透明板条堆之间限定了光孔。至少一些不透明板条的堆叠相对于不透明板条的其它堆叠以非零角度布置。

78. 发明申请

WO2008068616A8 STACKED COLOUR PHOTOSENSITIVE STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：堆叠颜色感光结构
公开(公告)号：WO2008068616A8
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：PCT/IB2007003906
申请日：2007-12-05
申请人： MILANO POLITECNICO , LONGONI ANTONIO , ZARAGA FEDERICO , LANGFELDER GIACOMO
发明人： LONGONI ANTONIO , ZARAGA FEDERICO , LANGFELDER GIACOMO
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/02 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/14647 , H01L31/02024 , H01L31/10
摘要： There is described a structure which is photosensitive to the colour of light radiation; said structure being formed by a semiconductor substrate (1) having a first type of conductivity and the substrate is adapted to generate a different distribution of carriers upon incidence of a light radiation as the depth varies as a function of the at least two wave lengths of light radiation. The structure comprises at least one first (2, 11) and one second element (2, 12, 13), both arranged in the substrate and adapted to collect the generated carriers; both the first (2, 11) and the second (2, 12, 13) element being adapted to generate first and second electrical signals (Ib, Ig, Ir) as a response to the amount of collected carriers. The structure comprises means (11-13, V1-V3) adapted to generate an electrical field (Eo) orthogonal to the upper surface of the substrate and further means (11-13, V1-V3) adapted to generate an electrical field (Et) transversal to the structure and parallel to its upper surface; said means (11-13, V1-V3) in combination with said further means (11-13, V1-V3) are adapted to generate a resulting electrical field such as to determine different trajectories (31-33) for the carriers within the substrate as a function of the at least two wave lengths of the incident light radiation. The trajectories are directed towards the first element (2, 11) or towards the second element (2, 12, 13).
摘要翻译：描述了对光辐射的颜色感光的结构; 所述结构由具有第一类型导电性的半导体衬底（1）形成，并且所述衬底适于随着随着所述至少两个波长的函数的深度变化而在光辐射入射时产生不同的载流子分布光辐射。该结构包括至少一个第一（2,11）和一个第二元件（2,12,13），两个布置在衬底中并且适于收集所生成的载体; 第一（2,11）和第二（2,13,13）元件都适于产生第一和第二电信号（Ib，Ig，Ir）作为对所收集的载体量的响应。该结构包括适于产生与衬底的上表面正交的电场（Eo）的装置（11-13，V1-V3），以及适于产生电场的Et（11-13，V1-V3））横向于结构并平行于其上表面; 与所述另外的装置（11-13，V1-V3）组合的所述装置（11-13，V1-V3）适于产生所产生的电场，例如为了确定所述电场内的载波的不同轨迹（31-33）衬底作为入射光辐射的至少两个波长的函数。轨迹指向第一元件（2,11）或朝向第二元件（2,13,13）。

79. 发明申请

WO2007042191A2 OPTOELEKTRONISCHER SENSOR 审中-公开
标题翻译：光电传感器
公开(公告)号：WO2007042191A2
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：PCT/EP2006/009609
申请日：2006-10-04
申请人： IC-HAUS GMBH , HERZ, Manfred
发明人： HERZ, Manfred
IPC分类号： G01V8/20
CPC分类号： G01V8/12 , G01C3/08 , H01L27/1443 , H01L27/1446 , H01L31/02024 , H01L31/103 , H01L31/12
摘要： Um einen neuartigen optoelektronischen Sensor zu schaffen, stellt der Sensor (30), insbesondere zum Einsatz in einem Reflexionslichttaster, wenigstens ein Halbleitersubstrat (35), welches wenigstens einen lichtempfindlichen Bereich, wenigstens zwei Sammelzonen (50, 60) und eine elektrisch ansteuerbare Einrichtung (40-43, 70-73) zum Erzeugen von wenigstens zwei unterschiedlich ausgerichteten Driftfeldern aufweist, wobei im Betrieb die Driftfelder zumindest teilweise zwischen den Sammelzonen (50, 60) verlaufen, zur Verfügung.
摘要翻译：为了提供一种新颖的光电传感器，所述传感器（30），特别是用于在一个反射的光扫描器的使用，至少一种包括至少一个光感应区域，至少两个收集区域（50，60）和电控装置（40半导体基板（35） -43，70-73），用于产生至少两个不同取向漂移场，所述漂移场在操作中，收集区之间的至少部分（50，60）延伸，是可用的。

80. 发明申请

WO2007032165A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007032165A1
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：PCT/JP2006/315837
申请日：2006-08-10
申请人：ソニー株式会社 , 荒井千広
发明人：荒井千広
IPC分类号： H01L31/10 , H01L21/76 , H01L21/761 , H01L21/762 , H01L27/12 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1443 , H01L21/76283 , H01L27/1203 , H01L27/14 , H01L27/1446 , H01L31/02024
摘要：　半導体基板（１１）上に複数のフォトダイオード（２０）を有する半導体装置（１）であって、複数のフォトダイオード（２０（２０ａ、２０ｂ））のカソード（２２）と共通のアノード（２１）とが半導体基板（１１）と電気的に独立して形成されていて、複数のフォトダイオード（２０）は共通のアノード（２１）と複数の分離されたカソード（２２）を有し、共通のアノード（２１）からの出力を複数に分割されたフォトダイオード（２０）の加算出力と等価に扱う、または複数のフォトダイオードは共通のカソードと複数の分離されたアノードを有し、共通のカソードからの出力を複数に分割されたフォトダイオードの加算出力と等価に扱うものである。フォトダイオードのアノードとカソードとを基板から電気的に完全分離することで、ノイズ特性の低減、クロストークの低減を可能とする。
摘要翻译：半导体器件（1）在半导体衬底（11）上具有多个光电二极管（20）。光电二极管（20（20a，20b））具有与半导体衬底（11）电独立形成的阴极（22）和公共阳极（21）。在具有公共阳极（21）和分离的阴极（22）的光电二极管中，来自公共阳极（21）的输出被处理为等于分离的光电二极管（20）的输出的总和。或者，多个光电二极管具有公共阴极和多个分离的阳极，并且来自公共阴极的输出被视为等于分离的光电二极管的输出的总和。光电二极管的阳极和阴极与衬底完全隔离，从而可以降低噪声和串扰。

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