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71. 发明申请

WO2014056550A1 PHOTOCATHODE SEMI-TRANSPARENTE À TAUX D'ABSORPTION AMÉLIORÉ 审中-公开
标题翻译：具有改进的吸收率的半透明光刻胶
公开(公告)号：WO2014056550A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：PCT/EP2012/070313
申请日：2012-10-12
申请人： PHOTONIS FRANCE
发明人： NÜTZEL, Gert , LAVOUTE, Pascal
IPC分类号： H01J1/34 , H01J40/06 , H01J40/16
CPC分类号： H01J1/34 , H01J40/06 , H01J40/16 , H01J43/02
摘要： L' invention concerne une photocathode (1) semi-transparente pour détecteur de photons présentant un taux d' absorption augmenté pour un taux de transport préservé. Selon l'invention, la photocathode (1) comporte un réseau de diffraction (30) en transmission apte à diffracter lesdits photons et disposé dans la couche support (10) sur laquelle est déposée la couche photoémissive (20).
摘要翻译：本发明涉及一种用于光子检测器的半透明光电阴极（1），其表现出对于保留的传输速率的增加的吸收率。根据本发明，光电阴极（1）包括能够衍射所述光子并且设置在沉积有发光层（20）的支撑层（10）中的透射衍射光栅（30）。

72. 发明申请

WO2013045877A1 BRIGHT SOURCE PROTECTION FOR LOW LIGHT IMAGING SENSORS 审中-公开
标题翻译：低光成像传感器的光源保护
公开(公告)号：WO2013045877A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/GB2012/000745
申请日：2012-09-27
申请人： THE SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE
发明人： BURGESS, Christopher, David , HILL, Lee
IPC分类号： H01J31/50 , H01J31/26
CPC分类号： H01J40/16 , H01J31/26 , H01J31/507 , H01J43/246 , H01L27/14625
摘要： This invention relates to a low light imaging sensors and particularly image intensification and CMOS sensors. To overcome issues of dazzle and halo when operating in areas where the scene encompasses bright light sources, the invention provides material layers in contact with the detector material to spatially limit the generation or subsequent diffusion of electrons in said detector material. This allows the imaging sensor to perform as normal under bright conditions, maintaining the operator's scene awareness and spatial acuity.
摘要翻译：本发明涉及低光成像传感器，特别涉及图像增强和CMOS传感器。为了克服在场景包含明亮光源的区域中操作时的眩目和晕圈的问题，本发明提供与检测器材料接触的材料层，以空间限制电子在所述检测器材料中的产生或随后的扩散。这允许成像传感器在明亮的条件下正常运行，保持操作者的场景感知和空间敏锐度。

73. 发明申请

WO2007102471A1 光電面、それを備える電子管及び光電面の製造方法审中-公开
标题翻译：光电表面，包含它们的电子管和用于生产光电表面的方法
公开(公告)号：WO2007102471A1
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：PCT/JP2007/054206
申请日：2007-03-05
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 山下真一 , 渡辺宏之 , 鈴木秀明 , 鈴木健吾
发明人：山下真一 , 渡辺宏之 , 鈴木秀明 , 鈴木健吾
IPC分类号： H01J1/34 , H01J9/12 , H01J40/16
CPC分类号： H01J9/12 , H01J1/34 , H01J40/16
摘要： Disclosed is a photoelectric surface wherein the quantum efficiency is improved. Specifically disclosed is a photoelectric surface (10) comprising a light transmissive substrate (12) composed of a quartz glass or a borosilicate glass, an intermediate layer (14) composed of hafnium oxide (HfO 2 ), a foundation layer (16) composed of an oxide of manganese, magnesium or titanium, and a photoelectron-emitting layer (18) composed of a compound of an alkali metal and antimony. The intermediate layer composed of hafnium oxide prevents the alkali metal contained in the photoelectron-emitting layer from moving into the light transmissive substrate, thereby contributing to improvement of the quantum efficiency.
摘要翻译：公开了一种提高量子效率的光电表面。具体公开了包括由石英玻璃或硼硅酸盐玻璃构成的透光性基板（12）的光电面（10），由氧化铪（HfO 2/2）构成的中间层（14）由锰，镁或钛的氧化物构成的基底层（16）和由碱金属和锑的化合物构成的光电子发射层（18）。由氧化铪组成的中间层防止光电子发射层中所含的碱金属移动到透光基板中，从而有助于提高量子效率。

74. 发明申请

WO2005027178A1 電子管审中-公开
标题翻译：电子管
公开(公告)号：WO2005027178A1
公开(公告)日：2005-03-24
申请号：PCT/JP2004/013130
申请日：2004-09-09
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 須山本比呂 , 久嶋浩之 , 根木康晴 , 深澤宏仁 , 河合克彦 , 江川康幸 , 内山篤 , 木村末則
发明人：須山本比呂 , 久嶋浩之 , 根木康晴 , 深澤宏仁 , 河合克彦 , 江川康幸 , 内山篤 , 木村末則
IPC分类号： H01J40/04
CPC分类号： H01J40/16 , H01J9/233
摘要： An electron tube (1) in which one end of an insulating tube (9) projects toward the inside part of an enclosure (2), and an avalanche photodiode (APD) (15) is provided to the one end of the insulating tube (9). The other end of the insulating tube (9) is connected to an outer stem (6) of the enclosure (2). An alkali source (27) is disposed inside the enclosure (2) so as to produce alkaline metal vapor and to form a photoelectric surface (11) in a predetermined area of the inner wall of the enclosure (2). The alkali source (27) is separated from the insulating tube (9) by separating members (21', 23', 26). The alkaline metal vapor produced when the electron tube (1) is fabricated does not deposit on the insulating tube (9) because of the presence of the separating members (21', 23', 26). The withstanding voltage between the enclosure (2) and the APD (15) does not lower, and deterioration of the efficiency of entrance of electrons into the APD (15) because of the adverse effect on the electric field inside the electron tube (1) in prevented.
摘要翻译：一种电子管（1），其中绝缘管（9）的一端向壳体（2）的内部突出，并且雪崩光电二极管（APD）（15）设置在绝缘管的一端 9）。绝缘管（9）的另一端连接到外壳（2）的外杆（6）。在外壳（2）的内部设置有碱源（27），以便产生碱金属蒸气并在外壳（2）的内壁的预定区域中形成光电表面（11）。碱源（27）通过分离构件（21'，23'，26）与绝缘管（9）分离。当制造电子管（1）时产生的碱金属蒸气由于存在分离构件（21'，23'，26）而不沉积在绝缘管（9）上。由于对电子管（1）内的电场的不利影响，外壳（2）和APD（15）之间的耐电压不降低，并且电子进入APD（15）的入射效率的劣化，在防止。

75. 发明申请

WO98043275A1 VACUUM DIODE WITH HIGH SATURATION CURRENT DENSITY AND QUICK RESPONSE TIME FOR DETECTING ELECTROMAGNETIC RADIATION 审中-公开
标题翻译：具有高饱和电流密度的真空二极管和用于检测电磁辐射的快速响应时间
公开(公告)号：WO98043275A1
公开(公告)日：1998-10-01
申请号：PCT/FR1998/000564
申请日：1998-03-20
IPC分类号： H01J40/16
CPC分类号： H01J40/16
摘要： The invention concerns a vacuum diode with high saturation current density and quick response time for detecting electromagnetic radiation, comprising a cylindrical grid (6) and a photocathode (4) extending along the cylinder axis (X). The photocathode comprises part of the inner conductor of the coaxial cable (8), said coaxial cable outer conductor and electrically insulating material being eliminated opposite this part, and the grid is electrically connected to said coaxial cable outer conductor, the inner and outer conductors being coaxial. The invention is applicable to the detection of visible infrared, ultraviolet and X-radiation.
摘要翻译：本发明涉及一种具有高饱和电流密度的真空二极管和用于检测电磁辐射的快速响应时间，包括圆柱形格栅（6）和沿气缸轴线（X）延伸的光电阴极（4）。光电阴极包括同轴电缆（8）的内部导体的一部分，所述同轴电缆外部导体和电绝缘材料与该部分相反地消除，电网电连接到所述同轴电缆外部导体，内部和外部导体为同轴。本发明适用于可见红外，紫外和X射线的检测。

76. 发明专利

JP6224114B2 吸収率を改善した半透明光電陰極有权
公开(公告)号：JP6224114B2
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：JP2015535996
申请日：2012-10-12
申请人：フォトニフランス
发明人：ニュッツェル,ゲルト , ラヴォート,パスカル
IPC分类号： H01J1/34
CPC分类号： H01J1/34 , H01J40/06 , H01J40/16 , H01J43/02

77. 发明专利

JP2016126839A 光電面、光電変換管、イメージインテンシファイア、及び光電子増倍管审中-公开
标题翻译：光电表面，光电转换管，图像增强器和光电管
公开(公告)号：JP2016126839A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：JP2014264384
申请日：2014-12-26
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：佐々木達夫
IPC分类号： H01J43/28 , H01J31/50 , H01L31/0264 , H01J29/38
CPC分类号： H01J1/34 , H01J1/78 , H01J29/38 , H01J31/50 , H01J40/06 , H01J40/16
摘要：【課題】光電面の紫外線帯域における感度を向上させる。【解決手段】光電面1は、紫外線を透過する窓材2と、窓材2に形成され、導電性を有する導電膜3と、導電膜3に形成され、MgF 2 からなる中間膜4と、中間膜4に形成され、CsTeからなる光電変換膜6と、を備える。光電面1は、MgF 2 からなる中間膜4を備えるので、紫外線帯域の感度が向上する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高UV带中的光电表面的灵敏度。解决方案：光电表面1包括：允许UV光透射的窗口材料2; 导电膜3，形成在窗材料2上，具有导电性; 形成在导电膜3上的由MgF制成的中间层4; 以及形成在由CsTe制成的中间层4上的光电转换膜6。由于光电表面1包括由MgF制成的中间层4，所以在UV带中的灵敏度得到改善。选择图1：

78. 发明专利

JP2016502729A 収差補正およびイオンダメージ軽減のためのイメージインテンシファイア管設計审中-公开
标题翻译：图像增强管设计用于像差校正和离子损伤减少
公开(公告)号：JP2016502729A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2015530002
申请日：2013-08-28
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：シーマンジアン , シーマンジアン , チンリー , チンリー , スティーブンビエラック , スティーブンビエラック
IPC分类号： H01J31/50
CPC分类号： H01J40/16 , H01J31/50
摘要：本開示は、像面歪曲収差補正およびイオンダメージ軽減のためのイメージインテンシファイア管設計に関する。いくつかの実施形態において、フォトカソードからシンチレーティングスクリーンへの加速経路を定める電極は、加速経路の少なくとも一部に沿ってオフアクシス電子に関してより高い加速度を提供するように構成される。その結果、オフアクシス電子およびオンアクシス電子はほぼ均一にシンチレーティングスクリーンに集束し、像面歪曲収差を防止または軽減する。いくつかの実施形態において、電極は、シンチレーティングスクリーンによって放出または偏向された二次電子がフォトカソードに向かって流れ、ダメージを与えるイオンを形成することを防止するために、シンチレーティングスクリーン付近に反発電界を生じるように構成される。
摘要翻译：本发明涉及一种图像增强管设计用于场曲率像差校正和减少离子损伤。在一些实施方案中，从光电阴极至闪烁屏限定加速度路径的电极被配置成提供更高的加速度相对于离轴电子沿着加速路径的至少一部分。其结果是，离轴电子和在轴的电子基本上均匀地聚焦在屏幕闪烁，防止或减少场曲率像差。在一些实施方案中，电极将流动通过朝向光电阴极的一种闪烁屏发射或偏转的二次电子，以防止离子损伤的形成，反弹附近的闪烁屏配置以产生电场。

79. 发明专利

JP2015536522A 吸収率を改善した半透明光電陰極有权
标题翻译：一种具有改进的吸收率半透明光电阴极
公开(公告)号：JP2015536522A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：JP2015535996
申请日：2012-10-12
申请人：フォトニフランス , フォトニフランス
发明人：ニュッツェル，ゲルト , ラヴォート，パスカル
IPC分类号： H01J1/34
CPC分类号： H01J1/34 , H01J40/06 , H01J40/16 , H01J43/02
摘要：本発明は、輸送率を維持するための高い吸収率を有する光子検出器のための半透明光電陰極(1)に関する。本発明によれば、光電陰極(1)は、前記光子を回折することができるとともに、支持体層(10)内に設けられた透過回折格子(30)を有し、支持体層(10)には、光電子放出層(20)が付着される。
摘要翻译：本发明涉及一种半透明光电阴极具有用于保持传输速率（1）一个高吸收率的光子检测器。根据本发明，光电阴极（1），所以能够衍射光子，具有设置在所述支撑层的支撑层（10）上的透射衍射光栅（30）（10）光电子放出层（20）被附接。

80. 发明专利

JP2005085673A Electron tube 有权
标题翻译：电子管
公开(公告)号：JP2005085673A
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：JP2003318159
申请日：2003-09-10
申请人： Hamamatsu Photonics Kk , 浜松ホトニクス株式会社
发明人： SUYAMA MOTOHIRO , KUSHIMA HIROYUKI , KIMURA SUENORI , NEGI YASUHARU , FUKAZAWA HIROHITO , KAWAI KATSUHIKO , UCHIYAMA ATSUSHI , EGAWA YASUYUKI
IPC分类号： H01J43/18 , H01J40/04 , H01J40/14 , H01J40/16 , H01J43/28
CPC分类号： H01J40/16
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron tube easy to handle at the time of use and with high safety.
SOLUTION: An insulating cylinder 9 is protruded toward inside of an envelope 2 of the electron tube. One end of the insulating cylinder 9 is connected to the envelope 2. The other end of the insulating cylinder 9 is provided with an APD 15. Grounding voltage is impressed on the envelope 2, and positive high voltage on the APD 15. Photoelectrons discharged by light incident on a photoelectric surface 11 are converged by an electric field inside the envelope 2 and emitted to the APD 15, which are amplified and detected. Since the positive high voltage is not exposed to the envelope 2, the tube is easy to handle with high safety.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供在使用时易于处理并具有高安全性的电子管。解决方案：绝缘筒9向电子管的外壳2的内部突出。绝缘筒9的一端连接到外壳2.绝缘筒9的另一端设有APD 15.接地电压施加在外壳2上，并且在APD 15上施加正高电压。由入射在光电表面11上的光被包络线2内的电场会聚，并发射到被放大和检测的APD 15。由于正高压不暴露于外壳2，所以管易于处理，安全性高。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

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