专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

71. 发明专利

ZA8508547B ARCHITECTURAL COATING WITH INTERFERENCE COLORS 未知
公开(公告)号：ZA8508547B
公开(公告)日：1987-06-24
申请号：ZA8508547
申请日：1985-11-06
申请人： PPG INDUSTRIES INC
发明人： CRISS RUSSEL CALDWELL
IPC分类号： C03C17/36 , C23C14/00 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C28/00 , F24J2/40 , C03C , C23C , F24J
CPC分类号： C03C17/3607 , C03C17/36 , C03C17/3613 , C03C17/3626 , C03C17/3642 , C03C17/3652 , C03C17/366 , C03C17/3681 , C23C14/0015 , C23C14/085 , C23C14/087 , C23C14/18 , F24S50/80 , Y02B10/20 , Y02E10/40 , Y10T428/12576 , Y10T428/12611 , Y10T428/12618 , Y10T428/31507
摘要： A transparent article for reflecting solar energy comprising a metal oxide film which exhibits color by absorption and interference effects and a highly reflective metal film is disclosed along with a sputtering method for its production.

72. 发明专利

JPWO2013157286A1 超電導成膜用基材及び超電導線並びに超電導線の製造方法有权
标题翻译：制造超导膜形成基板的方法和超导导线和超导线材
公开(公告)号：JPWO2013157286A1
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：JP2013527815
申请日：2013-02-06
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：義則長洲 , 義則長洲 , 樋口　優 , 優樋口 , 久樹坂本 , 久樹坂本
IPC分类号： H01B12/06 , H01B13/00
CPC分类号： H01B12/04 , C23C14/024 , C23C14/028 , C23C14/087 , H01B13/30 , H01L39/143 , H01L39/24 , H01L39/2454 , Y10T428/24488
摘要：テープ状の超電導成膜用基材であって、超電導層を含む積層体を成膜するための成膜面と、前記成膜面の反対側の面である裏面と、前記成膜面と前記裏面に連なる一対の端面と、前記成膜面、前記裏面及び前記一対の端面に連なる一対の側面と、を有し、前記一対の側面が、前記成膜面の縁部から前記裏面側に向かって前記成膜面の面内方向において外側に広がる広がり面をそれぞれ含む、超電導成膜用基材が開示される。また、超電導線、及び超電導線の製造方法も開示される。
摘要翻译：形成基体的带形的超导膜，形成包括超导层的叠层膜形成表面，和后表面，其中一个表面相对的沉积表面，和被附着面的一对端部的表面连续到后表面，所述成膜面具有一对连接到侧表面中的所述后表面和所述一对端面，所述一对侧面，朝向从沉积表面的边缘的后侧包括向外延伸的扩展面，分别，超导膜形成基板在沉积表面Te组成的面内方向上所公开的。此外，超导线材和超导线材的制造方法中公开。

73. 发明专利

JP5787779B2 導電性フィルムロールの製造方法有权
公开(公告)号：JP5787779B2
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：JP2012012717
申请日：2012-01-25
申请人：日東電工株式会社
发明人：藤野望 , 鷹尾寛行 , 石橋邦昭
IPC分类号： H01B13/00 , B32B7/02 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/56 , C23C14/06
CPC分类号： B32B38/08 , B32B38/00 , C23C14/086 , C23C14/087 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/562 , C23C28/322 , C23C28/345 , C23C28/42 , B32B2038/0092 , B32B2307/202 , Y10T156/10

74. 发明专利

JP5756405B2 酸化物超電導導体用配向膜下地層の成膜方法、酸化物超電導導体用配向膜付き基材の製造方法、酸化物超電導導体用配向膜付き基材、および酸化物超電導導体用配向膜下地層の成膜装置有权
标题翻译：形成用于底涂层中的氧化物超导体取向层的方法，一种制造氧化物超导体取向膜基板，取向膜基材的氧化物超导体的方法，以及用于下伏层的氧化物超导导体取向层的成膜装置
公开(公告)号：JP5756405B2
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：JP2011535444
申请日：2010-10-07
申请人：株式会社フジクラ
发明人：羽生智 , 飯島康裕
IPC分类号： H01B12/06 , H01B13/00 , C01F5/02 , C01G1/00 , C01G3/00 , C23C14/34
CPC分类号： H01L39/2461 , C23C14/081 , C23C14/087 , C23C14/3464 , C23C14/46 , C23C14/562 , Y02T50/67

75. 发明专利

JP5509816B2 Separator, the battery and the microporous membrane using the same 有权
公开(公告)号：JP5509816B2
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：JP2009271632
申请日：2009-11-30
申请人：ソニー株式会社
发明人：雅弘澤口 , 政志目黒 , 賢平塚 , 義之渕上
IPC分类号： H01M2/16
CPC分类号： H01M2/145 , B82Y30/00 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/087 , C23C14/32 , C23C14/34 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/408 , C23C16/448 , C23C16/505 , H01M2/1646 , H01M2/1653 , H01M2/1686
摘要： A separator includes a porous body, and a particle membrane that is formed on at least one principal surface of the porous body. The particle membrane is made of inorganic particles, and has a void formed therein by the inorganic particles. The particle membrane has a porosity that is non-uniform in the thickness direction thereof.

76. 发明专利

JP2013199704A Sputtering target and process for producing the same 有权
标题翻译：喷射目标及其生产方法
公开(公告)号：JP2013199704A
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：JP2013005369
申请日：2013-01-16
申请人： Mitsubishi Materials Corp , 三菱マテリアル株式会社
发明人： CHO SHUHIN , UMEMOTO KEITA , SHOJI MASAHIRO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3429 , B22F3/10 , B22F2201/20 , B22F2301/00 , B22F2999/00 , C22C1/0425 , C22C32/0089 , C23C14/0623 , C23C14/08 , C23C14/087 , C23C14/3414 , C23C14/35 , B22F3/1007
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target which contains a high concentration of Na but is suppressed in the occurrence of discoloration and spots and abnormal discharge, and has high strength and is not easily cracked, and to provide a method for producing the same.SOLUTION: A sputtering target has a component composition that contains 10 to 40 at% of Ga and 1.0 to 15 at% of Na as metal components of the sputtering target other than F, S and Se, with the balance comprising Cu and unavoidable impurities. The sputtering target contains Na as Na-compounds comprising at least one selected from among sodium fluoride, sodium sulfide and sodium selenide. The sputtering target has a theoretical density ratio of 90% or more, a flexural strength of 100 N/mmor more, and a bulk specific resistance of 1 mΩ cm or less, and has 1 or less aggregate on average in the area of a target surface of 1 cm, the aggregate being at least one aggregate having a size of 0.05 mmor more selected from among sodium fluoride, sodium sulfide, and sodium selenide.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种含有高浓度的Na但是在发生变色和斑点和异常放电时被抑制的溅射靶，并且具有高强度并且不容易破裂，并且提供其制造方法解决方案：溅射靶具有含有10〜40at％的Ga和1.0〜15at％的Na作为除F，S，Se以外的溅射靶的金属成分的成分组成，余量由Cu和不可避免的杂质构成。溅射靶含有Na作为包含选自氟化钠，硫化钠和硒化钠中的至少一种的Na化合物。溅射靶的理论密度比为90％以上，弯曲强度为100N / mm以上，体电阻为1m＆OHgr; cm以下，并且在目标表面的面积为1cm的区域中平均具有1个或更少的骨料，所述骨料为至少一种选自氟化钠，硫化钠和硒化钠中的0.05mm以上的骨料。

77. 发明专利

JP2009527642A Products to have a method and high-quality surface for producing high quality surface 有权
公开(公告)号：JP2009527642A
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：JP2008555814
申请日：2007-02-23
申请人：ピコデオン・リミテッド・オサケユキテュアPicodeon Ltd Oy
发明人：ヴェサ・ミュッリメキ , ユハ・メキタロ , ラッセ・プッリ , レイヨ・ラッパライネン
IPC分类号： C23C14/28 , B05D3/06 , B05D3/10 , B05D7/00 , B05D7/02 , B05D7/14
CPC分类号： C23C14/28 , C23C14/0611 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/087 , C23C14/12 , C23C14/20 , Y10T428/26
摘要：本発明は、物体を１つ以上の表面によってコーティングするためのレーザアブレーション方法であって、コーティング対象の物体、すなわち基材を、コーティング対象の物体へと蒸着される表面の一様性が±１００ｎｍとなるように、ターゲットをアブレーションすることによってコーティングする方法に関する。コーティングされた物体の表面は、有利にはミクロンサイズの粒子が存在せず、典型的には個々の粒子のサイズが最大でも±２５ｎｍであるであるナノテクノロジー表面である。さらに、物体は、前記方法によって製造される製品に関する。

79. 发明专利

JPWO2003091157A1 酸化物超電導薄膜の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2003091157A1
公开(公告)日：2005-09-02
申请号：JP2003587731
申请日：2003-04-17
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：修司母倉 , 修司母倉 , 大松　一也 , 一也大松
IPC分类号： C01G3/00 , C01G1/00 , C23C14/08 , C23C14/22 , C23C14/28 , H01L39/24
CPC分类号： C23C14/225 , C23C14/087 , C23C14/28 , H01L39/2448
摘要：ターゲットにレーザー光を照射し、ターゲットから飛散した物質を単結晶基板を含む基板上に蒸着させるレーザー蒸着法により、基板上に酸化物超電導薄膜を形成する製造方法であって、ターゲットに照射するレーザー光のレーザー周波数を少なくとも2段階に分けて酸化物超電導薄膜を形成することにより、高い臨界電流密度を有する酸化物超電導薄膜を形成できる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。

80. 发明专利

JP2003031050A Superconductor thin film of copper oxide containing mercury, manufacturing device and manufacturing method therefor 审中-公开
标题翻译：含氧化铜的超级电容薄膜，制造装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2003031050A
公开(公告)日：2003-01-31
申请号：JP2001215959
申请日：2001-07-16
申请人： Nec Corp , 日本電気株式会社
发明人： HATTORI WATARU
IPC分类号： C01G1/00 , C23C10/02 , C23C10/06 , C23C14/08 , C23C14/58 , C30B23/02 , G01K7/00 , H01B12/06 , H01B13/00 , H01L39/24
CPC分类号： C23C14/5806 , C23C10/02 , C23C10/06 , C23C14/087 , C23C14/5846 , C30B23/002 , C30B23/02 , C30B29/22 , C30B29/225 , G01K7/006 , H01L39/2451
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a superconductor thin film of copper oxide containing mercury, which is large in area, small out-of phase precipitation constituting the impurity, and of superior superconducting characteristics, and a thin film manufacturing device and a method which can mass-produce the thin films.
SOLUTION: The thin film manufacturing device is provided with a pressure vessel 1 (pressurized atmosphere furnace), equipped with a port 11 for leading in gas atmosphere containing mercury in a furnace wall 3, and a mercury supply device 10 for generating a gas atmosphere which contains mercury and for controlling the pressure of gas atmosphere containing mercury, independently of the pressure vessel 1. The mercury supply device 10 bring the gas atmosphere containing mercury inside the pressure vessel 1 through the port 11. Further, a metal sealing gate valve 16 is provided between the pressure vessel 1 and the mercury supply device 10.
COPYRIGHT: (C)2003,JPO
摘要翻译：要解决的问题：提供一种面积大的含汞氧化铜的超导薄膜，构成杂质的异相析出少，超导特性优异的薄膜制造装置及其制造方法批量生产薄膜。解决方案：薄膜制造装置设置有压力容器1（加压气氛炉），其具有用于引导在炉壁3中含有汞的气体气氛的端口11和用于产生气体气氛的汞供应装置10，含有汞并用于与压力容器1无关地控制含有汞的气体气体的压力。汞供应装置10通过端口11将含汞的气体气体通过端口11带入压力容器1内。此外，金属密封闸阀16是设置在压力容器1和汞供给装置10之间。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式