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71. 发明专利

TWI403489B 碳電極之製造方法及石英玻璃坩堝之製造方法有权
简体标题：碳电极之制造方法及石英玻璃坩埚之制造方法
公开(公告)号：TWI403489B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW098131928
申请日：2009-09-22
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：藤田剛司 , FUJITA, TAKESHI , 森川正樹 , MORIKAWA, MASAKI
IPC分类号： C04B35/52 , C03B20/00 , H05B3/03 , H05B7/06 , H05B7/07
CPC分类号： C03B19/095 , C04B35/52 , C04B41/009 , C04B41/53 , C04B41/91 , C04B2235/72 , H05B7/085 , Y10T29/49002 , Y10T29/49117 , Y10T29/49204 , Y10T29/49206

72. 发明专利

TWI389856B 矽單晶拉晶用石英玻璃坩堝之製造方法有权
简体标题：硅单晶拉晶用石英玻璃坩埚之制造方法
公开(公告)号：TWI389856B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW098101934
申请日：2009-01-19
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 森川正樹 , MORIKAWA, MASAKI
IPC分类号： C03B20/00 , C03B19/09 , C30B15/10
CPC分类号： C03B19/095

73. 发明专利

TWI383962B 矽玻璃坩堝和其製造方法及拉晶方法失效
简体标题：硅玻璃坩埚和其制造方法及拉晶方法
公开(公告)号：TWI383962B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW097137541
申请日：2008-09-30
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：神田稔 , KANDA, MINORU
IPC分类号： C03B20/00 , C30B15/10 , F27B14/10
CPC分类号： C03B19/095 , C30B15/10 , C30B35/002 , Y10T117/1024

74. 发明专利

TWI382963B 石英玻璃坩堝之製造方法及製造裝置失效
简体标题：石英玻璃坩埚之制造方法及制造设备
公开(公告)号：TWI382963B
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：TW097146375
申请日：2008-11-28
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：岸弘史 , KISHI, HIROSHI , 神田稔 , KANDA, MINORU , 森川正樹 , MORIKAWA, MASAKI
IPC分类号： C03B19/09 , C03B20/00 , C30B15/10
CPC分类号： C03B19/095 , C30B15/10 , Y02P40/57

75. 发明专利

TW200922889A 矽單晶拉晶用石英玻璃坩堝和其製造方法 QUARTS GLASS CRUCIBLE FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTALS AND MANUFACTURING METHOD OF THE CRUCIBLE 失效
简体标题：硅单晶拉晶用石英玻璃坩埚和其制造方法 QUARTS GLASS CRUCIBLE FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTALS AND MANUFACTURING METHOD OF THE CRUCIBLE
公开(公告)号：TW200922889A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097137539
申请日：2008-09-30
申请人：日本超精石英股份有限公司 JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：岸弘史 KISHI, HIROSHI
IPC分类号： C03B , C30B
CPC分类号： C30B15/10 , C03C3/06 , C03C19/00 , C03C2201/80 , C03C2203/10 , C03C2204/08 , C30B35/002 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
摘要：為了提供一種不使用結晶化促進劑,即使在使用時的高溫下坩堝也不易產生變形,且容易製造的石英玻璃坩堝,其使用於矽單晶之拉晶的石英玻璃坩堝,其特徵為:外面層係由含氣泡石英玻璃層所形成,內面層係由無法以肉眼觀察到氣泡的石英玻璃層所形成,且在外面層的表面具有未熔融或半熔融的石英層(簡稱為半熔融石英層),且該半熔融石英層的中心線平均粗度(Ra)為50��m-200��m,並且較佳為,半熔融石英層的層厚為0.5-2.0mm。
简体摘要：为了提供一种不使用结晶化促进剂,即使在使用时的高温下坩埚也不易产生变形,且容易制造的石英玻璃坩埚,其使用于硅单晶之拉晶的石英玻璃坩埚,其特征为:外面层系由含气泡石英玻璃层所形成,内面层系由无法以肉眼观察到气泡的石英玻璃层所形成,且在外面层的表面具有未熔融或半熔融的石英层(简称为半熔融石英层),且该半熔融石英层的中心线平均粗度(Ra)为50��m-200��m,并且较佳为,半熔融石英层的层厚为0.5-2.0mm。

76. 发明专利

TW200911722A 石英玻璃坩堝之製造方法 PRODUCTION METHOD OF QUARTZ GLASS CRUCIBLE 审中-公开
简体标题：石英玻璃坩埚之制造方法 PRODUCTION METHOD OF QUARTZ GLASS CRUCIBLE
公开(公告)号：TW200911722A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097128574
申请日：2008-07-25
申请人：日本超精石英股份有限公司 JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：藤田剛司 FUJITA, TAKESHI , 神田稔 KANDA, MINORU
IPC分类号： C04B , F27B , C30B
CPC分类号： C03B19/095 , C30B15/10
摘要：本發明的石英玻璃坩堝之製造方法,係具備:在使有底圓筒狀的模具旋轉的狀態下,讓石英粉堆積於模具內壁面之堆積步驟、將堆積於前述模具內壁面之石英粉進行加熱熔融使其玻璃化以製得石英玻璃坩堝之熔融步驟;在前述堆積步驟,在將石英粉的靜電帶電量控制在絕對値1.0kV以下的範圍的狀態下,將前述石英粉供應至模具內壁面,藉此將模具內壁面的石英粉堆積層的密度維持在一定範圍,以控制石英玻璃坩堝的壁厚。
简体摘要：本发明的石英玻璃坩埚之制造方法,系具备:在使有底圆筒状的模具旋转的状态下,让石英粉堆积于模具内壁面之堆积步骤、将堆积于前述模具内壁面之石英粉进行加热熔融使其玻璃化以制得石英玻璃坩埚之熔融步骤;在前述堆积步骤,在将石英粉的静电带电量控制在绝对値1.0kV以下的范围的状态下,将前述石英粉供应至模具内壁面,借此将模具内壁面的石英粉堆积层的密度维持在一定范围,以控制石英玻璃坩埚的壁厚。

77. 发明授权

EP1348783B1 a method for regenerating a composite crucible 有权
标题翻译：一种再生复合坩埚过程
公开(公告)号：EP1348783B1
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：EP03013721.0
申请日：1999-06-17
申请人： Japan Super Quartz Corporation
发明人： Tsuji, Yoshiyuki, c/o Japan Super Quartz Corp., R&D Center , Fukui, Masanori, c/o Japan Super Quartz Corp., R&D Center , Hiroshima, Ken-Ichi, c/o Japan Super Quartz Corp., R&D Center
IPC分类号： C30B15/10 , C30B35/00
CPC分类号： C03B23/006 , C03B19/095 , C03B29/02 , C30B15/10 , C30B35/002 , Y10T428/13 , Y10T428/131 , Y10T428/1314 , Y10T428/1317

78. 发明公开

EP2292812A3 Method of manufacturing silicon single crystal, apparatus for pulling silicon single crystal and vitreous silica crucible 审中-公开
标题翻译：一种用于生产硅单晶提拉单晶硅和石英型石英坩埚的装置处理
公开(公告)号：EP2292812A3
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：EP10189512.6
申请日：2010-05-27
申请人： Japan Super Quartz Corporation
发明人： Masanori, Fukui , Hideki, Watanabe , Nobumitsu, Takase
IPC分类号： C30B15/10 , C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/10 , C30B29/06
摘要： Leakage of silicon melt is monitored and touch of a seed crystal at the silicon melt is detected, and in addition, reinforcement of a vitreous silica crucible to be endurable during pulling for a long time and decrease of impurity concentration of a silicon single crystal can be expected.
A method for manufacturing a silicon single crystal is provided. The method includes: detecting touching status of a seed crystal at silicon melt by supplying voltage V1 using a crucible side as a negative electrode and a wire side as a positive electrode and by monitoring change of the voltage, when the seed crystal provided at a front end of the wire touches the silicon melt inside a vitreous silica crucible; devitrifying an inner surface of the vitreous silica crucible as supplying voltage V2 using the crucible side as a positive electrode and the wire side as a negative electrode during a temperature control period; and growing a silicon single crystal by slowly pulling the seed crystal as supplying voltage V3 using the crucible side as a negative electrode and the wire side as a positive electrode after the temperature control period.

79. 发明授权

EP1348782B1 Process for surface modifying a quartz glass crucible 有权
标题翻译：改性的石英玻璃坩埚的表面的方法
公开(公告)号：EP1348782B1
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：EP03000080.6
申请日：2003-01-08
申请人： Japan Super Quartz Corporation
发明人： Tsujimoto, Toshio, R&D Center , Tsuji, Yoshiyuki, R&D Center
IPC分类号： C30B15/10
CPC分类号： C30B15/10 , C03C17/25 , C03C17/27

80. 发明公开

EP2194166A1 SILICA GLASS CRUCIBLE, PROCESS FOR PRODUCTION OF THE SAME, AND PULLING METHOD 审中-公开
标题翻译： QUARZGLASTIEGEL，VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG UNDZÜCHTUNGSVERFAHREN
公开(公告)号：EP2194166A1
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：EP08825826.4
申请日：2008-09-29
申请人： Japan Super Quartz Corporation
发明人： KANDA, Minoru
IPC分类号： C30B15/10 , C03B20/00
CPC分类号： C03B19/095 , C30B15/10 , C30B35/002 , Y10T117/1024
摘要： A silica glass crucible including an outer surface layer formed of a bubble-containing silica glass layer and an inner surface layer formed of a silica glass layer whose bubbles are invisible to the naked eye, so as to sufficiently disperse heat from the external radiation thereby preventing temperature irregularity in the silicon melt, and at the same time, exhibit excellent heat conductivity thereby giving a uniformly heated state over a wide range in the entire crucible without taking a long time for increasing the temperature to form a silicon melt, wherein an intermediate layer is interposed between the outer surface layer and the inner surface layer while in the intermediate layer, a bubble-containing silica glass layer (bubble-containing layer) including bubbles with a diameter of 100 µm or smaller by 0.1 % or more in the volumetric bubble content and a silica glass layer (transparent glass layer) including the bubbles by 0.05% or less in the volumetric bubble content are laminated.
摘要翻译：一种二氧化硅玻璃坩埚，其包括由含气泡的石英玻璃层形成的外表面层和由石墨玻璃层形成的内表面层，所述内表面层的气泡对于肉眼不可见，从而充分地分散来自外部辐射的热量，从而防止硅熔体中的温度不均匀性，并且同时显示出优异的导热性，从而在整个坩埚中在宽范围内均匀地加热状态，而不需要较长时间来提高温度以形成硅熔体，其中中间层插入在外表面层和内表面层之间，而在中间层中，在容积泡中含有直径为100μm或更小直径为0.1％或更多的气泡的含气泡的二氧化硅玻璃层（含气泡层）含有气泡含量的二氧化硅玻璃层（透明玻璃层）的体积气泡含量为0.05％以下 ated。

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