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71. 发明公开

KR1020160027315A 디스플레이 장치 审中-实审
标题翻译：显示单元
公开(公告)号：KR1020160027315A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140113198
申请日：2014-08-28
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 황치선 , 김기현 , 김용해 , 변춘원 , 오힘찬 , 추혜용 , 이명래 , 피재은
IPC分类号： G02F1/1368
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/124 , H01L29/786
摘要： 본발명은디스플레이장치를제공한다. 디스플레이장치는기판, 상기기판상에순차적으로적층된공통전극및 제 1 절연막, 상기제 1 절연막상의캡 전극, 상기캡 전극을덮는제 2 절연막, 상기제 2 절연막상의소스전극, 상기제 2 절연막상에제공되고, 상기제 1 컨택을통해상기캡 전극에연결되고상기소스전극의상부로연장되는드레인전극, 상기소스전극과상기드레인전극사이의제 3 절연막, 상기드레인전극및 제 3 절연막의측면상에제공되고, 상기소스전극으로연장되는게이트전극, 상기게이트전극과상기소스전극, 상기제 3 절연막및 상기드레인전극사이의활성층, 상기활성층과상기게이트전극사이의게이트절연막, 상기게이트전극및 상기드레인전극을덮는제 4 절연막상에제공되고, 제 2 컨택을통해연결되는픽셀전극을포함한다.
摘要翻译：提供一种显示装置，其包括：基板; 依次层叠在基板上的公共电极和第一绝缘膜; 第一绝缘膜上的帽电极; 覆盖所述盖电极的第二绝缘膜; 在第二绝缘膜上的源电极; 设置在第二绝缘膜上的漏极，通过第一接触连接到帽电极，并延伸到源电极的上部; 设置在源电极和漏电极之间的第三绝缘膜; 设置在所述漏电极上的栅电极和所述第三绝缘膜的侧面，并延伸到所述源电极; 设置在栅电极和源电极之间的有源层，以及第三绝缘膜和漏电极; 设置在所述有源层和所述栅电极之间的栅极绝缘膜; 以及设置在覆盖所述栅电极和所述漏电极的第四绝缘膜上并通过第二触点连接的像素电极。

72. 发明公开

KR1020150081026A 박막 트랜지스터 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020150081026A
公开(公告)日：2015-07-13
申请号：KR1020140000574
申请日：2014-01-03
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 황치선 , 박상희 , 조성행 , 오힘찬 , 양종헌 , 유민기 , 변춘원 , 피재은 , 이수재 , 박종혁 , 추혜용
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78618 , H01L29/78696
摘要： 박막트랜지스터가제공된다. 박막트랜지스터는기판, 상기기판위에형성된활성층, 상기활성층위에형성된게이트절연막, 상기게이트절연막위에형성된게이트전극, 상기게이트전극양쪽의상기활성층에형성된도핑영역, 및상기게이트전극양측의상기기판상에서로이격되고상기도핑영역과직접접촉하는소스전극및 드레인전극을포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种薄膜晶体管。薄晶体管包括衬底; 形成在所述基板上的有源层; 形成在有源层上的栅极绝缘膜; 形成在栅极绝缘膜上的栅电极; 形成在栅电极两侧的有源层上的掺杂区域; 以及源电极和漏电极在栅极两侧的衬底上彼此分离，并与掺杂区域直接接触。因此，本发明能够提供没有接触工艺的自配置型半导体薄膜晶体管结构。

73. 发明公开

KR1020150060328A 산화물 반도체 형성방법 审中-实审
标题翻译：形成氧化物半导体的方法
公开(公告)号：KR1020150060328A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020130144632
申请日：2013-11-26
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 오힘찬 , 황치선 , 양종헌 , 추혜용
IPC分类号： H01L21/208 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02282 , H01L29/7869
摘要： 본발명은산화물반도체형성방법을제공한다. 이산화물반도체형성방법은금속원자를포함한화합물및 용매를혼합하여혼합용액을제조하는단계, 상기혼합용액에기판을담그는단계, 상기혼합용액에초음파를조사하여상기기판상에산화물반도체를형성하는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种形成氧化物半导体的方法。形成氧化物半导体的方法包括：将包含金属原子和溶剂的化合物混合以制造混合溶液的步骤; 将基板浸渍在混合溶液中的步骤; 以及向所述混合溶液中照射超声波以在所述基板上形成氧化物半导体的步骤。

74. 发明公开

KR1020140135588A 박막 트랜지스터 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020140135588A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：KR1020130127995
申请日：2013-10-25
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 조성행 , 박상희 , 황치선
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/1225 , H01L29/45 , H01L29/7869
摘要： 본 발명은 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다. 이 박막 트랜지스터의 제조방법은 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 것, 게이트 전극이 형성된 상기 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 것, 상기 게이트 절연막 상에 제 1 도전층을 형성하는 것, 상기 제 1 도전층 상에 제 2 도전층을 형성하는 것, 상기 제 2 도전층 상에 상기 게이트 전극 일측의 소스 영역에서 제 1 두께를 갖는 제 1 영역, 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 전극 타측의 드레인 영역에서 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 갖는 제 2 영역을 포함하는 제 1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 것, 상기 제 1 포토 레지스트 패턴을 사용하며 상기 제 1 도전층 및 상기 제 2 도전층을 식각하는 것, 상기 제 1 영역의 상기 레지스트는 남기면서 상기 제 2 영역의 상기 레지스트는 제거하여 제 2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 것, 상기 제 2 포토 레지� �트 패턴을 사용하여 상기 제 2 도전층을 식각하는 것, 상기 기판 상에 네가티브형의 레지스트를 도포하는 것, 배면 노광하여 상기 게이트 전극 상의 상기 네가티브형의 레지스트를 제거하는 것, 상기 게이트 전극 상의 상기 제 1 도전층을 식각하는 것, 상기 게이트 전극 상의 상기 게이트 절연막 상에 산화물 반도체층을 형성하는 것, 상기 산화물 반도체층이 형성된 상기 기판 상에 보호층을 형성하는 것, 상기 보호층 상에 평탄층을 형성하는 것 을 포함한다.
摘要翻译：提供一种制造薄膜晶体管的方法。制造薄膜的方法包括以下步骤：在衬底上形成栅电极; 在其上形成有栅电极的基板上形成栅极绝缘体; 在所述栅极绝缘体上形成第一导电层; 在所述第一导电层上形成第二导电层; 在所述第二导电层上形成包括第一区域和第二区域的第一光致抗蚀剂图案，其中所述第一区域在所述栅极电极的一侧的源极区域上具有第一厚度，并且所述第二区域具有小于栅电极上的第一厚度和栅电极另一侧的漏区; 使用第一光致抗蚀剂图案蚀刻第一导电层和第二导电层; 通过在第一区域上留下抗蚀剂并除去第二区域上的抗蚀剂来形成第二光致抗蚀剂图案; 使用第二光致抗蚀剂图案蚀刻第二导电层; 在衬底上施加负性抗蚀剂; 通过背面曝光从栅电极去除负光刻胶; 蚀刻栅电极上的第一导电层; 在栅电极上的栅极绝缘体上形成氧化物半导体层; 在形成有氧化物半导体层的基板上形成保护层; 并在保护层上形成平坦化层。

75. 发明公开

KR1020140076111A 나노 층상구조를 가지는 산화물 트렌지스터 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：晶体管悬挂纳米结构氧化物及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140076111A
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020120144276
申请日：2012-12-12
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이수재 , 황치선 , 추혜용 , 임상철 , 피재은 , 유민기
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/78696 , H01L29/0665
摘要： A transistor according to an embodiment of the present invention may include an oxide semiconductor layer with a nano-layered structure. The oxide semiconductor layer may include at least one first nano-layer and at least on second nano-layer. The first nano-layer and the second nano-layer are alternately stacked. A channel with higher electron mobility at the interface between the first nano-layer and the second nano-layer as the first nano-layer and the second nano-layer contain different materials. The transistor of the present invention may have high reliability.
摘要翻译：根据本发明实施例的晶体管可以包括具有纳米层状结构的氧化物半导体层。氧化物半导体层可以包括至少一个第一纳米层和至少第二纳米层。第一纳米层和第二纳米层交替堆叠。在第一纳米层和第二纳米层之间的界面处作为第一纳米层和第二纳米层含有不同材料的具有较高电子迁移率的通道。本发明的晶体管可以具有高的可靠性。

76. 发明公开

KR1020140076106A 트렌지스터 审中-实审
标题翻译：晶体管
公开(公告)号：KR1020140076106A
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020120144265
申请日：2012-12-12
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 차홍기 , 안성덕 , 황치선
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/51
摘要： A transistor according to one embodiment of the present invention includes an active layer and a gate insulating layer which touches the active layer. The active layer and the gate insulating layer include the same oxide. The oxygen content of the oxide of the gate insulating layer is higher than the oxygen content of the oxide of the active layer. Because the active layer and the gate insulating layer have the same material, high charge mobility in the active layer is obtained in driving the transistor. In manufacturing the transistor, the active layer and the gate insulating layer are formed by depositing the same material in the same sputtering chamber while changing oxygen partial pressure ratios.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例的晶体管包括接触有源层的有源层和栅极绝缘层。有源层和栅极绝缘层包括相同的氧化物。栅极绝缘层的氧化物的氧含量高于有源层的氧化物的氧含量。由于有源层和栅极绝缘层具有相同的材料，因此在驱动晶体管时获得有源层中的高电荷迁移率。在制造晶体管时，通过在相同的溅射室中沉积相同的材料同时改变氧气分压比来形成有源层和栅极绝缘层。

77. 发明公开

KR1020140066878A 자기 정렬 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：自对准薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140066878A
公开(公告)日：2014-06-03
申请号：KR1020120133471
申请日：2012-11-23
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 오힘찬 , 황치선 , 박상희
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/66757 , H01L29/41733
摘要： Provided are a self-aligned thin film transistor capable of improving the operation speed and stability, and minimize the size at the same time by forming self-aligned source and drain electrodes and a manufacturing method thereof. According to an embodiment of the present invention, the thin film transistor manufacturing method comprises: a step of successively forming an active layer, a gate insulating film, and a gate layer on a substrate; a step of forming a photosensitive pattern to define the shape of a gate electrode on the gate layer; a step of successively etching the gate layer, the gate insulating film, and the active layer using the photosensitive pattern; a step of depositing source and drain layers on the etched substrate in a deposition method with directivity; and a step of forming the gate electrode and self-aligned source and drain electrodes by removing the photosensitive pattern.
摘要翻译：本发明提供一种能够提高操作速度和稳定性的自对准薄膜晶体管，并且通过形成自对准源极和漏极同时使尺寸最小化及其制造方法。根据本发明的实施例，薄膜晶体管的制造方法包括：在衬底上依次形成有源层，栅极绝缘膜和栅极层的步骤; 形成感光图案以限定栅极层上的栅电极的形状的步骤; 使用感光图案连续地蚀刻栅极层，栅极绝缘膜和有源层的步骤; 以具有指向性的沉积方法在蚀刻的衬底上沉积源极和漏极层的步骤; 以及通过去除感光图案形成栅电极和自对准源电极和漏电极的步骤。

78. 发明公开

KR1020130130610A 듀얼 모드 디스플레이 장치 및 그의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于显示双模式的装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130130610A
公开(公告)日：2013-12-02
申请号：KR1020120127619
申请日：2012-11-12
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 구재본 , 류호준 , 황치선 , 이정익 , 추혜용
IPC分类号： H01L51/52 , G02F1/13
CPC分类号： H01L27/3241 , G09F9/301 , G09G3/3208 , H01L27/3274 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/566
摘要： In the present invention, disclosed are a dual mode display device and a manufacturing method thereof. The dual mode display device includes a bottom substrate, a first bottom electrode which is formed on the bottom substrate, an optical switching layer which is formed on the first bottom electrode, a first top electrode which is formed on the optical switching layer, a protection layer which is formed on the first top electrode layer, a contact plug which is connected to the first top electrode and passes through the protection layer, a second bottom electrode which is formed on the contact plug and the protection layer, an organic light emitting layer which is formed on the second bottom electrode, a second top electrode which is formed on the organic light emitting layer, and a top substrate which is formed on the second top electrode.
摘要翻译：在本发明中，公开了双模显示装置及其制造方法。双模显示装置包括底部基板，形成在底部基板上的第一底部电极，形成在第一底部电极上的光学开关层，形成在光学开关层上的第一顶部电极，保护层形成在第一顶部电极层上的层，与第一顶部电极连接并通过保护层的接触插塞，形成在接触插塞和保护层上的第二底部电极，有机发光层其形成在第二底部电极上，形成在有机发光层上的第二顶部电极和形成在第二顶部电极上的顶部基板。

79. 发明公开

KR1020130038722A 액정 표시 장치의 직류 전압 변환 회로 审中-实审
标题翻译：液晶显示器直流电压转换电路
公开(公告)号：KR1020130038722A
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：KR1020110103231
申请日：2011-10-10
申请人： 한국전자통신연구원 , 건국대학교 산학협력단
发明人： 피재은 , 박기찬 , 임홍균 , 김준동 , 김연경 , 김지선 , 유병곤 , 박상희 , 오힘찬 , 유민기 , 황치선
IPC分类号： G09G3/36 , H02M3/155
CPC分类号： H02M3/073 , G09G3/3696 , H02M2003/077
摘要： PURPOSE: A direct current voltage conversion circuit of a liquid crystal display device is provided to correspond to the dispersion of broad threshold voltage by applying positive gate source voltage when turning on a TFT(Thin Film Transistor), and applying negative gate source voltage when turning off the TFT. CONSTITUTION: A main pumping circuit part(710) comprises multiple TFTs(M1-M8). The multiple TFTs are turned on and off by turns. A main pumping circuit part outputs voltage for driving a liquid crystal display device. A switch control signal generating part(720) controls the voltage applied to the gate of multiple thin film transistors with a clock signal inversion.
摘要翻译：目的：提供液晶显示装置的直流电压转换电路，以便在开启TFT（薄膜晶体管）时施加正栅极源电压，并在转动时施加负栅极源电压，以对应于宽阈值电压的偏差关掉TFT。构成：主泵电路部分（710）包括多个TFT（M1-M8）。多个TFT轮流打开和关闭。主泵电路部分输出用于驱动液晶显示装置的电压。开关控制信号生成部（720）通过时钟信号反转来控制施加到多个薄膜晶体管的栅极的电压。

80. 发明授权

KR101252294B1 투명 정보 전달 윈도우 失效
标题翻译：透明信息窗口
公开(公告)号：KR101252294B1
公开(公告)日：2013-04-05
申请号：KR1020090061100
申请日：2009-07-06
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 조두희 , 황치선 , 변춘원 , 윤성민 , 박상희 , 정우석 , 유민기 , 정승묵 , 조경익
IPC分类号： G02F1/00 , H01L51/50
摘要： 본 발명에 따른 투명 정보 전달 윈도우는 투명한 상태에서 정보의 디스플레이가 가능하므로, 시야를 방해하지 않으면서도 다양한 정보를 공간적 제약 없이 디스플레이 할 수 있다. 또한, 사람들의 휴대 단말기로 디스플레이 정보를 무선으로 전송할 수 있으며, 이에 따라 해당 디스플레이 장소를 벗어나게 되더라도 사람들은 자신의 휴대 단말기를 통해 상품에 대한 자세한 정보를 제공받을 수 있다.
투명, 디스플레이, 무선, 윈도우, 정보

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