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71. 发明授权

KR100164285B1 마이크로렌즈가 형성된 광집적 소자 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：具有微型计算机的集成照相装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100164285B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950001321
申请日：1995-01-25
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 양오승
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , B41J2/45 , H01L31/02327
摘要： 본 발명은 마이크로렌즈가 형성된 광집적 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로 단거리 광통신에서의 광의 송신단이나 수신단, 각종 광표시소자, 고감도 광검출소자 및 고속 발광다이오드 프린터 등의 주요부분으로 사용할 수 있는 마이크로렌즈가 형성된 광집적 소자와 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 리지높이가 과도하게 높지 않으면서도 균일한 높이의 형성이 가능하여 다른 소자와 결합이 용이하면서도 배열화가 쉬운 마이크로렌즈를 갖는 광집적소자를 제조할 수 있으며, 본 발명의 광집적소자는 고속 발광다이오드 프린터, 단거리 광통신에서의 광 송수신단, 각종 광표시소자 및 고감도 광검출소자 등에 광범위하게 활용될 수 있다.
摘要翻译：一种具有均匀高度的光学集成装置，使得其可以容易地与单个基板中的其它装置排列或集成。该装置包括半导体基板，其具有形成在半导体基板的一侧上的基板侧电极。在形成基板侧电极的相反侧外延生长微透镜层。相对侧也具有半球蚀刻表面。该器件还包括在微透镜层上的整个区域上生长的外延层和形成在外延层上的电介质膜。此外，在绝缘膜的整个区域上形成外延层侧电极。

72. 发明公开

KR1019980014335A 산화막다공성실리콘기판을이용한초고주파소자 失效
标题翻译：超高频器件采用氧化物多孔硅衬底
公开(公告)号：KR1019980014335A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960033270
申请日：1996-08-09
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 남충모
IPC分类号： H01F17/00
摘要： 본 발명은 산화막 다공성 실리콘 기판을 이용한 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 구현을 위한 인덕터(inductor), 커패시터(capacitor), 저항(resistor) 등의 초고주파 소자에 관한 것으로서, 1㎓ 이상의 초고주파 영역에서 발생하는 얇은 실리콘 산화막 아래에 있는 실리콘 기판의 반전도(semi-conducting) 특성에 기인한 신호 손실을 방지하기 위하여 실리콘 기판위에 종래에 이용되던 얇은 산화막 대신에 두꺼운 산화된 다공성 실리콘 층을 이용하여 소자를 집적시키는 것이다.

73. 发明公开

KR1019960030448A 마이크로렌즈가 형성된 광집적 소자 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：其中形成微透镜的光学集成装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1019960030448A
公开(公告)日：1996-08-17
申请号：KR1019950001321
申请日：1995-01-25
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 양오승
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 본 발명은 마이크로렌즈가 형성된 광집적 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 단거리 광통신에서의 광의 송신단이나, 수신단, 각종 광표시 소자, 고감도 광검출 소자 및 고속 발광다이오드 프린터등의 주요부분으로 사용할 수 있는 마이크로렌즈가 형성된 광집적 소자와 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 리지높이가 과도하게 높지 않으면서도 균일한 높이의 형성이 가능하여 다른 소자와 결합이 용이하면 서로 배열화가 쉬운 마이크로렌즈를 갖는 광집적 소자를 제조할 수 있으며, 본 발명의 광집적 소자는 고속 발광다이오드 프린터, 단거리 광통신에서의 광 송수신단, 각종 광표시 소자 및 고감도 광검출 소자 등에 광범위하게 활용될 수 있다.

74. 发明授权

KR1019910008440B1 2단계 화학식각법에 의한 레이저 다이오드용 거울면 제작방법 失效
标题翻译：二步化学式法制备激光二极管镜面
公开(公告)号：KR1019910008440B1
公开(公告)日：1991-10-15
申请号：KR1019890003619
申请日：1989-03-22
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 유회준
IPC分类号： H01S5/028
摘要： The method for mirror facet in the fabrication of semiconductor laser diode has two basic steps: forming a strip pattern of (001) direction at (100) GaAs/ AlGaAs or InP/InGaAsP wafer with photoresist, followed by initial etching; making the angle of etched layer in perpendicularity by second chemical etching after removing the photo resist. The etching solution is surface reaction limited type, and each layer of wafer has the same etch rate.
摘要翻译：半导体激光二极管制造中的镜面方法有两个基本步骤：在具有光致抗蚀剂的（100）GaAs / AlGaAs或InP / InGaAsP晶片上形成（001）方向的带状图案，然后进行初始蚀刻; 在除去光致抗蚀剂之后，通过第二次化学蚀刻使蚀刻层的角度垂直。蚀刻溶液是表面反应限制型，每层晶片具有相同的蚀刻速率。

75. 发明授权

KR1019900006923B1 지붕형 반사기를 갖는 반도체 레이저 구조 失效
标题翻译：半导体激光形式
公开(公告)号：KR1019900006923B1
公开(公告)日：1990-09-24
申请号：KR1019880004001
申请日：1988-04-08
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 채창준
IPC分类号： H01S5/10
摘要： The semiconductor laser structure comprises an n type GaAs substrate (1); an n type AlGaAs crystalline growth layer (3), a p type GaAs crystalline growth layer (4), a p type AlGaAs crystalling growth layer (5), a p type GaAs crystalling growth layer (6), and a SiO2 film (7) sequentially; a strip form of current path (9) and a Cr/Au matallic layer (8) formed on the oxide film (7); and an Au-Ge/Ni metallic layer (2) formed on the bottom of the substrate (1). A roof type reflector (12) is formed by etching a predetermined portion of the current path (9) by the anisotropic chemical etching process.
摘要翻译：半导体激光器结构包括n型GaAs衬底（1）; n型AlGaAs晶体生长层（3），p型GaAs晶体生长层（4），p型AlGaAs结晶生长层（5），p型GaAs结晶生长层（6）和SiO 2膜（7）电流路径（9）的带状形式和形成在氧化膜（7）上的Cr / Au金属层（8）; 和形成在基板（1）的底部上的Au-Ge / Ni金属层（2）。通过各向异性化学蚀刻工艺蚀刻电流路径（9）的预定部分，形成屋顶型反射器（12）。

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