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71. 发明授权

KR101743351B1 반도체 발광 소자의 제조 방법 및 그 반도체 발광 소자 有权
标题翻译：制造半导体发光器件的方法和用于其的半导体发光器件
公开(公告)号：KR101743351B1
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：KR1020150088679
申请日：2015-06-22
申请人： 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 이종람 , 김범준 , 박재용
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/22 , H01L33/00 , H01L21/02
摘要： 본발명은반도체발광소자의제조방법및 그반도체발광소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른반도체발광소자의제조방법은질화물계반도체층을형성하는단계; 상기질화물계반도체층또는그 상부에복수의구조물을형성하는단계; 상기복수의구조물각각의상부에금속박막을증착하고플라즈마처리후 식각하여추가나노구조물을형성하는단계; 및상기추가나노구조물을식각용마스크로사용하고상기구조물을식각하여복합나노구조물을형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及制造半导体发光器件和半导体发光器件的方法。根据本发明实施例的制造半导体发光器件的方法包括：形成氮化物基半导体层; 在氮化物基半导体层之上或之中形成多个结构; 在所述多个结构中的每一个上沉积金属箔膜，并进行等离子体处理和蚀刻以形成额外的纳米结构; 并且使用额外的纳米结构作为蚀刻掩模并蚀刻该结构来形成复合纳米结构。

72. 发明授权

KR101743341B1 투명 전극의 제조방법 有权
标题翻译：制造透明电极的方法
公开(公告)号：KR101743341B1
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：KR1020150014655
申请日：2015-01-30
申请人： 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 이종람 , 이일환
IPC分类号： H01B13/00 , H01B5/14
摘要： 본발명은전기전도도를최대한유지하면서전극상에홀을배치함에따라투명전극의투과도를높일수 있는투명전극의제조방법에관한것이다. 이를위한본 발명의투명전극의제조방법은, 기판을제공하는준비단계; 상기기판의표면상에다수의금속점을형성하는금속점형성단계; 상기금속점이형성된기판의표면상에전극층을형성하는전극층형성단계; 및상기금속점을제거하여상기전극층에홀을형성하는홀 형성단계;를포함하여구성된다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在透明电极尽可能的nopilsu透射率，透明电极的制备方法，同时保持设置在所述电极上的孔的导电性。根据本发明的制造透明电极的方法包括：准备基板; 金属点形成步骤，在基板的表面上形成多个金属点; 电极层形成工序，在形成有金属点的基板的表面上形成电极层; 以及去除金属点以在电极层中形成孔的孔形成步骤。

73. 发明授权

KR101720864B1 반도체 발광 소자의 제조 방법 및 그 반도체 발광 소자 有权
公开(公告)号：KR101720864B1
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020150088654
申请日：2015-06-22
申请人： 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 이종람 , 김범준 , 박재용
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/22 , H01L33/00
摘要： 본발명은반도체발광소자의제조방법및 그반도체발광소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른반도체발광소자의제조방법은질화물계반도체층을형성하는단계; 상기질화물계반도체층또는그 상부에복수의구조물을형성하는단계; 및상기복수의구조물각각의상부에나노선을형성하는단계를포함한다.

74. 发明授权

KR101712094B1 질화물갈륨계 수직 발광다이오드 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：立式氮化镓系发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR101712094B1
公开(公告)日：2017-03-03
申请号：KR1020090116122
申请日：2009-11-27
申请人： 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사
发明人： 이종람
IPC分类号： H01L33/16
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/30 , H01L33/305 , H01L33/405 , H01L2933/0083
摘要： 본발명은질화갈륨계 III-V족화합물반도체소자및 그제조방법을제공한다. 상기질화갈륨계 III-V족화합물반도체소자는기판; 상기기판상부에형성된 p형오믹전극층; 상기전극층상부에형성된 p형의 GaN계 III-V족화합물반도체층; 상기질화갈륨계 III-V족화합물반도체층상부에형성된 n형 GaN계 III-V족화합물반도체층; 및상기 n형질화갈륨계 III-V족화합물반도체층상부에형성된 n형오믹전극층으로구성되며, 상기 p형오믹전극층은 Ag를기반으로반사도가 70% 이상인고반사전극을포함한것이고상기 n형질화갈륨계 III-V족화합물반도체층은준광결정과표면조화를이용하여표면변환이이루어진층을포함한것이다. 본발명은고반사 p형전극, 준광결정및 표면조화가함께결합되어질화갈륨계수직발광다이오드제조공정에적용한경우, 그렇지않은경우에비하여발광다이오드의표면광출력이 9배이상증가한다는것을특징으로한다.
摘要翻译：本公开提供了一种垂直GaN基半导体二极管及其制造方法。 GaN基和半导体组件半导体器件包括衬底，衬底上的p型欧姆电极层，p型欧姆电极层上的p型GaN基和pV族化合物半导体层，n 在p型GaN基和iV族化合物半导体层上的n型GaN基和iV族化合物半导体层以及n型GaN基IE-V族化合物半导体上的n型欧姆电极层层。 p型欧姆电极层是高反射率为70％以上的Ag系高反射性电极，n型GaN系EV基化合物半导体层的表面经受以下工序中的至少一种：形成光子晶体和表面粗糙化的过程。

75. 发明授权

KR101653904B1 형상이 패터닝된 무기물 형광체 함유 유리 복합체 및 이를 포함하는 LED 소자 有权
标题翻译： LED形状图案化玻璃复合体，其包含无机磷光体和包含其的LED器件
公开(公告)号：KR101653904B1
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：KR1020150006024
申请日：2015-01-13
申请人： 공주대학교 산학협력단 , 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 정운진 , 박현아 , 한가람 , 이종람 , 김범준 , 유철종
IPC分类号： C03C4/12 , C09K11/02
摘要： 본발명은형상이패터닝된무기물형광체함유유리복합체및 이를포함하는 LED 소자에관한것으로, 더욱구체적으로유리내부에무기물형광체가분산되어있고, 상기유리의하부면또는상부면과하부면모두에돌기또는반원이패터닝된것을특징으로하는형상이패터닝된무기물형광체함유유리복합체에관한것이다.

76. 发明公开

KR1020160082864A 표시 장치 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160082864A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：KR1020140192547
申请日：2014-12-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 조상환 , 송승용 , 이종람 , 최충석 , 이보라 , 이일환
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/5275 , H01L51/5253 , H01L27/32 , H01L27/3202 , H01L51/56
摘要： 본발명은기판; 상기기판상에형성되고화상을구현하는표시소자를구비하는표시부; 상기표시부상에형성되는적어도하나의유기봉지막; 및상기유기봉지막과인접하도록형성되고, 상기유기봉지막과가까운영역의굴절률이상기유기봉지막에서멀리떨어진영역의굴절률보다상기유기봉지막의굴절률에더 근접한값을갖도록형성된적어도하나의굴절률제어봉지막을포함하는표시장치를개시한다.
摘要翻译：根据本发明，公开了一种显示装置，包括：基板; 显示单元，形成在所述基板上并具有用于显示图像的显示元件; 形成在所述显示单元上的至少一个有机封装膜; 以及与所述有机封装膜相邻形成的至少一个折射率控制封装膜。靠近有机封装膜的至少一个折射率控制密封膜的区域的折射率与折射率控制封装的区域的折射率相比具有比有机封装膜更靠近的折射率薄膜远离有机封装膜。因此，根据本发明，光穿透率提高。

77. 发明公开

KR1020160043461A 태양전지용 광산란 구조체 및 이를 포함하는 태양전지 有权
标题翻译：用于太阳能电池和包含该太阳能电池的太阳能电池的光散射复合材料
公开(公告)号：KR1020160043461A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：KR1020140137885
申请日：2014-10-13
申请人： 주식회사 포스코 , 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 이종람 , 동완재
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/054 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/52 , Y02P70/521 , H01L31/0236 , H01L31/02168 , H01L31/0224 , H01L31/054 , H01L31/18
摘要： 태양전지용광산란구조체및 이를채용하는태양전지가개시된다. 일구현례에따른태양전지는양극, 상기양극상에형성된광활성층및 상기광활성층상에형성된음극을포함하며, 상기양극은열가소성수지로이루어지며속이빈 구형또는속이빈 반구형의형상을가지는태양전지용광산란구조체를포함한다.
摘要翻译：公开了一种用于太阳能电池的光散射复合材料和包括其的太阳能电池。根据一个方面的太阳能电池包括阳极，形成在阳极上的光活性层和形成在光敏层上的阴极。光散射复合材料由热塑性材料制成，具有中空球形或中空半球形。因此，能够提高太阳能电池的效率。

78. 发明授权

KR101614490B1 발광 다이오드 패키지 有权
标题翻译：发光二极管封装
公开(公告)号：KR101614490B1
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：KR1020090116121
申请日：2009-11-27
申请人： 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사
发明人： 이종람 , 손준호
IPC分类号： H01L33/48
摘要： 본발명은발광다이오드패키지및 그제조방법에관한것으로, 특히고전류주입시 발생하는 'efficiency droop' 현상을억제하여발광효율을향상시켜고출력고효율수평형 LED를구현하는것을특징으로한다. 이러한본 발명은발광다이오드패키지의제조방법에있어서, 수평형 LED가부착되는패키지바닥면에오목한곡률을가지는기구물을형성시키고, 그바닥면에얇게폴리싱된사파이어기판을지지기판으로사용하는수평형 LED를다이본딩하면, 수평형 LED는바닥면의곡률에의해휘어지게된다. 이때 LED 에피웨이퍼에응력에가해지게되어압전분극이발생하고, 이에따라양자우물층의밴드구조가변화하게되어내부양자효율이증가한다. 이렇게제작된수평형 LED 패키지는고전류주입시 발생하는 'efficiency droop' 현상을줄일수 있어, 조명에적합한고출력고효율수평형화합물반도체발광다이오드를얻을수 있게된다.

79. 发明授权

KR101600362B1 이종 접합 가지형 나노와이어를 구비한 발광다이오드 有权
标题翻译：包含分支式纳米结构的发光装置
公开(公告)号：KR101600362B1
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：KR1020140011468
申请日：2014-01-29
申请人： 울산과학기술원 , 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 김범준 , 이종람 , 박재용 , 백정민 , 예병욱
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/16
摘要： 본발명은가지형나노와이어를구비한발광다이오드에관한것이다. 본발명에따른발광다이오드는, 반도체의출광면상에형성되는나노구조체를포함하고, 상기나노구조체는상기출광면상에형성되며상부로갈수록직경이줄어드는복수의제1 나노와이어와, 상기제1 나노와이어의표면에특정방향으로배향되어돌출형성된복수의제2 나노와이어를포함하는발광다이오드.

80. 发明公开

KR1020160017533A 화합물 반도체 소자, 및 이를 제조하기 위한 웨이퍼 본딩 방법 有权
标题翻译：化合物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160017533A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：KR1020140101226
申请日：2014-08-06
申请人： 주식회사 포스코 , 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 이종람 , 송양희 , 김경준
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 화합물반도체소자, 및이를제조하기위한웨이퍼본딩방법에관한것으로, 구체적으로는, 질화갈륨계반도체기판; 상기반도체기판상에형성된제 1 전도성확산방지층; 상기제 1 전도성확산방지층상에형성된금속접합층; 상기금속접합층상에형성된제 2 전도성확산방지층; 및상기제 2 전도성확산방지층상에위치하고, 니켈을함유하는강철기판;을포함하는화합물반도체소자를제공하는한편, 상기제 2 전도성확산방지층에의해, 상기니켈을함유하는강철기판및 상기금속접합층내 원소들의확산및/또는상기니켈을함유하는강철기판및 상기금속접합층사이의반응이제어되는것인웨이퍼본딩방법을제공할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。更具体地，提供了一种化合物半导体器件，其包括：氮化镓基半导体衬底; 形成在所述半导体衬底上的第一导电扩展防止层; 形成在所述第一导电铺展防止层上的金属接合层; 形成在所述金属接合层上的第二导电铺展防止层; 以及设置在第二导电铺展防止层上并含有镍的金属基板。金属接合层和金属基板之间的反应，包含镍，和/或金属接合层和金属基板中的元素的扩散由第二导电铺展防止层控制。

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