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71. 发明公开

KR1020170137978A 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：有机发光显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170137978A
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：KR1020160069395
申请日：2016-06-03
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조승환 , 박상호 , 윤주선 , 이승민 , 이정규 , 이장두
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/00 , H01L27/12 , H01L51/56
摘要： 본발명의일 실시예는기판상에구비되는박막트랜지스터, 상기박막트랜지스터와전기적으로연결되는제1 전극, 상기제1 전극의엣지부에형성되며화소영역과비화소영역을정의하는화소정의막, 상기제1 전극과대향되게배치되는제2 전극및 상기제1 전극과상기제2 전극사이에형성되는중간층을포함하며, 상기화소정의막은상기엣지부로부터일부가돌출되어형성되는돌출부를포함하고, 상기중간층은빛이발생하는발광층및 상기돌출부를모두커버하도록상기기판전면에증착되는공통층을포함하는유기발광표시장치를개시한다.
摘要翻译：在本发明的一个实施例中，薄膜晶体管设置在基板上，第一电极电连接到薄膜晶体管，像素限定层形成在第一电极的边缘部分中并且限定像素区域和非像素区域，与所述第一电极相对设置的第二电极以及形成在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，其中，所述像素限定层包括通过从所述边缘部分部分地突出而形成的突起，并且在衬底的整个表面上沉积公共层以覆盖所有的突起。

72. 发明公开

KR1020170126556A 디스플레이 장치 审中-实审
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：KR1020170126556A
公开(公告)日：2017-11-20
申请号：KR1020160056603
申请日：2016-05-09
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이정규 , 심동환 , 김태현 , 박상호 , 이승민 , 조승환
IPC分类号： G02F1/1345 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L27/3279 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5256
摘要： 디스플레이장치를개시한다. 본발명의일 실시예는화상을표시하는표시영역및 상기표시영역외측에배치된주변영역을포함하는기판; 상기주변영역에서동일한층에배치된메인배선및 보조배선; 상기메인배선과상기보조배선을연결하는연결배선; 상기메인배선을적어도일부덮으며배치된댐부; 및상기표시영역및 주변영역을밀봉하는박막봉지층;을포함하며, 상기메인배선은상기보조배선보다표시영역과인접하게배치되며, 상기보조배선은상기댐부와이격하여배치된, 디스플레이장치를개시한다.
摘要翻译：公开了一种显示装置。根据本发明的实施例，提供了一种显示装置，包括：衬底，包括用于显示图像的显示区域;以及设置在显示区域外部的外围区域; 主要布线和辅助布线布置在周边区域中的同一层中; 连接主线和辅助线的连接线; 堰部，其至少部分地覆盖主布线; 以及密封显示区域和外围区域的薄膜封装层，其中主线路布置为与辅助布线相比靠近显示区域，并且辅助布线与堰部分隔开布置。的。

73. 发明公开

KR1020170023271A 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：有机发光显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170023271A
公开(公告)日：2017-03-03
申请号：KR1020150116849
申请日：2015-08-19
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조승환 , 박상호 , 심동환 , 안기완 , 윤주선
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/56
CPC分类号： H01L27/3265
摘要： 본발명의일 실시예는, 복수의화소들을포함하는유기발광표시장치에있어서, 상기복수의화소들각각은, 구동트랜지스터및 상기제1 트랜지스터와전기적으로연결된스토리지커패시터를포함하는구동회로부를포함하며, 상기제1 트랜지스터는구동활성층및 상기구동활성층과절연되며상기구동활성층의적어도일부상에배치된제1 전극을포함하고, 상기스토리지커패시터는상기제1 전극과상기제1 전극에대향된(facing) 제2 전극으로구성된제1 커패시터및 상기제2 전극과상기제2 전극에대향된제3 전극을포함하는제2 커패시터를포함하는, 유기발광표시장치를개시한다.
摘要翻译：公开了一种有机发光二极管（OLED）显示器。一方面，显示器包括多个像素，每个像素包括驱动电路，驱动电路包括驱动晶体管和与驱动晶体管电连接的存储电容器。驱动晶体管包括驱动有源层和第一电极，第一电极与驱动有源层绝缘并且设置在驱动有源层的至少一部分上。存储电容器包括包括第一电极和面向第一电极的第二电极的第一电容器和包括第二电极的第二电容器和面向第二电极的第三电极。

74. 发明公开

KR1020170000064A 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板的制造方法
公开(公告)号：KR1020170000064A
公开(公告)日：2017-01-02
申请号：KR1020150088716
申请日：2015-06-22
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 안기완 , 김정현 , 조승환
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78645
摘要： 본발명의일 실시예는기판상에제1영역및 상기제1영역의양측에구비되는제2영역과제3영역을포함하는반도체패턴을형성하는공정, 상기반도체패턴을덮도록상기기판상에제1 절연층을형성하는공정, 제1감광패턴을이용하여상기제1절연층상에금속패턴층을형성하는공정, 상기제1감광패턴을이용하여상기반도체패턴을제1불순물로도핑하는제1도핑공정, 제2감광패턴을이용하여상기금속패턴층을패터닝하여게이트전극을형성하는공정, 및상기반도체패턴을상기제1불순물보다저농도인제2불순물로도핑하는제2도핑공정을포함하는, 박막트랜지스터기판의제조방법을개시한다.
摘要翻译：制造薄膜晶体管基板的方法包括在基板上形成半导体图案，其中半导体图案包括第一区域，第二区域和第三区域，其中第二区域和第三区域位于第一区; 在所述衬底上形成绝缘层以覆盖所述半导体图案; 使用第一感光图案在所述绝缘层上形成金属图案层; 使用第一感光图案，用第一杂质掺杂半导体图案; 通过使用第二感光图案图案化所述金属图案层来形成栅电极; 并且用具有比第一杂质低的浓度的第二杂质来掺杂半导体图案。

75. 发明公开

KR1020160082865A 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列基底和有机发光显示器，包括它们
公开(公告)号：KR1020160082865A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：KR1020140192549
申请日：2014-12-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조승환 , 권도현 , 심동환 , 이성은 , 이일정 , 이정규 , 이정수
IPC分类号： H01L27/32 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/3265 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/32 , H01L27/3202 , H01L29/786
摘要： 본발명은기판상에구비되는구동박막트랜지스터및 기판상에구비되며스위칭채널영역, 스위칭소스영역및 스위칭드레인영역으로구성되는스위칭반도체층; 및상기스위칭반도체층과접하는스위칭소스전극및 스위칭드레인전극을포함하는스위칭박막트랜지스터;를포함하고, 상기스위칭소스전극에상기스위칭소스영역과접하는소스컨택부와상기스위칭드레인전극이상기스위칭드레인영역과접하는드레인컨택부가형성되고, 상기소스컨택부는상기스위칭소스영역과다른이온으로도핑되고상기드레인컨택부는상기스위칭드레인영역과다른이온으로도핑되는박막트랜지스터어레이기판을개시한다.
摘要翻译：本发明公开了一种薄膜晶体管（TFT）阵列基板，包括设置在基板上的驱动TFT和开关TFT。开关TFT包括：设置在基板上的开关半导体层，由开关沟道区域，开关源极区域和开关漏极区域构成; 以及与开关半导体层接触的开关源电极和开关漏电极。在开关源电极上形成有与开关源极区域接触的源极接触部以及开关用漏极与开关漏极区域接触的漏极接触部。源极接触部分掺杂有与开关源极区域的离子不同的离子，并且漏极接触部分掺杂有与开关漏极区域的离子不同的离子。因此，可以防止当接触电阻增加并且IR降低时发生的高电压引起的劣化。

76. 发明公开

KR1020160042247A 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160042247A
公开(公告)日：2016-04-19
申请号：KR1020140135117
申请日：2014-10-07
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 심동환 , 심수연 , 조승환 , 이성은 , 이정규
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78675 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L29/78618
摘要： 본발명은기판상에형성되는액티브패턴, 게이트절연막을사이에두고상기액티브패턴의상부에형성되며게이트전극및 게이트라인을포함하는게이트패턴, 상기액티브패턴의일측과겹치도록형성되며, 데이터라인과접속되는소스전극, 상기액티브패턴의타측과겹치도록형성되며, 상기소스전극과이격되어형성되는드레인전극및 상기게이트라인과상기액티브라인이겹치는부분에형성되는채널부를포함하고, 상기채널부에서상기게이트라인은형상이선형으로부터변형되어형성되는게이트라인변형부로이루어지는박막트랜지스터를개시한다.
摘要翻译：根据本发明，公开了一种薄膜晶体管，包括：形成在基板上的有源图案; 形成在有源图案的上部的栅极图案，其间具有栅极绝缘层，并且包括栅电极和栅极线; 源电极与有源图案的一侧重叠并连接到数据线; 漏电极与有源图案的另一侧重叠并与源电极间隔开; 形成在栅极线和有源线彼此重叠的区域中的沟道部分; 以及通过在通道部分中从线性形状修改栅极线的形状而形成的栅极线修改单元。根据本发明，可以增加通道部分的宽度，而不增加有源线或栅极线的面积。

77. 发明公开

KR1020150030038A 표시패널 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：显示面板及其制作方法
公开(公告)号：KR1020150030038A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：KR1020130109224
申请日：2013-09-11
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조승환 , 강윤호 , 김동조 , 신영기 , 심동환
IPC分类号： G09F9/00 , H01L51/52 , G02F1/13
CPC分类号： H01L27/3265 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1259 , H01L51/5203 , G02F1/125 , G09F9/33 , H01L51/56 , H01L2251/53
摘要： 표시패널은 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치된 반도체 패턴, 표시소자, 제1 박막 트랜지스터를 포함한다. 상기 제1 박막 트랜지스터는 상기 반도체 패턴 상에 배치된 입력전극 및 출력전극을 포함한다. 상기 반도체 패턴의 일부분은 상기 제1 박막 트랜지스터의 활성층을 구성한다.
摘要翻译：显示面板包括基底基板，布置在基底基板上的半导体图案，显示装置和第一薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括布置在半导体图案上的输入电极和输出电极。半导体图案的一部分包括第一薄膜晶体管的有源层。

78. 发明授权

KR101427707B1 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：有机薄膜晶体管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR101427707B1
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：KR1020080015830
申请日：2008-02-21
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 신중한 , 조승환 , 신성식 , 송근규 , 노정훈
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L27/283 , G02F1/1368 , G02F2202/02 , H01L51/0545 , H01L51/105
摘要： 본 발명은 제조 공정을 줄여 공정을 단순화할 수 있는 유기 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터 기판은, 기판 상에 절연 교차하여 화소 영역을 구획짓는 게이트 라인 및 데이터 라인; 상기 게이트 라인에 연결된 게이트 전극; 상기 데이터 라인에 연결된 소스 전극 및 상기 게이트 전극을 사이에 두고 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극; 상기 게이트 전극을 덮으며 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 일부를 드러내도록 형성된 게이트 절연막; 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 접촉하는 유기 반도체층; 상기 유기 반도체층 위에 형성되며, 상기 유기 반도체층을 보호하는 유기 보호막을 포함한다.

79. 发明公开

KR1020140089813A 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管，其制造方法和显示装置
公开(公告)号：KR1020140089813A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020130001699
申请日：2013-01-07
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정서홍 , 이선희 , 조승환 , 차명근 , 강윤호 , 신영기
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78621 , H01L29/7869 , H01L29/06 , H01L29/66742
摘要： A thin film transistor includes a semiconductor layer which is disposed on a base substrate and includes an oxide semiconductor material; a source electrode and a drain electrode which are extended from both sides of the semiconductor layer; low carrier areas which are disposed between the source and drain electrodes and the semiconductor layer; a gate insulating film which is disposed on the semiconductor layer; and a gate electrode which is disposed on the gate insulating film.
摘要翻译：薄膜晶体管包括设置在基底基板上并包括氧化物半导体材料的半导体层; 源电极和漏电极，其从半导体层的两侧延伸; 设置在源极和漏极之间的低载流子区域和半导体层; 设置在半导体层上的栅极绝缘膜; 以及设置在栅极绝缘膜上的栅电极。

80. 发明授权

KR101326129B1 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：有机薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR101326129B1
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：KR1020070074016
申请日：2007-07-24
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 노정훈 , 송근규 , 조승환
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L51/0541 , H01L27/3274 , H01L51/0558
摘要： 본 발명은 기판 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 데이터선과 분리되어 있는 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 데이터선 및 상기 드레인 전극 위에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 일부를 드러내는 제1 개구부 및 상기 드레인 전극의 일부를 드러내는 제2 개구부를 갖는 뱅크 절연막을 형성하는 단계, 상기 제1 개구부에 유기 반도체를 형성하는 단계, 상기 뱅크 절연막 및 상기 유기 반도체 위에 게이트 절연층 및 게이트층을 연속 증착하는 단계, 상기 게이트층 위에 제1 보호막을 형성하는 단계, 상기 게이트층을 식각하여 게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연층을 식각하여 게이트 절연막을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 보호막 위에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 � �시판의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 반도체, 불소계 화합물, 포토레지스트 스트립퍼

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