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71. 发明专利

TWI556408B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI556408B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW100108717
申请日：2011-03-15
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：加藤清 , KATO, KIYOSHI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L27/105 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/1108 , G11C16/0408 , H01L27/0688 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L28/60

73. 发明专利

TWI529737B 半導體裝置及其驅動方法有权
简体标题：半导体设备及其驱动方法
公开(公告)号：TWI529737B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW100104212
申请日：2011-02-09
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：齋藤利彥 , SAITO, TOSHIHIKO , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 井上廣樹 , INOUE, HIROKI
IPC分类号： G11C5/06 , G11C11/405
CPC分类号： G11C11/405 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L28/40

74. 发明专利

TW201547000A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201547000A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104115119
申请日：2015-05-12
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：熱海知昭 , ATSUMI, TOMOAKI , 小林由幸 , KOBAYASHI, YOSHIYUKI , 塩野入豊 , SHIONOIRI, YUTAKA , 八窪裕人 , YAKUBO, YUTO , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L27/02 , G05F3/02 , G05F3/16 , G05F3/26 , G05F3/28
CPC分类号： H01L29/7869 , G05F3/262 , H01L27/085 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/1606 , H01L29/2003 , H01L29/24 , H01L29/66439 , H01L29/66795 , H01L29/7782 , H01L29/785 , H01L29/78648 , H01L29/78696
摘要：本發明的一個方式的目的之一是提供一種佔有面積小的半導體裝置。本發明的一個方式是具有電阻元件的半導體裝置。電阻元件具有電晶體。在電晶體的汲極電壓高於閘極電壓與臨界電壓之差值的情況下，電晶體的汲極電壓變化0.1V時的汲極電流的增高率較佳為1%以上。另外，本發明的一個方式的半導體裝置具有生成相應於電阻元件的電阻值的電壓的功能。
简体摘要：本发明的一个方式的目的之一是提供一种占有面积小的半导体设备。本发明的一个方式是具有电阻组件的半导体设备。电阻组件具有晶体管。在晶体管的汲极电压高于闸极电压与临界电压之差值的情况下，晶体管的汲极电压变化0.1V时的汲极电流的增高率较佳为1%以上。另外，本发明的一个方式的半导体设备具有生成相应于电阻组件的电阻值的电压的功能。

75. 发明专利

TW201537570A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201537570A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW104121318
申请日：2010-12-24
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 井上廣樹 , INOUE, HIROKI
IPC分类号： G11C11/405 , H01L27/105
CPC分类号： H01L29/7869 , G11C16/0425 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L27/10805 , H01L27/11 , H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/1225 , H01L28/40 , H01L29/78693 , H01L29/788 , H01L29/7881 , H01L29/792
摘要：半導體裝置包括源極線、位元線、信號線、字線、在源極線與位元線之間並聯連接的記憶胞、經由切換元件電連接至源極線及位元線之第一驅動器電路、經由切換元件電連接至源極線之第二驅動器電路、電連接至信號線之第三驅動器電路、以及電連接至字線之第四驅動器電路。記憶胞包括包含第一閘極電極、第一源極電極、及第一汲極電極之第一電晶體、包含第二閘極電極、第二源極電極、及第二汲極電極之第二電晶體、以及電容器。第二電晶體包含氧化物半導體材料。
简体摘要：半导体设备包括源极线、比特线、信号线、字线、在源极线与比特线之间并联连接的记忆胞、经由切换组件电连接至源极线及比特线之第一驱动器电路、经由切换组件电连接至源极线之第二驱动器电路、电连接至信号线之第三驱动器电路、以及电连接至字线之第四驱动器电路。记忆胞包括包含第一闸极电极、第一源极电极、及第一汲极电极之第一晶体管、包含第二闸极电极、第二源极电极、及第二汲极电极之第二晶体管、以及电容器。第二晶体管包含氧化物半导体材料。

76. 发明专利

TWI499296B 顯示裝置有权
简体标题：显示设备
公开(公告)号：TWI499296B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW096150196
申请日：2007-12-26
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：畑勇氣 , HATA, YUKI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 木村彰宏 , KIMURA, AKIHIRO
IPC分类号： H04N5/44 , G09F9/00
CPC分类号： G09G3/2096 , G06F3/14 , G06F3/147 , G09G3/2092 , G09G2330/02 , G09G2370/16 , G09G2380/04 , G09G2380/06 , H04N5/66

77. 发明专利

TWI485708B 記憶體裝置及半導體裝置有权
简体标题：内存设备及半导体设备
公开(公告)号：TWI485708B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW100107745
申请日：2011-03-08
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：齋藤利彥 , SAITO, TOSHIHIKO , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： G11C16/02 , H01L29/786 , H01L27/115 , H01L21/336
CPC分类号： G11C16/26 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C14/00 , G11C16/0433

78. 发明专利

TW201329948A 顯示裝置的驅動電路及具備該驅動電路的顯示裝置审中-公开
简体标题：显示设备的驱动电路及具备该驱动电路的显示设备
公开(公告)号：TW201329948A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101144214
申请日：2012-11-26
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 熱海知昭 , ATSUMI, TOMOAKI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： G09G3/36 , G09G3/30
CPC分类号： G09G3/36 , G09G3/3648 , G09G2360/144
摘要：本發明提供一種顯示裝置的驅動電路，在顯示裝置中，即使根據外部環境的變化頻繁重構查找表而將其保持在儲存電路中，也可以在回掃期間內對儲存電路進行查找表的寫入，並且即使電源電壓的供應停止也可以保持查找表的資料。作為儲存電路，使用具有在半導體層中包含氧化物半導體的電晶體的儲存電路，該儲存電路設置在顯示裝置的驅動電路中並儲存用來根據外部環境的變化進行影像信號的校正的查找表。
简体摘要：本发明提供一种显示设备的驱动电路，在显示设备中，即使根据外部环境的变化频繁重构查找表而将其保持在存储电路中，也可以在回扫期间内对存储电路进行查找表的写入，并且即使电源电压的供应停止也可以保持查找表的数据。作为存储电路，使用具有在半导体层中包含氧化物半导体的晶体管的存储电路，该存储电路设置在显示设备的驱动电路中并存储用来根据外部环境的变化进行影像信号的校正的查找表。

79. 发明专利

TW201308901A 半導體積體電路审中-公开
简体标题：半导体集成电路
公开(公告)号：TW201308901A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101117216
申请日：2012-05-15
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 八窪裕人 , YAKUBO, YUTO
IPC分类号： H03K3/037 , H03K19/185 , G11C11/22
CPC分类号： H01L27/06 , G11C11/412 , G11C14/0063 , H01L27/1052 , H01L27/1225
摘要：降低記憶體裝置的耗電。降低記憶體裝置的面積。降低包含在記憶體裝置中的電晶體的數目。記憶體裝置包含比較第一輸出訊號與第二輸出訊號的比較器、第一記憶體部、第二記憶體部、及輸出電位決定器，第一記憶體部包含第一氧化物半導體電晶體、以及第一矽電晶體，第二記憶體部包含第二氧化物半導體電晶體以及第二矽電晶體，輸出電位決定器決定第一輸出訊號的電位及第二輸出訊號的電位。第一氧化物半導體電晶體的源極和汲極的其中之一係電連接至第一矽電晶體的閘極。第二氧化物半導體電晶體的源極和汲極的其中之一係電連接至第二矽電晶體的閘極。
简体摘要：降低内存设备的耗电。降低内存设备的面积。降低包含在内存设备中的晶体管的数目。内存设备包含比较第一输出信号与第二输出信号的比较器、第一内存部、第二内存部、及输出电位决定器，第一内存部包含第一氧化物半导体晶体管、以及第一硅晶体管，第二内存部包含第二氧化物半导体晶体管以及第二硅晶体管，输出电位决定器决定第一输出信号的电位及第二输出信号的电位。第一氧化物半导体晶体管的源极和汲极的其中之一系电连接至第一硅晶体管的闸极。第二氧化物半导体晶体管的源极和汲极的其中之一系电连接至第二硅晶体管的闸极。

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