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71. 发明专利

TW536549B 新穎之及光阻材料用光酸發生劑、以及光阻材料及形成圖型之方法有权
简体标题：新颖之及光阻材料用光酸发生剂、以及光阻材料及形成图型之方法
公开(公告)号：TW536549B
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：TW089116464
申请日：2000-08-15
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：大澤洋一 , 渡邊淳 , 草木涉 , 渡邊聰 , 永田岳志 , 名倉茂廣
IPC分类号： C08L
CPC分类号： C07C309/73 , C07C309/71 , C07C381/12 , C07C2602/42 , G03F7/0045 , G03F7/039 , Y10S430/115 , Y10S430/122
摘要：本發明係有關一種用於可感應紫外線、遠紫外線、電子線、X線、激元激光、γ線、同步加速放射線等放射線集積迴路之增強化學性光阻材料之鹽及，光阻材料用光酸發生劑及含有此鹽之光阻材料及圖型之形成方法。
(式中，R1為碳數1～10之直鏈、支鏈或環狀之取代或末取代之烷基或碳數6～14之取代或未取代之芳基；R2可為相同或不同之氫原子或碳數1～6之直鏈、支鏈或環狀之取代或未取代之烷基；p為1～5，q為0～4之整數，且p+q=5；R3可為相同或不同之碳數1～10之直鏈、支鏈或環狀之取代或未取代之烷基，或碳數6～14之取代或未取代之芳基；M為硫原子或碘原子， M為硫原子時，a為3，M為碘原子時，a為2)。
简体摘要：本发明系有关一种用于可感应紫外线、远紫外线、电子线、X线、激元激光、γ线、同步加速放射线等放射线集积回路之增强化学性光阻材料之盐及，光阻材料用光酸发生剂及含有此盐之光阻材料及图型之形成方法。 (式中，R1为碳数1～10之直链、支链或环状之取代或末取代之烷基或碳数6～14之取代或未取代之芳基；R2可为相同或不同之氢原子或碳数1～6之直链、支链或环状之取代或未取代之烷基；p为1～5，q为0～4之整数，且p+q=5；R3可为相同或不同之碳数1～10之直链、支链或环状之取代或未取代之烷基，或碳数6～14之取代或未取代之芳基；M为硫原子或碘原子， M为硫原子时，a为3，M为碘原子时，a为2)。

72. 发明专利

TW494279B 增强化學性之正型抗蝕材料失效
简体标题：增强化学性之正型抗蚀材料
公开(公告)号：TW494279B
公开(公告)日：2002-07-11
申请号：TW085116034
申请日：1996-12-23
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：渡邊聰 , 石原俊信 , 名倉茂 , 山岡亞夫
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , Y10S430/106
摘要：本發明係有關一種增強化學性之正型抗蝕材料，其含有，(A)有機溶劑，(B)作為基料樹脂的一般式(1)所示之重量平均分子量為3，000~300，000的高分子化合物，(C)產酸劑，(D)分子內具有2個以上之乙烯醚基的化合物。
(1)(其中，R1為氫原子或甲基，R2為式(2)所示之基，
(2)
简体摘要：本发明系有关一种增强化学性之正型抗蚀材料，其含有，(A)有机溶剂，(B)作为基料树脂的一般式(1)所示之重量平均分子量为3，000~300，000的高分子化合物，(C)产酸剂，(D)分子内具有2个以上之乙烯醚基的化合物。 (1)(其中，R1为氢原子或甲基，R2为式(2)所示之基， (2)

73. 发明专利

TW390973B 化學放大正型光阻組成物失效
简体标题：化学放大正型光阻组成物
公开(公告)号：TW390973B
公开(公告)日：2000-05-21
申请号：TW084105763
申请日：1995-06-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 , 日本電信電話股份有限公司
发明人：渡邊聰 , 及川勝之 , 石原俊信 , 田中啓順 , 松田維人 , 河合義夫
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/039 , Y10S430/115 , Y10S430/122
摘要：一種化學放大正型光阻組成物，該組成物包含一三氟甲烷磺酸或對－甲苯磺酸二或三（對－第三丁氧基苯基）與一含氮之化合物。此組成物對高能量輻射是高感光的（特別是ＫｒＦ準分子雷射），且此組成物具有高感光性、解析與等離子體蝕刻阻抗，而所得之光阻圖案是對熱有阻抗的。
简体摘要：一种化学放大正型光阻组成物，该组成物包含一三氟甲烷磺酸或对－甲苯磺酸二或三（对－第三丁氧基苯基）与一含氮之化合物。此组成物对高能量辐射是高感光的（特别是ＫｒＦ准分子激光），且此组成物具有高感光性、解析与等离子体蚀刻阻抗，而所得之光阻图案是对热有阻抗的。

74. 发明专利

TW202003601A 單體、聚合物、負型光阻組成物、空白光罩、及光阻圖案形成方法审中-公开
简体标题：单体、聚合物、负型光阻组成物、空白光罩、及光阻图案形成方法
公开(公告)号：TW202003601A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108117413
申请日：2019-05-21
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：土門大將 , DOMON, DAISUKE , 提箸正義 , SAGEHASHI, MASAYOSHI , 小竹正晃 , KOTAKE, MASAAKI , 井上直也 , INOUE, NAOYA , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI
IPC分类号： C08F220/30 , G03F7/038 , G03F7/033 , H01L21/027
摘要：本發明之課題係提供會形成實現50nm以下之高解像性、較小的LER，且缺陷產生非常少之光阻膜的負型光阻組成物；並提供該光阻組成物所使用之聚合物、及使用該光阻組成物之圖案形成方法。一種聚合物，含有下式(a)表示之重複單元。式中，RA為氫原子或甲基。R1及R2各自獨立地為氫原子、或碳數1～15之1級或2級烷基，該烷基之氫原子之一部分亦可取代為羥基或碳數1～6之烷氧基。又，R1及R2也可彼此鍵結並和它們所鍵結之碳原子一起形成環。k1為0或1。k2為2～4之整數。
简体摘要：本发明之课题系提供会形成实现50nm以下之高解像性、较小的LER，且缺陷产生非常少之光阻膜的负型光阻组成物；并提供该光阻组成物所使用之聚合物、及使用该光阻组成物之图案形成方法。一种聚合物，含有下式(a)表示之重复单元。式中，RA为氢原子或甲基。R1及R2各自独立地为氢原子、或碳数1～15之1级或2级烷基，该烷基之氢原子之一部分亦可取代为羟基或碳数1～6之烷氧基。又，R1及R2也可彼此键结并和它们所键结之碳原子一起形成环。k1为0或1。k2为2～4之整数。

75. 发明专利

TW202003455A 鎓鹽、化學增幅正型光阻組成物及光阻圖案形成方法审中-公开
简体标题：鎓盐、化学增幅正型光阻组成物及光阻图案形成方法
公开(公告)号：TW202003455A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108117408
申请日：2019-05-21
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：井上直也 , INOUE, NAOYA , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 土門大將 , DOMON, DAISUKE
IPC分类号： C07C309/73 , C07C381/12 , C07D493/08 , C07D327/08 , G03F7/039 , H01L21/027
摘要：本發明提供能產生適度強度且擴散小的酸的鎓鹽、含有此鎓鹽之化學增幅正型光阻組成物、及使用該光阻組成物之光阻圖案形成方法。下式(1)表示之鎓鹽、及含有此鎓鹽之化學增幅正型光阻組成物。式中，A+為下式(2)表示之鋶陽離子、下式(3)表示之錪陽離子或下式(4)表示之銨陽離子。
简体摘要：本发明提供能产生适度强度且扩散小的酸的鎓盐、含有此鎓盐之化学增幅正型光阻组成物、及使用该光阻组成物之光阻图案形成方法。下式(1)表示之鎓盐、及含有此鎓盐之化学增幅正型光阻组成物。式中，A+为下式(2)表示之锍阳离子、下式(3)表示之錪阳离子或下式(4)表示之铵阳离子。

77. 发明专利

TWI584064B 空白光罩、光阻圖案形成方法及光罩之製造方法有权
简体标题：空白光罩、光阻图案形成方法及光罩之制造方法
公开(公告)号：TWI584064B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW105110681
申请日：2016-04-06
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：阿達鐵平 , ADACHI, TEPPEI , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 土門大將 , DOMON, DAISUKE , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI
IPC分类号： G03F7/004 , C08F220/28 , C08F220/32 , C08F212/14 , G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F1/20
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F1/50 , G03F1/80 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/09 , G03F7/093 , G03F7/11 , G03F7/2059 , G03F7/322 , G03F7/36 , G03F7/40 , G03F7/405

78. 发明专利

TWI574106B 空白光罩、光阻圖案的形成方法、及光罩的製造方法有权
简体标题：空白光罩、光阻图案的形成方法、及光罩的制造方法
公开(公告)号：TWI574106B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW104138662
申请日：2015-11-23
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：阿達鐵平 , ADACHI, TEPPEI , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 土門大將 , DOMON, DAISUKE , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , G03F1/50
CPC分类号： G03F1/78 , G03F1/20 , G03F1/80 , G03F7/0046 , G03F7/0392

79. 发明专利

TW201701073A 光阻組成物及圖案形成方法审中-公开
简体标题：光阻组成物及图案形成方法
公开(公告)号：TW201701073A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105112880
申请日：2016-04-26
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：山田健司 , YAMADA, KENJI , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI
IPC分类号： G03F7/033 , G03F7/038 , C08L33/06 , C08L33/14 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0392 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/2059 , G03F7/325 , G03F7/38
摘要：本發明提供能抑制時間經過引起的CD收縮、圖案形狀之變化且能形成安定圖案之光阻組成物，及使用此組成物之圖案形成方法。一種光阻組成物，包括：(A)下式(1)表示之化合物；(B)含有預定之重複單元且因酸作用對於含有機溶劑之顯影液之溶解度變化之樹脂；及(C)光酸產生劑；式中，R1 ~R4 各自獨立地表示氫原子、羥基、或也可以含有雜原子之碳數1~20之直鏈狀、分支狀或環狀之1價烴基；R1 ~R4 也可以互相鍵結並和它們所鍵之碳原子及此等之間之碳原子一起形成環。
简体摘要：本发明提供能抑制时间经过引起的CD收缩、图案形状之变化且能形成安定图案之光阻组成物，及使用此组成物之图案形成方法。一种光阻组成物，包括：(A)下式(1)表示之化合物；(B)含有预定之重复单元且因酸作用对于含有机溶剂之显影液之溶解度变化之树脂；及(C)光酸产生剂；式中，R1 ~R4 各自独立地表示氢原子、羟基、或也可以含有杂原子之碳数1~20之直链状、分支状或环状之1价烃基；R1 ~R4 也可以互相键结并和它们所键之碳原子及此等之间之碳原子一起形成环。

80. 发明专利

TW201701064A 空白光罩、光阻圖案形成方法及光罩之製造方法审中-公开
简体标题：空白光罩、光阻图案形成方法及光罩之制造方法
公开(公告)号：TW201701064A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105110681
申请日：2016-04-06
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：阿達鐵平 , ADACHI, TEPPEI , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 土門大將 , DOMON, DAISUKE , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI
IPC分类号： G03F7/004 , C08F220/28 , C08F220/32 , C08F212/14 , G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F1/20
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F1/50 , G03F1/80 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/09 , G03F7/093 , G03F7/11 , G03F7/2059 , G03F7/322 , G03F7/36 , G03F7/40 , G03F7/405
摘要：一種空白光罩，具備高能射線曝光用之化學增幅負型光阻膜，上述光阻膜包括： (A)高分子化合物，含有下列通式(1)表示之重複單元與至少有1個氟原子之重複單元； (B)因酸作用對於鹼顯影液之溶解度減少之基礎樹脂； (C)酸產生劑；及 (D)鹼性化合物。藉由為含(A)高分子化合物之光阻膜，塗佈在光阻膜上之抗靜電膜之塗佈性分外提高，圖案形成時可形成高精度之光阻圖案。
简体摘要：一种空白光罩，具备高能射线曝光用之化学增幅负型光阻膜，上述光阻膜包括： (A)高分子化合物，含有下列通式(1)表示之重复单元与至少有1个氟原子之重复单元； (B)因酸作用对于碱显影液之溶解度减少之基础树脂； (C)酸产生剂；及 (D)碱性化合物。借由为含(A)高分子化合物之光阻膜，涂布在光阻膜上之抗静电膜之涂布性分外提高，图案形成时可形成高精度之光阻图案。

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