专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

71. 发明授权

KR101968341B1 충방전 제어 회로 및 배터리 장치 有权
公开(公告)号：KR101968341B1
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：KR1020120024955
申请日：2012-03-12
申请人： 에이블릭 가부시키가이샤
发明人： 사쿠라이아츠시 , 고이케도시유키 , 아베사토시
IPC分类号： H02H7/18 , H02J7/00

72. 发明授权

KR101952967B1 반도체 기억 회로를 구비한 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR101952967B1
公开(公告)日：2019-02-27
申请号：KR1020130004769
申请日：2013-01-16
申请人： 에이블릭 가부시키가이샤
发明人： 나카무라다카시
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/22 , G11C8/10 , G11C29/00

73. 发明授权

KR101939845B1 전압 레귤레이터 有权
公开(公告)号：KR101939845B1
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：KR1020120101389
申请日：2012-09-13
申请人： 에이블릭 가부시키가이샤
发明人： 스즈키데루오
IPC分类号： G05F3/02 , G05F3/24

74. 发明授权

KR101910197B1 반도체 장치의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101910197B1
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：KR1020120020089
申请日：2012-02-28
申请人： 에이블릭 가부시키가이샤
发明人： 가토신지로 , 하라다히로후미
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L28/24
摘要： (과제) 막두께가얇은저항체를갖는저항소자를형성할때에, 저항체의단선에대해강한저항소자를제공한다. (해결수단) 배리어메탈막과알루미늄전극막으로이루어지는적층전극의선단영역을단층의배리어메탈전극으로하고, 병렬하는배리어메탈전극사이에전기적으로접속하는저항체를리프트오프법으로형성한다.

75. 发明授权

KR101899155B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101899155B1
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：KR1020120023438
申请日：2012-03-07
申请人： 에이블릭 가부시키가이샤
发明人： 이노우에아야코 , 츠무라가즈히로
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/00
CPC分类号： H01L27/0629
摘要： (과제) 동일반도체기판상에, 트랜지스터소자, 및, 용량소자, 및, 저항소자를가지는반도체장치에있어서, 충분한기능을가지는용량소자를제공한다. (해결수단) 용량소자를액티브영역상, 저항소자를소자분리영역상에동일한다결정실리콘으로형성한후, CMP나에치백 등으로, 원하는저항소자의막두께가될 때까지, 기판표면을평탄화시키면서깎는다. 이때, 액티브영역과, 소자분리영역의높이의다름에의해, 막두께가얇은저항소자와, 막두께가두꺼운용량소자의상부전극이형성된다. 용량소자의상부전극이충분한막두께를가지므로, 컨택트의관통이방지된다.

76. 发明授权

KR101844064B1 조도 센서 有权
标题翻译：照度传感器
公开(公告)号：KR101844064B1
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：KR1020110035535
申请日：2011-04-18
申请人： 에이블릭 가부시키가이샤
发明人： 마치다사토시
IPC分类号： G01J1/02 , G01J1/44
CPC分类号： G01J1/46
摘要： (과제) 소비전류가입사광의조도의높이에의존하지않는조도센서를제공한다. (해결수단) 앰프 (21∼24) 및감산회로 (25) 는, 정전류원 (도시생략) 으로구동된다. 감산회로 (25) 는, 광검출소자 (15) 와광 검출소자 (16) 의출력전압의차분전압을출력한다. 샘플홀드회로 (30) 는, 그차분전압에기초하는용량 (13) 의타단의전압의샘플또는홀드를실시한다. 스위치 (28) 는, 감산회로 (25) 의출력전압이변화하기시작한상태에서는온됨으로써, 용량 (13) 의타단의전압을기준전압으로고정시킨다.
摘要翻译： [问题]提供一种光强度传感器，其中消耗电流不依赖于入射光的照度的高度。（解决方案）放大器21至24和减法电路25由恒流源（未示出）驱动。减法电路25输出光检测元件15和光检测元件16的输出电压之间的差分电压。采样和保持电路30基于差分电压对电容器13的三态电压进行采样或保持。当减法电路25的输出电压开始变化时，开关28导通，由此将电容器13的级的电压固定到参考电压。

77. 发明授权

KR102255543B1 볼티지 레귤레이터 有权
公开(公告)号：KR102255543B1
公开(公告)日：2021-05-24
申请号：KR1020150011074
申请日：2015-01-23
申请人： 에이블릭 가부시키가이샤
发明人： 도미오카츠토무 , 스기우라마사카즈
IPC分类号： G05F1/56
摘要： (과제) 정상상태에서는오버슈트의억제를실시하지않고출력전압의저하나출력잡음의증대를방지할수 있는볼티지레귤레이터를제공한다. (해결수단) 출력전압에기초하여오버슈트를검출하는오버슈트검출회로와, 오버슈트검출회로의출력에기초하여오차증폭회로의출력단자를제어하는오버슈트억제회로와, 오차증폭회로의출력전압에기초하여출력트랜지스터의상태를판별하는드라이버상태판별회로를구비하고, 드라이버상태판별회로가오버슈트억제회로의동작을제어하는구성으로하였다.

78. 发明授权

KR102227588B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102227588B1
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020140123441
申请日：2014-09-17
申请人： 에이블릭 가부시키가이샤
发明人： 요시노도모유키
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/28
摘要： (과제) 실장성을향상시킨반도체플랫패키지를제공한다. (해결수단) 봉지수지로부터노출되는리드의단면은도금층에덮이고, 상기도금층의측단면과봉지수지의측단면은동일면 상에있는것을특징으로하는반도체장치로한다. 반도체플랫패키지의리드절단부에땜납젖음성이양호한재료를형성하여, 회로기판과의땜납접속강도를향상시킴과함께, 반도체패키지의리드절단부로부터땜납필렛을형성하여, 실장후의땜납자동외관검사의적응을가능하게한다.

79. 发明授权

KR102225712B1 볼티지 레귤레이터 有权
公开(公告)号：KR102225712B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020140178268
申请日：2014-12-11
申请人： 에이블릭 가부시키가이샤
发明人： 도미오카츠토무 , 스기우라마사카즈
IPC分类号： G05F1/56
摘要： [과제] 전원전압의변동이있어도, 출력전압의변동을억제하고, 또한안정적으로동작하는볼티지레귤레이터를제공한다. [해결수단] 입력단자가출력트랜지스터의드레인에접속되고, 출력단자가오차증폭회로에접속되고, 출력전압이소정의전압보다크게변동되었을때에, 오차증폭회로에부스트전류를흘리는제어회로를구비하는볼티지레귤레이터.

80. 发明授权

KR102198205B1 발진 회로, 승압 회로 및 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102198205B1
公开(公告)日：2021-01-04
申请号：KR1020170033311
申请日：2017-03-16
申请人： 에이블릭 가부시키가이샤
发明人： 무라타마사야
IPC分类号： H03K3/354 , H03K19/0185 , G11C5/14
摘要： (과제)고전원전압시의소비전력을저감할수 있는발진회로, 승압회로, 반도체장치를제공한다. (해결수단)발진회로의링 오실레이터회로에있어서, 인버터회로의 PMOS 트랜지스터의기판은제1 전원전압에접속되고, 소스는인버터회로의공급전류를제어하는제1 정전류소자의 PMOS 트랜지스터의드레인에접속되고, 제1 정전류소자의 PMOS 트랜지스터의소스는제1 전원전압이소정의전압이상에서정전압이되는제2 전원전압 VREG에접속하고있다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式