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71. 发明专利

TW200846381A 研磨墊审中-公开
简体标题：研磨垫
公开(公告)号：TW200846381A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW097109615
申请日：2008-03-19
申请人：東洋橡膠工業股份有限公司 TOYO TIRE & RUBBER CO., LTD.
发明人：中井良之 NAKAI, YOSHIYUKI , 數野淳 KAZUNO, ATSUSHI , 木村毅 KIMURA, TSUYOSHI , 下村哲生 SHIMOMURA, TETSUO , 小川一幸 OGAWA, KAZUYUKI
IPC分类号： C08G , B24B , H01L
CPC分类号： B24B37/24 , B24D3/32 , C08G18/10 , C08G18/12 , C08G18/4833 , C08G18/4854 , C08G18/6674 , C08G18/724 , C08G2101/0025 , C08G18/3802 , C08G18/792 , C08G18/3206
摘要：本發明之目的係於提供一種在吸濕或吸水時維持高度的尺寸穩定性,且研磨速度大之研磨墊及其製造方法。又,另一目的係於提供一種使用該研磨墊之半導體元件之製造方法。本發明係有關於一種研磨墊,其具有由含有微細氣泡之聚胺酯發泡體所構成之研磨層,其特徵在於前述聚胺酯發泡體包含有一反應固化體,該反應固化體係由(1)含有異氰酸酯單體、高分子量聚醇��、及低分子量聚醇而構成之異氰酸酯末端預聚物A;(2)含有多量化二異氰酸酯及數均分子量200至1000之聚乙二醇而構成之異氰酸酯末端預聚物B;及(3)鏈伸長劑反應得到者。
简体摘要：本发明之目的系于提供一种在吸湿或吸水时维持高度的尺寸稳定性,且研磨速度大之研磨垫及其制造方法。又,另一目的系于提供一种使用该研磨垫之半导体组件之制造方法。本发明系有关于一种研磨垫,其具有由含有微细气泡之聚胺酯发泡体所构成之研磨层,其特征在于前述聚胺酯发泡体包含有一反应固化体,该反应固化体系由(1)含有异氰酸酯单体、高分子量聚醇��、及低分子量聚醇而构成之异氰酸酯末端预聚物A;(2)含有多量化二异氰酸酯及数均分子量200至1000之聚乙二醇而构成之异氰酸酯末端预聚物B;及(3)链伸长剂反应得到者。

72. 发明专利

TW200831236A 長研磨墊之製造方法审中-公开
简体标题：长研磨垫之制造方法
公开(公告)号：TW200831236A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096138447
申请日：2007-10-15
申请人：東洋橡膠工業股份有限公司 TOYO TIRE & RUBBER CO., LTD.
发明人：中井良之 NAKAI, YOSHIYUKI , 木村毅 KIMURA, TSUYOSHI , 下村哲生 SHIMOMURA, TETSUO , 福田武司 FUKUDA, TAKESHI , 小川一幸 OGAWA, KAZUYUKI
IPC分类号： B24B , B29C , H01L , B29K
CPC分类号： B24B37/205 , B24D18/0009 , B29C65/48 , B29C65/5057 , B29C65/5092 , B29C66/45 , B29C66/4722 , B29C2793/0018 , B29C2793/0027 , B29K2001/00 , B29K2023/06 , B29K2023/12 , B29K2025/00 , B29K2027/06 , B29K2027/12 , B29K2029/00 , B29K2067/00 , B29K2069/00 , B29K2071/00 , B29K2075/00 , B29K2077/00 , B29K2079/08 , B29K2079/085 , B29K2081/06 , B29K2995/0026
摘要：本發明之目的係提供一種可生產性良好地製造能防止漿液外漏且光學偵測精度優異之長研磨墊之方法,又,本發明之長研磨墊之製造方法包含有以下程序:製作由聚胺基甲酸酯發泡體所構成之長研磨領域;於前述長研磨領域形成由貫通孔與架部所構成之開口部;製作比前述長研磨領域薄之凸狀長透光領域;將前述長透光領域設置於前述長研磨領域之開口部內;及將透明支持膜黏合於前述長研磨領域之研磨裡面側。
简体摘要：本发明之目的系提供一种可生产性良好地制造能防止浆液外漏且光学侦测精度优异之长研磨垫之方法,又,本发明之长研磨垫之制造方法包含有以下进程:制作由聚胺基甲酸酯发泡体所构成之长研磨领域;于前述长研磨领域形成由贯通孔与架部所构成之开口部;制作比前述长研磨领域薄之凸状长透光领域;将前述长透光领域设置于前述长研磨领域之开口部内;及将透明支持膜黏合于前述长研磨领域之研磨里面侧。

73. 发明专利

TW200819513A 研磨墊审中-公开
简体标题：研磨垫
公开(公告)号：TW200819513A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW096131820
申请日：2007-08-28
申请人：東洋橡膠工業股份有限公司 TOYO TIRE & RUBBER CO., LTD.
发明人：數野淳 KAZUNO, ATSUSHI , 下村哲生 SHIMOMURA, TETSUO , 中井良之 NAKAI, YOSHIYUKI , 小川一幸 OGAWA, KAZUYUKI , 木村毅 KIMURA, TSUYOSHI
IPC分类号： C09G
CPC分类号： B24B37/24 , B24D3/26 , C08G18/12 , C08G18/4238 , C08G18/4854 , C08G18/664 , C08G18/6674 , C08G18/724 , C08G18/7621 , C08J9/30 , C08J2375/04 , C08L83/00 , C08G18/3243
摘要：本發明之目的係提供一種平坦化特性及耐磨損性優異之研磨墊及其製造方法,又,本發明係有關於一種研磨墊,該研磨墊包含有由聚胺基甲酸酯發泡體所構成之研磨層,且前述聚胺基甲酸酯發泡體具有微細氣泡者,其特徵在於:前述聚胺基甲酸酯發泡體係(1)藉由與4,4'-亞甲基雙(o-氯苯胺)之反應而形成tan��峰値溫度為100℃以上之無發泡聚胺基甲酸酯之異氰酸酯末端預聚合物A;(2)藉由與4,4'-亞甲基雙(o-氯苯胺)之反應而形成tan��峰値溫度為40℃以下之無發泡聚胺基甲酸酯之異氰酸酯末端預聚合物B;及(3)4,4'-亞甲基雙(o-氯苯胺)之反應硬化體,又,前述異氰酸酯末端預聚合物A與前述異氰酸酯末端預聚合物B之摻合比為A/B=50/50-90/10(重量%)。
简体摘要：本发明之目的系提供一种平坦化特性及耐磨损性优异之研磨垫及其制造方法,又,本发明系有关于一种研磨垫,该研磨垫包含有由聚胺基甲酸酯发泡体所构成之研磨层,且前述聚胺基甲酸酯发泡体具有微细气泡者,其特征在于:前述聚胺基甲酸酯发泡体系(1)借由与4,4'-亚甲基双(o-氯苯胺)之反应而形成tan��峰値温度为100℃以上之无发泡聚胺基甲酸酯之异氰酸酯末端预聚合物A;(2)借由与4,4'-亚甲基双(o-氯苯胺)之反应而形成tan��峰値温度为40℃以下之无发泡聚胺基甲酸酯之异氰酸酯末端预聚合物B;及(3)4,4'-亚甲基双(o-氯苯胺)之反应硬化体,又,前述异氰酸酯末端预聚合物A与前述异氰酸酯末端预聚合物B之掺合比为A/B=50/50-90/10(重量%)。

74. 发明专利

TWI295609B 研磨墊有权
简体标题：研磨垫
公开(公告)号：TWI295609B
公开(公告)日：2008-04-11
申请号：TW095127529
申请日：2006-07-27
申请人：東洋橡膠工業股份有限公司 TOYO TIRE & RUBBER CO., LTD.
发明人：小川一幸 OGAWA, KAZUYUKI , 中井良之 NAKAI, YOSHIYUKI , 下村哲生 SHIMOMURA, TETSUO , 中森雅彥 NAKAMORI, MASAHIKO , 山田孝敏 YAMADA, TAKATOSHI
IPC分类号： B24B , H01L , C08G
CPC分类号： B24B37/24 , B24D3/32 , C08G18/36 , C08G2101/00 , Y10T428/24 , Y10T428/249953
摘要：本發明之目的在於提供一種研磨速度佳、不會產生中心遲鈍、且壽命特性優異之研磨墊。本發明之研磨墊具有由具有細微氣泡之聚胺甲酸酯發泡體構成之研磨層，且前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體之原料成分的高分子量聚醇成分所含有之數平均分子量550～800之疏水性高分子量聚醇A及數平均分子量950～1300之疏水性高分子量聚醇B的重量比為A/B=10/90～50/50。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种研磨速度佳、不会产生中心迟钝、且寿命特性优异之研磨垫。本发明之研磨垫具有由具有细微气泡之聚胺甲酸酯发泡体构成之研磨层，且前述聚胺甲酸酯树脂发泡体之原料成分的高分子量聚醇成分所含有之数平均分子量550～800之疏水性高分子量聚醇A及数平均分子量950～1300之疏水性高分子量聚醇B的重量比为A/B=10/90～50/50。

75. 发明专利

TW200812748A 研磨墊审中-公开
简体标题：研磨垫
公开(公告)号：TW200812748A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096114785
申请日：2007-04-26
申请人：東洋橡膠工業股份有限公司 TOYO TIRE & RUBBER CO., LTD.
发明人：福田武司 FUKUDA, TAKESHI , 丸山覺史 MARUYAMA, SATOSHI , 廣瀨純司 HIROSE, JUNJI , 中村賢治 NAKAMURA, KENJI , 堂浦真人 DOURA, MASATO
IPC分类号： B24B , H01L , C08G
CPC分类号： B24D3/26 , B24B37/24
摘要：本發明之目的在於提供一種耐久性優異之研磨墊。本發明之研磨墊係在基材層上設有研磨層,且前述研磨層係由具有平均氣泡徑35~300��m之大致球狀連續氣泡的熱硬化性聚胺甲酸酯發泡體構成者。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种耐久性优异之研磨垫。本发明之研磨垫系在基材层上设有研磨层,且前述研磨层系由具有平均气泡径35~300��m之大致球状连续气泡的热硬化性聚胺甲酸酯发泡体构成者。

76. 发明专利

TWI293982B 積層研磨墊之製造方法有权
简体标题：积层研磨垫之制造方法
公开(公告)号：TWI293982B
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW095131745
申请日：2006-08-29
申请人：東洋橡膠工業股份有限公司 TOYO TIRE & RUBBER CO., LTD.
发明人：廣瀨純司 HIROSE, JUNJI , 堂浦真人 DOURA, MASATO
IPC分类号： C09K , C08G
CPC分类号： B24B37/20 , B24D18/00 , B29C44/321 , B29C44/326 , B29C44/332 , C08G18/12 , C08G18/4854 , C08G18/724 , C08G18/758 , C08G18/7621 , C08G2101/0025 , C08G18/3814
摘要：本發明之目的係提供一種製造步驟少、生產性優異之積層研磨墊的製造方法。此外，本發明之目的更在於提供一種不會於研磨層與緩衝層間產生剝離，且可抑制漿體等塞住溝部之積層研磨墊的製造方法，及藉由前述方法所製造之積層研磨墊。而本發明之積層研磨墊之製造方法，包含以下步驟：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物；送出緩衝層並於其上連續地排出氣泡分散胺基甲酸酯組成物；調整為均一厚度並藉由使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，形成由聚胺基甲酸酯發泡體所構成之研磨層以製作連續積層片材；及切斷連續積層片材。
简体摘要：本发明之目的系提供一种制造步骤少、生产性优异之积层研磨垫的制造方法。此外，本发明之目的更在于提供一种不会于研磨层与缓冲层间产生剥离，且可抑制浆体等塞住沟部之积层研磨垫的制造方法，及借由前述方法所制造之积层研磨垫。而本发明之积层研磨垫之制造方法，包含以下步骤：借由机械发泡法调制气泡分散胺基甲酸酯组成物；送出缓冲层并于其上连续地排出气泡分散胺基甲酸酯组成物；调整为均一厚度并借由使气泡分散胺基甲酸酯组成物硬化，形成由聚胺基甲酸酯发泡体所构成之研磨层以制作连续积层片材；及切断连续积层片材。

77. 发明专利

TW200640612A 拋光墊、製造該墊之方法及使用該墊以製造半導體裝置之方法 POLISHING PAD, METHOD OF PRODUCING THE SAME AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SAME 审中-公开
简体标题：抛光垫、制造该垫之方法及使用该垫以制造半导体设备之方法 POLISHING PAD, METHOD OF PRODUCING THE SAME AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SAME
公开(公告)号：TW200640612A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW095106611
申请日：2006-02-27
申请人：東洋橡膠工業股份有限公司 TOYO TIRE & RUBBER CO., LTD.
发明人：木村毅 KIMURA, TSUYOSHI , 中井良之 NAKAI, YOSHIYUKI , 渡邊公浩 WATANABE, MASAHIRO
IPC分类号： B24B , B24D , C08J
CPC分类号： B24B37/26 , B24D3/32 , Y10T29/49995 , Y10T83/0304 , Y10T409/303808 , Y10T409/304536
摘要：本發明係提供一用以在一半導體裝置的製造程序中藉由CMP(化學機械拋光)來平面化間層介電質及類似物之拋光墊，一製造該拋光墊之方法以及一利用該拋光墊來製造一半導體裝置之方法。本發明有關一半導體晶圓拋光墊，該半導體晶圓拋光墊係在一拋光表面中具有溝槽且由一經發泡聚胺基甲酸酯所形成，其中包含一側表面及一底表面之溝槽的一經處理表面係具有不大於10的一表面粗度Ra。
简体摘要：本发明系提供一用以在一半导体设备的制造进程中借由CMP(化学机械抛光)来平面化间层介电质及类似物之抛光垫，一制造该抛光垫之方法以及一利用该抛光垫来制造一半导体设备之方法。本发明有关一半导体晶圆抛光垫，该半导体晶圆抛光垫系在一抛光表面中具有沟槽且由一经发泡聚胺基甲酸酯所形成，其中包含一侧表面及一底表面之沟槽的一经处理表面系具有不大于10的一表面粗度Ra。

78. 发明专利

TW200504106A 硬質聚胺基甲酸酯發泡體用多元醇組成物及硬質聚胺基甲酸酯發泡體之製造方法失效
简体标题：硬质聚胺基甲酸酯发泡体用多元醇组成物及硬质聚胺基甲酸酯发泡体之制造方法
公开(公告)号：TW200504106A
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW093117313
申请日：2004-06-16
申请人：東洋橡膠工業股份有限公司 TOYO TIRE & RUBBER CO., LTD. , 中央硝子股份有限公司 CENTRAL GLASS CO., LTD.
发明人：安西弘行 ANZAI, HIROYUKI , 安樂夏子 ANRAKU, NATSUKO , 神野昌洋 JINNO, MASAHIRO , 城尾記生 SHIROO, FUMIO , 日比野泰雄 HIBINO, YASUO , 部利男 HESAKA, TOSHIO
IPC分类号： C08G
CPC分类号： C08J9/149 , C08G18/48 , C08G2101/0025 , C08J2203/142 , C08J2205/10 , C08J2375/04
摘要：本發明係提供一種使用HFC–245fa作為發泡劑同時可抑制其蒸氣壓之硬質聚胺基甲酸酯發泡體用多元醇組成物及硬質聚胺基甲酸酯發泡體之製造方法。又，本發明係一種硬質聚胺基甲酸酯發泡體用多元醇組成物，並至少含有多元醇化合物、發泡劑、整泡劑及觸媒，且與含有聚異氰酸脂化合物之異氰酸酯成分混合並使之發泡、硬化而形成者；又，前述發泡劑主成分係1，1，1，3，3–五氟丙烷(HFC–245fa)，並以規定範圍之比例含有選自於由DMA、NMP、GBL、MPA等所構成之群組之至少1種相容劑及1，1，1，3，3–五氟丁烷(HFC–365mfc)。
简体摘要：本发明系提供一种使用HFC–245fa作为发泡剂同时可抑制其蒸气压之硬质聚胺基甲酸酯发泡体用多元醇组成物及硬质聚胺基甲酸酯发泡体之制造方法。又，本发明系一种硬质聚胺基甲酸酯发泡体用多元醇组成物，并至少含有多元醇化合物、发泡剂、整泡剂及触媒，且与含有聚异氰酸脂化合物之异氰酸酯成分混合并使之发泡、硬化而形成者；又，前述发泡剂主成分系1，1，1，3，3–五氟丙烷(HFC–245fa)，并以规定范围之比例含有选自于由DMA、NMP、GBL、MPA等所构成之群组之至少1种兼容剂及1，1，1，3，3–五氟丁烷(HFC–365mfc)。

79. 发明专利

TWI628830B 利用使用完畢之電池的電池組之製造方法及電池組有权
简体标题：利用使用完毕之电池的电池组之制造方法及电池组
公开(公告)号：TWI628830B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106110065
申请日：2017-03-27
申请人：東洋橡膠工業股份有限公司 , TOYO TIRE & RUBBER CO., LTD.
发明人：福田武司 , FUKUDA, TAKESHI , 鈴木彩 , SUZUKI, AYA
IPC分类号： H01M10/54

80. 发明专利

TW201734495A 密閉型二次電池之殘餘容量預測方法、殘餘容量預測系統、電池內部資訊之取得方法及電池控制方法审中-公开
简体标题：密闭型二次电池之残余容量预测方法、残余容量预测系统、电池内部信息之取得方法及电池控制方法
公开(公告)号：TW201734495A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105137554
申请日：2016-11-17
申请人：東洋橡膠工業股份有限公司 , TOYO TIRE & RUBBER CO., LTD.
发明人：福田武司 , FUKUDA, TAKESHI , 南方伸之 , MINAKATA, NOBUYUKI
IPC分类号： G01R31/36
摘要：一種密閉型二次電池之殘餘容量預測方法，具備下述步驟：於預測殘餘容量之時間點之前的充放電循環C1中檢測密閉型二次電池之變形，求出表示該密閉型二次電池之充放電容量與變形量之關係的第1曲線之步驟；將表示特定基準狀態下之密閉型二次電池之充放電容量與變形量之關係的基準曲線與上述第1曲線進行擬合處理而求出第2曲線L2之步驟；於上述充放電循環C1之後的充放電循環C2中檢測密閉型二次電池之變形量Tm之步驟；及基於第2曲線L2取得與密閉型二次電池之變形量Tm對應之充放電容量Qm，並求出第2曲線L2中之完全放電狀態之充放電容量Qd與充放電容量Qm之差作為殘餘容量Qr之步驟。
简体摘要：一种密闭型二次电池之残余容量预测方法，具备下述步骤：于预测残余容量之时间点之前的充放电循环C1中检测密闭型二次电池之变形，求出表示该密闭型二次电池之充放电容量与变形量之关系的第1曲线之步骤；将表示特定基准状态下之密闭型二次电池之充放电容量与变形量之关系的基准曲线与上述第1曲线进行拟合处理而求出第2曲线L2之步骤；于上述充放电循环C1之后的充放电循环C2中检测密闭型二次电池之变形量Tm之步骤；及基于第2曲线L2取得与密闭型二次电池之变形量Tm对应之充放电容量Qm，并求出第2曲线L2中之完全放电状态之充放电容量Qd与充放电容量Qm之差作为残余容量Qr之步骤。

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