专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

71. 发明专利

TWI283262B 磨光組成物之製法 PROCESS FOR PRODUCING POLISHING COMPOSITION 有权
简体标题：磨光组成物之制法 PROCESS FOR PRODUCING POLISHING COMPOSITION
公开(公告)号：TWI283262B
公开(公告)日：2007-07-01
申请号：TW089114199
申请日：2000-07-15
申请人：福吉米股份有限公司 FUJIMI INCORPORATED
发明人：玉井一誠 KAZUSEI TAMAI , 伊奈克芳 INA, KATSUYOSHI
IPC分类号： C09G
CPC分类号： C09G1/02 , B01F3/1214 , B01F2003/125 , B01F2215/0045 , H01L21/30625
摘要：製造磨光組成物的方法，其包含預先將水調整至pH2-4，將40至60重量％的熔凝矽石在高剪力下加至水，加入水以將黏度降低至2-10000 cps，將混合物在低剪力下攪拌至少5分鐘，加入水以將熔凝矽石濃度降低至10-38重量％，並在劇烈攪拌下加入鹼性物質以將pH提高至9-12。
简体摘要：制造磨光组成物的方法，其包含预先将水调整至pH2-4，将40至60重量％的熔凝硅石在高剪力下加至水，加入水以将黏度降低至2-10000 cps，将混合物在低剪力下搅拌至少5分钟，加入水以将熔凝硅石浓度降低至10-38重量％，并在剧烈搅拌下加入碱性物质以将pH提高至9-12。

72. 发明专利

TW200718488A 熔射用粉末及熔射薄膜之形成方法 THERMAL SPRAY POWDER AND METHOD FOR FORMING A THERMAL SPRAY COATING 审中-公开
公开(公告)号：TW200718488A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：TW095140292
申请日：2006-10-31
申请人：福吉米股份有限公司 FUJIMI INCORPORATED
发明人：北村順也 KITAMURA JUNYA , 伊部博之 IBE HIROYUKI
IPC分类号： B22F , C23C
CPC分类号： C04B35/62665 , B82Y30/00 , C01F17/0043 , C01P2004/50 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2004/64 , C01P2006/11 , C01P2006/20 , C04B35/505 , C04B2235/5436 , C04B2235/6567 , C23C4/11
摘要：一種熔射用粉末,其含有三氧化二釔造粒-燒結粒子及平均粒子徑為1��m以下之三氧化二釔微粒子。熔射用粉末中之三氧化二釔微粒子之含量為1000~10000質量ppm。較佳為,將熔射用粉末使用於以大氣壓電漿熔射來形成熔射薄膜之用途上。
简体摘要：一种熔射用粉末,其含有三氧化二钇造粒-烧结粒子及平均粒子径为1��m以下之三氧化二钇微粒子。熔射用粉末中之三氧化二钇微粒子之含量为1000~10000质量ppm。较佳为,将熔射用粉末使用于以大气压等离子熔射来形成熔射薄膜之用途上。

73. 发明专利

TWI280273B 拋光組成物及使用彼之拋光方法 POLISHING COMPOSITION AND POLISHING METHOD EMPLOYING IT 有权
简体标题：抛光组成物及使用彼之抛光方法 POLISHING COMPOSITION AND POLISHING METHOD EMPLOYING IT
公开(公告)号：TWI280273B
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW091116175
申请日：2002-07-19
申请人：福吉米股份有限公司 FUJIMI INCORPORATED
发明人：酒井謙兒 SAKAI, KENJI , 玉井一誠 KAZUSEI TAMAI , 北村忠浩 , 松田剛 TSUYOSHI MATSUDA , 伊奈克芳 INA, KATSUYOSHI
IPC分类号： C09K
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/06
摘要：一種拋光組成物，其包含：(a)至少一個選自包含二氧化矽及氧化鋁的磨蝕劑，(b)至少一個選自包含聚氧化乙烯，聚氧化丙烯、聚氧化乙烯烷基醚、聚氧化丙烯烷基醚、聚氧化乙烯聚氧化丙烯烷基醚及以式(1)表示的具有C≡C參鍵的聚氧化烷烯加成聚合物之有機化合物：其中R1至R6各為H或C1-10烷基，X及Y各為伸乙氧基或伸丙氧基，且m及n各為1至20的正數，(c)至少一個選自包含檸檬酸、草酸、酒石酸、甘胺酸、α-丙胺酸及組胺酸的加速拋光化合物，(d)至少一個選自包含苯並三唑、苯並咪唑、三唑、咪唑及甲苯基三唑的抗腐蝕劑，(e)過氧化氫，及(f)水。
简体摘要：一种抛光组成物，其包含：(a)至少一个选自包含二氧化硅及氧化铝的磨蚀剂，(b)至少一个选自包含聚氧化乙烯，聚氧化丙烯、聚氧化乙烯烷基醚、聚氧化丙烯烷基醚、聚氧化乙烯聚氧化丙烯烷基醚及以式(1)表示的具有C≡C参键的聚氧化烷烯加成聚合物之有机化合物：其中R1至R6各为H或C1-10烷基，X及Y各为伸乙氧基或伸丙氧基，且m及n各为1至20的正数，(c)至少一个选自包含柠檬酸、草酸、酒石酸、甘胺酸、α-丙胺酸及组胺酸的加速抛光化合物，(d)至少一个选自包含苯并三唑、苯并咪唑、三唑、咪唑及甲苯基三唑的抗腐蚀剂，(e)过氧化氢，及(f)水。

74. 发明专利

TW200535217A 研磨用組成物及研磨方法 POLISHING COMPOSITION AND POLISHING METHOD 审中-公开
简体标题：研磨用组成物及研磨方法 POLISHING COMPOSITION AND POLISHING METHOD
公开(公告)号：TW200535217A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW094108349
申请日：2005-03-18
申请人：福吉米股份有限公司 FUJIMI INCORPORATED
发明人：三輪俊博 MIWA, TOSHIHIRO
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/02024
摘要：本發明揭示一種含二氧化矽、鹼性化合物、陰離子界面活性劑、及水的研磨用組成物。二氧化矽的範例如矽溶膠、燻矽、或沉澱型矽石。鹼性化合物的範例如氫氧化鉀、氫氧化鈉、氨、氫氧化四甲銨、呱酐(piperazine anhydride)、呱六水合物(piperazine hexahydrate)。陰離子界面活性劑則選自磺酸界面活性劑、羧酸界面活性劑，及硫酸酯界面活性劑之至少其中之一。此研磨用組成物適合應用於研磨晶圓。
简体摘要：本发明揭示一种含二氧化硅、碱性化合物、阴离子界面活性剂、及水的研磨用组成物。二氧化硅的范例如硅溶胶、熏硅、或沉淀型硅石。碱性化合物的范例如氢氧化钾、氢氧化钠、氨、氢氧化四甲铵、哌酐(piperazine anhydride)、哌六水合物(piperazine hexahydrate)。阴离子界面活性剂则选自磺酸界面活性剂、羧酸界面活性剂，及硫酸酯界面活性剂之至少其中之一。此研磨用组成物适合应用于研磨晶圆。

75. 发明专利

TW200508378A 研磨用組合物以及使用該組合物之研磨方法审中-公开
简体标题：研磨用组合物以及使用该组合物之研磨方法
公开(公告)号：TW200508378A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW093125762
申请日：2004-08-27
申请人：福吉米股份有限公司 FUJIMI INCORPORATED
发明人：伊藤隆 TAKASHI ITO , 堀哲二 TETSUJI HORI
IPC分类号： C09K
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1454
摘要：本發明之研磨用組合物係含有在表面具有藉由氧化矽微粒之吸附所形成之吸附層之氧化鈰磨粒。該研磨用組合物係使用在為了除去位處於前述溝槽外之氧化矽膜之部分而研磨將具備由單結晶矽或多結晶矽所構成之半導體基板和設置在該半導體基板上之氮化矽膜並且在表面具有溝槽之層積體以及設置在該層積體上之氧化矽膜予以具備的研磨對象物之用途上。
简体摘要：本发明之研磨用组合物系含有在表面具有借由氧化硅微粒之吸附所形成之吸附层之氧化铈磨粒。该研磨用组合物系使用在为了除去位处于前述沟槽外之氧化硅膜之部分而研磨将具备由单结晶硅或多结晶硅所构成之半导体基板和设置在该半导体基板上之氮化硅膜并且在表面具有沟槽之层积体以及设置在该层积体上之氧化硅膜予以具备的研磨对象物之用途上。

76. 发明专利

TW593632B 磁碟用基板之研磨用組成物及使用該組成物的研磨方法失效
简体标题：磁盘用基板之研磨用组成物及使用该组成物的研磨方法
公开(公告)号：TW593632B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW091124806
申请日：2002-10-24
申请人：富士見股份有限公司 FUJIMI INCORPORATED
发明人：石橋智明 ISHIBASHI, TOMOAKI
IPC分类号： C09K , C09G
CPC分类号： G11B5/8404 , C09G1/02
摘要： (摘要)
提供於磁碟用基板之研磨加工上，可抑制平面下垂等發生之研磨用組成物及使用該組成物的研磨方法。(解決手段)
至少一種選自蘋果酸、乙醇酸、琥珀酸、檸檬酸、馬來酸、衣康酸、丙二酸、亞胺乙酸、葡糖酸、乳酸、苦杏仁酸、巴豆酸、煙酸、硝酸鋁、硫酸鋁及硝酸鐵(Ⅲ)之化合物所形成之加工促進劑，及至少一種選自聚乙烯基咯烷酮、聚環氧乙烷山梨糖醇酐脂肪酸酯及聚環氧乙烷山梨糖醇脂肪酸酯之化合物所形成之平面下垂抑制劑，及至少一種選自氧化鋁、二氧化矽、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化矽及碳化矽之研磨材料，及水之磁碟用基板之研磨用組成物及使用該組成物的研磨方法。
简体摘要： (摘要) 提供于磁盘用基板之研磨加工上，可抑制平面下垂等发生之研磨用组成物及使用该组成物的研磨方法。(解决手段) 至少一种选自苹果酸、乙醇酸、琥珀酸、柠檬酸、马来酸、衣康酸、丙二酸、亚胺乙酸、葡糖酸、乳酸、苦杏仁酸、巴豆酸、烟酸、硝酸铝、硫酸铝及硝酸铁(Ⅲ)之化合物所形成之加工促进剂，及至少一种选自聚乙烯基咯烷酮、聚环氧乙烷山梨糖醇酐脂肪酸酯及聚环氧乙烷山梨糖醇脂肪酸酯之化合物所形成之平面下垂抑制剂，及至少一种选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅及碳化硅之研磨材料，及水之磁盘用基板之研磨用组成物及使用该组成物的研磨方法。

77. 发明专利

TW583301B 磨光用組成物以及利用彼之磨光方法失效
简体标题：磨光用组成物以及利用彼之磨光方法
公开(公告)号：TW583301B
公开(公告)日：2004-04-11
申请号：TW091122517
申请日：2002-09-30
申请人：富士見股份有限公司 FUJIMI INCORPORATED
发明人：淺野宏 ASANO, HIROSHI , 酒井謙兒 SAKAI, KENJI , 伊奈克芳 INA, KATSUYOSHI
IPC分类号： C09K
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要：一種磨光用組成物，包含：
(a)具正電荷表面的膠態矽石，
(b)具負電荷表面的膠態矽石，
(c)至少一種酸，選自硝酸、氫氯酸、硫酸、乳酸、醋酸、草酸、檸檬酸、蘋果酸、丁二酸、丁酸和丙二酸，
(d)至少一種抗蝕劑，選自苯並三唑、苯並咪唑、三唑、咪唑、甲苯三唑和它們的衍生物，及
(e)水。
简体摘要：一种磨光用组成物，包含： (a)具正电荷表面的胶态硅石， (b)具负电荷表面的胶态硅石， (c)至少一种酸，选自硝酸、氢氯酸、硫酸、乳酸、醋酸、草酸、柠檬酸、苹果酸、丁二酸、丁酸和丙二酸， (d)至少一种抗蚀剂，选自苯并三唑、苯并咪唑、三唑、咪唑、甲苯三唑和它们的衍生物，及 (e)水。

78. 发明专利

TW200400250A 研磨用組合物 POLISHING COMPOSITION 失效
简体标题：研磨用组合物 POLISHING COMPOSITION
公开(公告)号：TW200400250A
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW092114853
申请日：2003-05-30
申请人：富士見股份有限公司 FUJIMI INCORPORATED
发明人：石橋智明 ISHIBASHI, TOMOAKI , 杉山博保 SUGIYAMA, HIROYASU , 大壽樹 OWAKI, TOSHIKI
IPC分类号： C09K
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02
摘要：一種研磨組合物，用以避免磁碟基板表面周圍部分被過度研磨。根據本發明之第一研磨組合物包括由下列通式(1)所示之化合物：092114853p01.bmp其中x表示聚醚多元醇之基團，m表示一等於聚醚多元醇分子內羥基數目的數字，Y表示二價氫碳基。Z表示一具有一活性氫原子之單價化合物基團，而n表示至少為3的整數。根據本發明之第二研磨組合物包括一具衍生自異戊二烯磺酸或其鹽類之單體單元的聚合物。
简体摘要：一种研磨组合物，用以避免磁盘基板表面周围部分被过度研磨。根据本发明之第一研磨组合物包括由下列通式(1)所示之化合物：092114853p01.bmp其中x表示聚醚多元醇之基团，m表示一等于聚醚多元醇分子内羟基数目的数字，Y表示二价氢碳基。Z表示一具有一活性氢原子之单价化合物基团，而n表示至少为3的整数。根据本发明之第二研磨组合物包括一具衍生自异戊二烯磺酸或其盐类之单体单元的聚合物。

79. 发明专利

TWI701322B 研磨用組成物有权
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TWI701322B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW105131716
申请日：2016-09-30
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：吉幸信 , YOSHIZAKI, YUKINOBU , 大西正悟 , ONISHI, SHOGO
IPC分类号： C09K3/14

80. 发明专利

TWI683034B 熔射用粉末、熔射皮膜、皮膜及熔融金屬浴中輥有权
简体标题：熔射用粉末、熔射皮膜、皮膜及熔融金属浴中辊
公开(公告)号：TWI683034B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW104135431
申请日：2015-10-28
申请人：日商都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO.,LTD , 日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：水津竜夫 , SUIDZU, TATSUO , 安尾典之 , YASUO, NORIYUKI , 高畠剛 , TAKABATAKE, TAKESHI , 水野宏昭 , MIZUNO, HIROAKI , 益田敬也 , MASUDA, TAKAYA , 久野達也 , KUNO, TATSUYA
IPC分类号： C23C4/06 , C23C4/10 , C25D17/06

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式