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71. 发明专利

DE102012204447B4 Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas 未知
公开(公告)号：DE102012204447B4
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：DE102012204447
申请日：2012-03-20
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： KUEHN SILVIO
IPC分类号： H05H1/46
摘要： Es wird eine Vorrichtung (200) zur Erzeugung eines Plasmas offenbart, die eine als Hohlraum ausgebildete Plasmaquelle (241) und einen Resonator (201) aufweist, welcher einen Wellenleiter (211, 212, 2131) und die Plasmaquelle (241) umfasst, wobei der Wellenleiter (212, 213) mit der Plasmaquelle (241) wirkverbunden ist; die Vorrichtung (200) ein erstes Kopplungsmittel (231) zur Energie-Einspeisung (251) und ein zweites Kopplungsmittel (232) zur Energie-Auskopplung (252) aufweist, wobei jedes Kopplungsmittel (231, 232) Energie- und Signal-führend (251, 252) mit dem Wellenleiter wirkverbunden ist; die Vorrichtung ein aktives Element (261) zur Energieversorgung des Resonators (201) aufweist, welches mit dem ersten (231) und mit dem zweiten (232) Kopplungsmittel wirkverbunden ist, wobei die Plasmaquelle (241) zumindest teilweise in einem Bereich des Wellenleiters (211, 212, 213) integriert ist, der sich zwischen dem ersten Kopplungsmittel (231) und dem zweiten Kopplungsmittel (232) erstreckt.

72. 发明专利

DE102012200878A1 Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Plasmapulsen 未知
公开(公告)号：DE102012200878A1
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：DE102012200878
申请日：2012-01-23
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： GESCHE ROLAND
IPC分类号： H05H1/46
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen von Plasmapulsen sowie ein entsprechendes computerlesbares Speichermedium, welche insbesondere einsetzbar sind, um eine dreidimensionale Plasmabehandlung mit hoher Präzision auszuführen. Das Verfahren zum Erzeugen von Plasmapulsen ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei Quellen mit mindestens einer Zeitfunktion beaufschlagt werden, wobei die mindestens zwei Quellen jeweils ein von einer der Zeitfunktionen erzeugtes elektro-magnetisches Feld abstrahlen und die mindestens eine Zeitfunktion und die mindestens zwei Quellen derart zusammenwirken, dass in mindestens zwei vorgegebenen Raum-Zeit-Punkten mindestens eine vorgegebene Feldstärke sequentiell in zeitlicher Abfolge realisiert wird. Ein alternatives Verfahren sieht mindestens eine Quelle und mindestens ein Reflexionselement vor zur Realisierung der vorgegebenen Feldstärke. Die Vorrichtung zum Erzeugen von Plasmapulsen umfasst mindestens zwei Quellen und mindestens eine Datenverarbeitungseinrichtung oder mindestens eine Quelle, mindestens ein Reflexionselement und mindestens eine Datenverarbeitungseinrichtung und ist derart konfiguriert, dass ein Verfahren zum Erzeugen von Plasmapulsen ausführbar ist.

73. 发明专利

ES2402446T3 Proceso para la solidificación de un material fundido no metálico 未知
公开(公告)号：ES2402446T3
公开(公告)日：2013-05-03
申请号：ES09749132
申请日：2009-11-12
申请人： SCHOTT SOLAR AG , FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： BUELLESFELD FRANK , SAHR UWE , MILLER WOLFRAM , RUDOLPH PETER , REHSE UWE , DROPKA NATASCHA
IPC分类号： C30B11/00 , C30B15/30
摘要： Proceso para la solidificación de un material fundProceso para la solidificación de un material fundido no metálico (130), que se encuentra en un crisido no metálico (130), que se encuentra en un crisol (120), en el que, por medio de varios inductoreol (120), en el que, por medio de varios inductores (100), se generan campos magnéticos, para lo cuas (100), se generan campos magnéticos, para lo cual los inductores (100) son alimentados con un priml los inductores (100) son alimentados con un primer conjunto de corrientes alternas ( 11a, 11b, 11cer conjunto de corrientes alternas ( 11a, 11b, 11c, 11d) desfasadas y con una primera frecuencia (f1, 11d) desfasadas y con una primera frecuencia (f1), de manera que mediante la superposición de camp), de manera que mediante la superposición de campos magnéticos se genere un campo de ondas progresios magnéticos se genere un campo de ondas progresivas (W1) en el material fundido (130), y éste sea vas (W1) en el material fundido (130), y éste sea alimentado con al menos un segundo conjunto de coralimentado con al menos un segundo conjunto de corrientes alternas (12a, 12b, 12c, 12d) desfasadas crientes alternas (12a, 12b, 12c, 12d) desfasadas con una segunda frecuencia (f2), caracterizado porqon una segunda frecuencia (f2), caracterizado porque mediante la superposición del campo magnético gue mediante la superposición del campo magnético generado con la segunda frecuencia (f2), se genera enerado con la segunda frecuencia (f2), se genera un segundo campo de ondas progresivas (W2) en el mun segundo campo de ondas progresivas (W2) en el material fundido (130), que se mueve en dirección caterial fundido (130), que se mueve en dirección contraria al campo de ondas progresivas (W1), por lontraria al campo de ondas progresivas (W1), por lo que los dos campos de ondas progresivas generadoo que los dos campos de ondas progresivas generados (W1, W2) recorren el material fundido (130) en us (W1, W2) recorren el material fundido (130) en una dirección (Y) esencialmente vertical. na dirección (Y) esencialmente vertical.

74. 发明专利

DE102011113740A1 Vorrichtung zur induktiven Energieübertragung 未知
公开(公告)号：DE102011113740A1
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：DE102011113740
申请日：2011-09-15
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV , FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , VER ZUR FOERDERUNG AGRAR UND STADTOEKOLOGISCHER PROJEKTE ASP E V
发明人： BAGANZ DANIELA , STAAKS GEORG , JAUERNIG OLIVER , WECKE NORBERT , JAUERNIG SANDRA , BALZER HANS-ULLRICH , GROSER VOLKER , BROCKMANN CARSTEN
IPC分类号： H02J17/00
摘要： Es wird eine Vorrichtung zur induktiven Energieübertragung umfassend eine in einer Umgebung, insbesondere in Wasser mobile Sensoreinheit mit einem Sender zur Übertragung von Sensordaten, einem Energiespeicher und einer als Sekundärspule bezeichnete Spule, und eine Basiseinheit mit einer als Primärspule bezeichneten Spule und einer Versorgungsschaltung, die die Primärspule zur Erzeugung eines Magnetfeldes elektrisch versorgt, wobei die Primärspule Energie an die Sensoreinheit überträgt, wenn die Sekundärspule sich im Magnetfeld befindet, vorgeschlagen. Die Basiseinheit umfasst außerdem einen Kondensator, der mit der Primärspule einen Schwingkreis bildet, und einen Regelkreis umfasst, der ausgebildet ist, die Spannung am Kondensator zu messen, eine Abweichung der gemessenen Spannung von der bei Resonanzfrequenz des Schwingkreises maximalen Spannung am Kondensator bei einer Verstimmung des Schwingkreises durch die mobile Sensoreinheit zu detektieren und die Frequenz des Schwingkreises so zu korrigieren, dass die Spannung über den Kondensator maximiert wird.

75. 发明专利

DE102004031579B4 Peptide zur Inhibition der Interaktion von Proteinkinase A und Proteinkinase A-Ankerproteinen, diese umfassendes Nukleinsäuremolekül, Vektor, Wirtszelle, gegen diese gerichtetes Erkennungsmolekül, diese enthaltende pharmazeutische Zusammensetzung, diese enthaltender Kit und deren Verwendung 未知
公开(公告)号：DE102004031579B4
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：DE102004031579
申请日：2004-06-29
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： ROSENTHAL WALTER PROF DR , KLUSMANN ENNO DR , HUNDSRUCKER CHRISTIAN DIPL BIOL
IPC分类号： C07K14/71 , A61K38/17 , C07K14/435 , C07K16/18 , C12N15/12 , C12N15/85
摘要： Polypeptid, dadurch gekennzeichnet, dass das Polypeptid ausgewählt ist aus einer Gruppe Aminosäuresequenzen bestehend aus SEQ ID-Nr. 20 bis 27.

76. 发明专利

DE102011004080A1 Heterostruktur-Pufferschicht für Heterostruktur-Feldeffekttransistoren 未知
公开(公告)号：DE102011004080A1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：DE102011004080
申请日：2011-02-14
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： WUERFL HANS-JOACHIM , HILT OLIVER DR , WEYERS MARKUS , BRUNNER FRANK DR , BAHAT-TREIDEL ELDAD , CHO EUNJUNG DR
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/20 , H01L29/205
摘要： Die Erfindung betrifft einen Heterostruktur-Feldeffekttransistor (HFET) mit einem Substrat (201), einer auf dem Substrat (201) angeordneten Nukleationsschicht (202), einer auf der Nukleationsschicht (202) angeordneten kohlenstoffdotierten GaN-Schicht (203), einer auf der kohlenstoffdotierten GaN-Schicht (203) angeordneten ersten AlGaN-Schicht (204) und auf der ersten AlGaN-Schicht (204) angeordneten Source-Elektrode (205), einer auf der ersten AlGaN-Schicht (204) angeordneten Drain-Elektrode (206) und einer zwischen der Source-Elektrode (205) und der Drain-Elektrode (206) auf der ersten AlGaN-Schicht (204) angeordneten Gate-Elektrode (207). Erfindungsgemäß ist zwischen der kohlenstoffdotierten GaN-Schicht (203) und der ersten AlGaN-Schicht (204) eine unintentionally-doped GaN-Schicht vorgesehen. Ein zweiter Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines solchen HFETs.

77. 发明专利

DE102011000207A1 N-Arylaminomethylenbenzothiophenone als Arzneimittel 未知
公开(公告)号：DE102011000207A1
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：DE102011000207
申请日：2011-01-18
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV , MAX DELBRUECK CENTRUM
发明人： KLUSSMANN ENNO DR , MILIC JELENA DR , ROSENTHAL WALTER PROF , BERGMANN MARTIN W PROF
IPC分类号： A61K31/381 , A61K31/343 , A61K31/428 , A61K31/4402 , A61K31/4406 , A61K31/4427 , A61K31/47 , A61K31/4709 , A61P9/00 , C07C229/60 , C07D277/82 , C07D307/81 , C07D333/64 , C07D409/12 , C07D417/12
摘要： Die Erfindung betrifft N-Arylaminomethylenbenzothiophenone der allgemeinen Formel (I) zur Verwendung als Arzneimittel zur Behandlung von Herz-Kreislauferkrankungen, sowie ein Verfahren zu seiner Synthese.

78. 发明专利

DE102010026701B8 Verfahren und Vorrichtung zur räumlich-zeitlichen Pulsanalyse mittels statistischer Parameter 未知
公开(公告)号：DE102010026701B8
公开(公告)日：2012-05-10
申请号：DE102010026701
申请日：2010-07-07
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： BOCK MARTIN , GRUNWALD RUEDIGER DR
IPC分类号： G01J11/00

79. 发明专利

DE102010041061A1 Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren zur Herstellung eines Blocks aus einem Material, dessen Schmelze elektrisch leitend ist 未知
公开(公告)号：DE102010041061A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：DE102010041061
申请日：2010-09-20
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： DROPKA NATASCHA DR , FRANK-ROTSCH CHRISTIANE DR , RUDOLPH PETER PROF , LANGE RALPH-PETER DIPL ING , REHSE UWE DIPL PHYS
IPC分类号： C30B11/02 , C30B30/04 , C30B35/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Kristallisationsanlage zur Herstellung eines Blocks aus einem Material, dessen Schmelze elektrisch leitend ist, sowie ein dazugehöriges Kristallisationsverfahren. Die Kristallisationsanlage umfasst dazu: – einen Container zur Aufnahme einer Schmelze des Materials; – ein Heizer-Magnet-Modul, das a) einen unterhalb des Containers angeordneten Bodenheizer mit einer Vielzahl von in 3 oder mehr Heizer-Magnet-Segmenten angeordneten Heizer-Magnet-Spiralen umfasst, wobei die Heizer-Magnet-Segmente zusammengesetzt eine zum Beheizen des Containers und zur Erzeugung von magnetischen Feldern bereitstehende Grundfläche des Bodenheizers bilden, jedoch keinen gemeinsamen geometrischen Mittelpunkt in der Grundfläche des Bodenheizers besitzen; und/oder b) einen oberhalb des Containers angeordneten Deckenheizer mit einer Vielzahl von in 3 oder mehr Heizer-Magnet-Segmenten angeordneten Heizer-Magnet-Spiralen umfasst, wobei die Heizer-Magnet-Segmente zusammengesetzt eine zum Beheizen des Containers und zur Erzeugung von magnetischen Feldern bereitstehende Grundfläche des Deckenheizers bilden, jedoch keinen gemeinsamen geometrischen Mittelpunkt in der Grundfläche des Deckenheizers besitzen; und – eine Steuer- und Stromversorgungseinheit, mit der die Heizer-Magnet-Segmente separat mit einer vorgebbaren Stromstärke, Frequenz und Phasenverschiebung belegbar sind, wobei die Steuer- und Stromversorgungseinheit ausgelegt ist, wenigstens ein Karussell-Magnetfeld (KMF) durch sequentielle Belegung der Heizer-Magnet-Segmente mit einer vorgebbaren Stromstärke, Frequenz und Phasenverschiebung zu erzeugen, derart, dass eine Kristallisationsfront der Schmelze mit konvexer Kontur entsteht.

80. 发明专利

AT538229T 未知
公开(公告)号：AT538229T
公开(公告)日：2012-01-15
申请号：AT08784553
申请日：2008-06-17
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： LANGE RALPH-PETER , RUDOLPH PETER , KLEIN OLAF , FRANK-ROTSCH CHRISTIANE , NACKE BERNARD
IPC分类号： C30B15/30 , C30B11/00

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