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61. 发明公开

CN1128300A 给制成的催化排气系统元件镀铝的方法无效
公开(公告)号：CN1128300A
公开(公告)日：1996-08-07
申请号：CN95117217.4
申请日：1995-10-06
申请人：阿利金尼·勒德卢姆公司
发明人：詹姆斯·M·拉森 , 伊凡·A·弗兰森 , 多米尼克·A·索拉斯
IPC分类号： C23C16/20
CPC分类号： F01N13/18 , C23C8/02 , C23C16/20 , C23C16/56 , C23C26/00 , F01N13/14 , F01N13/16 , F01N2510/02 , F01N2510/08
摘要：本发明提供一种用于热废气排气系统，如汽车催化转化器元件的成型方法，其包括：选择一种合金钢薄板，如不锈钢；元件加工成型；通过热分解一种包含一种铝基化合物如三甲基铝或三乙烷基铝，以及一种载气如氩气、氮气或氦气的气态混合物给元件镀铝；然后，加热镀层中的铝通过或氧化镀层中的铝形成氧化铝层，或将铝扩散进入钢基体中或二种方法，使排气元件得到防腐蚀保护。

62. 发明公开

CN1061445A 使用烷基铝氢化物形成以铝作为主成分的金属沉积膜的方法失效
公开(公告)号：CN1061445A
公开(公告)日：1992-05-27
申请号：CN91101919.7
申请日：1991-02-19
申请人：佳能株式会社
发明人：松本繁幸 , 池田敦
IPC分类号： C23C16/20
CPC分类号： H01L21/28562 , H01L21/32051 , H01L21/76879
摘要：一种形成金属膜的方法，包括以下步骤：在空间中安置供形成膜所用的基片；向该空间中引入烷基铝氢化物气体及氢气；以及直接加热该基片而在该基片上形成含主成分为铝的金属膜。

63. 实用新型

CN215799877U 一种反应腔的排气装置及薄膜沉积设备有权
公开(公告)号：CN215799877U
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202120905484.X
申请日：2021-04-28
申请人：宁夏隆基乐叶科技有限公司
发明人：郭毅 , 赵彬 , 黄博 , 鲁寅南 , 王振强
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/20
摘要：本实用新型公开一种反应腔的排气装置及薄膜沉积设备，涉及薄膜沉积技术领域，以解决真空泵被堵塞的问题，提高薄膜沉积设备的真空泵的使用寿命。所述反应腔的排气装置包括：包括第一排气管、第二排气管、真空泵以及粉尘过滤器，所述粉尘过滤器包括用于捕捉粉尘的滤芯，所述第一排气管位于所述反应腔的出气口和所述粉尘过滤器的进气口之间，所述第二排气管位于所述粉尘过滤器的出气口和所述真空泵的进气口之间。所述薄膜沉积设备包括用于薄膜沉积的反应腔以及所述的反应腔的排气装置。

64. 实用新型

CN205752103U 制备GaN外延片的设备有权
公开(公告)号：CN205752103U
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201620300986.9
申请日：2016-04-11
申请人：杭州士兰微电子股份有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
发明人：李东昇 , 丁海生 , 陈善麟
IPC分类号： H01L21/02 , C30B25/18 , C23C16/34 , C23C16/20 , C23C16/40
摘要：本实用新型提出了一种制备GaN外延片的设备，提供具有多个反应腔室的设备，将成核层固定于一个反应腔室内生长，将含有Ga元素的缓冲层固定于另一个腔体内生长，可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量造成影响，从而提高GaN外延层的晶体质量。

65. 实用新型

CN207760427U 一种三甲基铝计量输送装置有权
公开(公告)号：CN207760427U
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201820141024.2
申请日：2018-01-26
申请人：常州比太黑硅科技有限公司
发明人：邹开峰 , 庄正军 , 谭兴波 , 候岳明 , 上官泉元 , 胡胜尧
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/20 , C23C16/455
摘要：本实用新型公开了一种三甲基铝计量输送装置，包括：承重传感器，放置在承重传感器上的TMA蒸发罐，连接TMA蒸发罐的出料管路及补料管路，以及连接出料管路的吹气管路；TMA蒸发罐具有温度传感器及液位传感器；出料管路具有质量流量计，质量流量计设置有旁路气动阀及连接出口端设置有出料气动阀二；吹气管路的出口端设置有吹气气动阀；补料管路设置有补料气动阀，且补料管路通过手动补料阀连接至手动补料口，同时并联的通过自动补料阀连接至自动补料口。该实用新型通过精确的温度控制使TMA蒸发罐内压力恒定，再通过对TMA蒸气的控制以精确控制TMA的量，控制精度高，过程相对简便，管道不易堵塞，维护比较方便。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

66. 实用新型

CN206635407U 一种微波环境下铝和气体反应制取膜装置失效
公开(公告)号：CN206635407U
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201720355622.5
申请日：2017-04-07
申请人：张忠帆
发明人：张忠帆
IPC分类号： C23C16/20 , C23C16/52
摘要：本实用新型公开了一种微波环境下铝和气体反应制取膜装置，包括箱体，所述箱体内固定设有微波发生器、波导、反应室和气体压力推进器，所述微波发生器的一端连接所述波导，所述波导的一侧设有三鞘钉调配器，所述波导内固定设有模式转换天线，所述模式转换天线下方设有石英窗口，所述石英窗口下方连接所述反应室，所述波导的一侧所述波导的一侧设有反应气体进入口，所述反应气体进入口通过管道连接所述气体压力推进器，所述反应室的内部固定设有基片加热器，所述基片加热器的上端固定设有基片，所述基片的上端固定设有等离子体，所述排气管穿过所述反应室连接箱体，该种实用新型能智能控制气体的比例，提高了制取铝薄膜的效率。

67. 发明申请

WO2019120650A1 PROCESS FOR THE GENERATION OF METAL-CONTAINING FILMS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019120650A1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：PCT/EP2018/075053
申请日：2018-09-17
申请人： BASF SE , WAYNE STATE UNIVERSITY
发明人： SCHWEINFURTH, David Dominique , MAYR, Lukas , KLENK, Sinja Verena , WEIGUNY, Sabine , WINTER, Charles , BLAKENEY, Kyle , WEERATHUNGA SIRIKKATHUGE, Nilanka , KARUNARATNE, Tharindu
IPC分类号： C23C16/20 , C23C16/06 , C23C16/08 , C23C16/455
摘要： The present invention is in the field of processes for preparing inorganic metal-containing films. The process comprises bringing a solid substrate in contact with a compound of general formula (I), (II), (III), or (IV) in the gaseous state wherein A is NR 2 or OR with R being an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or a silyl group, E is NR or O, n is 0, 1 or 2, m is 0, 1 or 2, and R' is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or a silyl group.

68. 发明申请

WO2016003089A1 CVD공정을 통해 알루미늄 등축정 조직을 형성하는 금속 내외장재의 표면처리 방법 및 이를 이용하여 표면처리된 금속 내외장재 审中-公开
标题翻译：金属内部和外部材料的表面处理方法，通过CVD工艺，金属内部和外部材料表面处理铝表面处理表面处理
公开(公告)号：WO2016003089A1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：PCT/KR2015/006058
申请日：2015-06-16
申请人： 조상무
发明人： 조상무
IPC分类号： C23C26/00 , C23C16/20 , C25D11/04 , C25D11/22
CPC分类号： C23C16/20 , C23C26/00 , C25D11/04 , C25D11/22
摘要： 본 발명은 CVD공정을 통해 알루미늄 등축정 조직을 형성하는 금속 내외장재의 표면처리 방법 및 이를 이용하여 표면처리된 금속 내외장재에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속 내외장재 표면에 알루미늄(Al)계 금속으로 박막을 코팅하여 등축정 조직의 박막층을 형성한 후, 상기 박막층이 형성된 표면을 양극 산화 처리하여 양극 산화 피막층을 형성하고, 상기 양극 산화 피막층에 염료를 착색하고 봉공 처리를 하는 것으로, 상기 등축정 조직의 박막을 형성하는 방식은 CVD 공정인 것을 특징으로 하는 금속 내외장재의 표면 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, CVD공정을 통해 알루미늄의 융점 2/3 이하의 온도에서도 등축정 조직으로 박막층을 균일하게 형성할 수 있어, 모재의 열변형을 낮추고 경제성을 높이는 동시에, 생산 설비에 대한 부담을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及通过CVD工艺处理形成铝等轴晶粒结构的金属内外表面材料的表面的方法，以及使用其进行表面处理的金属内外表面材料。更具体地，本发明涉及一种处理金属内外表面材料的表面的方法，包括以下步骤：通过在基体的表面上涂覆基于铝（Al）的金属，形成等轴晶粒结构的薄膜层金属内外饰材料; 通过对其上形成有薄膜层的表面进行阳极氧化来形成阳极氧化膜层; 并在阳极氧化膜层上着色染料并对其进行密封，其中通过CVD工艺形成等轴晶粒结构的薄膜。根据本发明，可以通过CVD工艺在低于铝熔点的三分之二的温度下均匀地形成等轴晶粒结构的薄膜层，从而减少了生产设备在同时减少基材的热变形，提高经济效益。

69. 发明申请

WO2009146432A1 PLASMA-BASED CHEMICAL SOURCE DEVICE AND METHOD OF USE THEREOF 审中-公开
标题翻译：基于等离子体的化学源装置及其使用方法
公开(公告)号：WO2009146432A1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：PCT/US2009/045708
申请日：2009-05-29
申请人： COLORADO STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION , KOO, Il-gyo , MOORE, Cameron, A. , COLLINS, George, J.
发明人： KOO, Il-gyo , MOORE, Cameron, A. , COLLINS, George, J.
IPC分类号： C23C16/20
CPC分类号： H05H1/24 , A61B18/042 , C23C16/513 , H01J37/32348 , H01J37/3255 , H05H1/2406 , H05H2001/2412 , H05H2001/2418 , H05H2001/2431 , H05H2001/2443 , H05H2001/245
摘要： The present disclosure provides for a plasma system including a plasma device coupled to a power source, an ionizable media source and a precursor source. During operation, the ionizable media source provides ionizable media and the precursor ionizable media source provides one or more chemical species, photons at specific wavelengths, as well as containing various reactive functional groups and/or components to treat the workpiece surface by working in concert for synergetic selective tissue effects. The chemical species and the ionizable gas are mixed either upstream or midstream from an ignition point of the plasma device and once mixed, are ignited therein under application of electrical energy from the power source. As a result, a plasma effluent and photon source is formed, which carries the ignited plasma feedstock and resulting mixture of reactive species to a workpiece surface to perform a predetermined reaction.
摘要翻译：本公开提供了一种等离子体系统，其包括耦合到电源，可电离介质源和前体源的等离子体装置。在操作期间，可离子化介质源提供可离子化介质，并且前体可离子化介质源提供一个或多个化学物质，特定波长的光子，以及含有各种反应性官能团和/或组分以通过一起工作来处理工件表面协同选择性组织效应。化学物质和可电离气体在等离子体装置的点火点的上游或中游混合，并且一旦混合，在施加来自电源的电能下被点燃。结果，形成等离子体流出物和光子源，其将点燃的等离子体原料和所产生的反应物质混合物携带到工件表面以进行预定的反应。

70. 发明申请

WO2009096578A1 METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, WAFER INCLUDING GROUP III NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND GROUP III NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：用于生产III族氮化物的化合物半导体的方法，包括III族氮化物化合物半导体的滤波器和基于III族氮化物的化合物半导体器件
公开(公告)号：WO2009096578A1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/JP2009/051681
申请日：2009-01-27
申请人： TOYODA GOSEI CO., LTD. , OKUNO, Koji , NITTA, Shugo , SAITO, Yoshiki , USHIDA, Yasuhisa , NAKADA, Naoyuki , BOYAMA, Shinya
发明人： OKUNO, Koji , NITTA, Shugo , SAITO, Yoshiki , USHIDA, Yasuhisa , NAKADA, Naoyuki , BOYAMA, Shinya
IPC分类号： C30B29/38 , C23C16/20 , C23C16/34 , C30B25/18 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
摘要： To produce a Group III nitride-based compound semiconductor having a m-plane main surface and uniformly oriented crystal axes. A mesa having a side surface having an off-angle of 45° or less from c-plane is formed in a a-plane main surface of a sapphire substrate. Subsequently, trimethylaluminum is supplied at 300°C to 420°C, to thereby form an aluminum layer having a thickness of 4 nm or less. The aluminum layer is nitridated to form an aluminum nitride layer. Through the procedure, a Group III nitride-based compound semiconductor is epitaxially grown only from a side surface of the mesa having an off-angle of 45° or less from c-plane in the sapphire substrate having an a-plane main surface. Thus, a Group III nitride-based compound semiconductor having m-plane which is parallel to the main surface of the sapphire substrate can be formed.
摘要翻译：制造具有m面主面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石基板的a面主表面上形成具有从c面偏离45°以下的侧面的台面。随后，在300℃〜420℃下供给三甲基铝，形成厚度为4nm以下的铝层。将铝层氮化以形成氮化铝层。通过该方法，在具有a面主表面的蓝宝石衬底中，从c面开始只从具有45°以下偏离角的台面的侧面外延生长III族氮化物系化合物半导体。因此，可以形成具有与蓝宝石基板的主表面平行的m面的III族氮化物系化合物半导体。

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