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61. 发明公开

EP1425729A1 GRAPHICAL AUTOMATED MACHINE CONTROL AND METROLOGY 有权
标题翻译： GRAPHIC自动化机器控制和测量
公开(公告)号：EP1425729A1
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：EP02757340.1
申请日：2002-08-23
申请人： FEI Company
发明人： TASKER, David J. , LEZEC, Henri, J. , HEAD, David A.
IPC分类号： G09G5/00
CPC分类号： G05B19/40933 , G01N1/286 , G05B2219/36314 , G05B2219/36317 , G05B2219/36325 , H01J37/28 , H01J37/3023 , H01J37/3056 , H01J2237/2813 , H01J2237/30416 , H01J2237/30483 , H01J2237/31713 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749 , Y02P90/265
摘要： A graphical programming system allows a user to place geometric shapes onto a scaled image, the shape having associated behavior that operates on the image or on the object of which the image is formed. In a preferred embodiment, the shapes are objects in the Visio program by Microsoft Corporation. The shapes are dragged from a stencil onto an image provided by ion beam or electron microscope image. The shape invokes software or hardware to locate and measure features on the image or to perform operations, such as ion beam milling, on the object that is imaged.

62. 发明公开

EP0910110A2 Verfahren für den Betrieb eines Hochleistungs-Elektronenstrahls 有权
标题翻译：菲律宾人Betrieb eines Hochleistungs-Elektronenstrahls
公开(公告)号：EP0910110A2
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：EP98119063.0
申请日：1998-10-08
申请人： Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
发明人： Bähr, Martin, Dr.rer. nat , Laux, Erik, Dipl.-Ing.
IPC分类号： H01J37/305 , H01J37/302
CPC分类号： H01J37/302 , H01J37/3053 , H01J2237/30483 , H01J2237/3132
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren für den Betrieb eines Hochleistungs-Elektronenstrahls für das Verdampfen von Materialien in einem Tiegel. Mit diesem Verfahren werden automatisch statische und dynamische Ablenkfehler korrigiert. Zunächst werden die statischen und dynamischen Ablenkfehler mittels eines Teach-In-Verfahrens für konkrete Raumkoordinaten und konkrete Frequenzen der Ablenkströme ermittelt und in einem Speicher abgespeichert. Bei dem späteren Betrieb werden diese abgespeicherten Daten in der Weise verwendet, daß eingegebene geometrische Daten für die Auftreffpunkte des Elektronenstrahls automatisch in korrigierte Stromwerte umgerechnet werden, welche das exakte Auftreffen auf die eingegebenen Punkte bewirken. Entsprechendes geschieht bei der Eingabe von Frequenzen für den Ablenkstrom. Die eingegebenen Frequenzen werden automatisch amplitudenmäßig und kurvenformmäßig korrigiert, um die frequenzabhängigen Dämpfungseffekte zu eliminieren. Sowohl bei der Korrektur der statischen als auch bei der Korrektur der dynamischen Ablenkfehler wird durch geeignete Interpolationsverfahren gewährleistet, daß auch die beim Teach-In-Verfahren nicht berücksichtigten Raumkoordinaten bzw. Frequenzen Berücksichtigung finden. Schließlich wird auch noch ein Verfahren angegeben, mit dem es möglich ist, durch bloße Vorgabe einer Leistungsverteilung auf einer Tiegeloberfläche den Elektronenstrahl so zu steuern, daß die Vorgabedaten erfüllt werden.
摘要翻译：该方法包括以基本上恒定的强度将电子束引导到待蒸发的材料上，并以限定的速度将其移动到表面的不同几何限定的点上，该点被波束连续熔化。所选点的几何坐标被转换成校正的偏转电流并馈送到对角。偏转单位

63. 发明申请

WO2012134600A1 IMPROVED UNIFORMITY OF A SCANNED ION BEAM 审中-公开
标题翻译：改善扫描离子束的均匀性
公开(公告)号：WO2012134600A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/US2012/000178
申请日：2012-03-29
申请人： AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. , EISNER, Edward , RAY, Andy , VANDERBERG, Bo
发明人： EISNER, Edward , RAY, Andy , VANDERBERG, Bo
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , G21K5/02 , G21K5/04 , G21K5/10 , H01J37/302 , H01J2237/30483
摘要： One embodiment relates to an ion implanter. The ion implanter includes an ion source to generate an ion beam, as well as a scanner to scan the ion beam across a surface of a workpiece along a first axis. The ion implanter also includes a deflection filter downstream of the scanner to ditheredly scan the ion beam across the surface of the workpiece along a second axis.
摘要翻译：一个实施例涉及一种离子注入机。离子注入机包括用于产生离子束的离子源以及沿着第一轴沿着工件的表面扫描离子束的扫描仪。离子注入机还包括在扫描器下游的偏转滤波器，以沿着第二轴度将离子束沿工件的表面抖动扫描。

64. 发明申请

WO2008059070A2 VERFAHREN ZUR REGELUNG NANOSKALIGER ELEKTRONENSTRAHLINDUZIERTER ABSCHEIDUNGEN 审中-公开
标题翻译：一种用于控制电子诱导纳米级矿床
公开(公告)号：WO2008059070A2
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：PCT/EP2007/062524
申请日：2007-11-19
申请人： CARL VON OSSIETZKY UNIVERSITÄT OLDENBURG , WICH, Thomas , LUTTERMANN, Tim
发明人： WICH, Thomas , LUTTERMANN, Tim
IPC分类号： H01J37/304 , H01J37/305 , C23C16/48
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/047 , C23C16/16 , C23C16/487 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J37/3056 , H01J2237/2448 , H01J2237/30466 , H01J2237/30483 , H01J2237/31732
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung, mit denen die elektronenstrahlinduzierte Abscheidung von nicht flüchtiger Substanz aus einer gasförmigen Vorläufersubstanz auf einer Substratoberfläche geregelt werden kann. Erfindungsgemäß wird ein Primärelektronenstrahl gesteuert auf die Substratoberfläche eingestrahlt und führt dort zur Erzeugung von Sekundärelektronen, die wiederum die Reaktion der Vorläufersubstanz zur Abscheidung auf der Substratoberfläche auslösen. Als Regel- oder Steuerungssignal für die Bewegung des Primärelektronenstrahls wird das Signal eines Sekundärelektronendetektors eingesetzt. Das Signal des Sekundärelektronendetektors wird während der Abscheidung aufgenommen und erlaubt eine zeitlich unmittelbare rechnergestützte Steuerung und/oder Regelung des Primärelektronenstrahls und damit der Rate und örtlichen Auflösung der Abscheidung von Substanz aus der Vorläufersubstanz auf der Substratoberfläche.
摘要翻译：本发明涉及一种方法和利用该电子束诱导沉积可以通过不挥发性物质从气态前体来控制到基材表面上的装置。根据本发明的一个一次电子束被控制照射基板表面，在那里它会导致二次电子，其反过来触发前体的用于沉积在衬底表面上反应的产生上。至于初级电子束的移动的控制信号或控制信号，则使用二次电子检测器的信号。二次电子检测器的信号在沉积期间吸收并允许即时时间计算机控制和/或调节初级电子束，因此率和物质从衬底表面上的前体物质的沉积的空间分辨率。

65. 发明申请

WO2007127084A1 DOSE UNIFORMITY CORRECTION TECHNIQUE 审中-公开
标题翻译：剂量均匀校正技术
公开(公告)号：WO2007127084A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/US2007/009257
申请日：2007-04-13
申请人： AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. , HALLING, Mike
发明人： HALLING, Mike
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/302 , H01J37/20
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J2237/20228 , H01J2237/30483 , H01J2237/31703
摘要： Non uniform ion implantations in a pendulum type of ion implantation system are mitigated by adjusting movement of a wafer according to a corresponding non uniform function. More particularly, a non uniform ion implantation function is obtained by measuring and/or modeling ion implantations. Then, movement of a wafer along a second non arcuate scan path is adjusted according to the non uniform ion implantation function to facilitate uniform ion implantations.
摘要翻译：摆式离子注入系统中的非均匀离子注入通过根据相应的非均匀功能调节晶片的移动来减轻。更具体地，通过测量和/或模拟离子注入获得非均匀的离子注入功能。然后，根据非均匀的离子注入功能调整晶片沿着第二非弓形扫描路径的运动，以促进均匀的离子注入。

66. 发明申请

WO2006054528A1 イオン注入装置审中-公开
标题翻译：离子植入装置
公开(公告)号：WO2006054528A1
公开(公告)日：2006-05-26
申请号：PCT/JP2005/020872
申请日：2005-11-14
申请人：株式会社アルバック , 小方誠司 , 桜田勇蔵 , 関口雅行 , 西橋勉
发明人：小方誠司 , 桜田勇蔵 , 関口雅行 , 西橋勉
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/147 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/1474 , H01J37/3171 , H01J2237/057 , H01J2237/30483
摘要： There is provided an ion implantation device capable of suppressing spread of an ion beam and accurately controlling a scan waveform, there by obtaining a large scan angle in the order of 10 degrees. In the ion implantation device, a first, a second, and a third chamber (12A, 14A, 16A) are arranged at predetermined positions on the beam line. The second chamber (14A) is arranged with a first and a second gap (20A, 22A) with respect to the first and the third chamber (12A, 16A). The second chamber (14A) is electrically insulated from the first and the third chamber (12A, 16A) via a first and a second electrode pair (26A, 28A) mounted on the first and the second gap (20A, 22A), respectively. At least one of the first and the second electrode pair (26A, 28A) obliquely intersects a reference axis J of the ion beam with a predetermined angle. The second chamber (14A) includes an ion beam scan mechanism (10A) connected to a scan power source (40A) for applying a potential of a desired scan waveform.
摘要翻译：提供了一种离子注入装置，其能够通过获得大约10度的大扫描角度来抑制离子束的扩散并且精确地控制扫描波形。在离子注入装置中，第一，第二和第三室（12A，14A，16A）被布置在束线上的预定位置处。第二室（14A）相对于第一和第三室（12A，16A）布置有第一和第二间隙（20A，22A）。第二室（14A）分别经由安装在第一和第二间隙（20A，22A）上的第一和第二电极对（26A，28A）与第一和第三室（12A，16A）电绝缘。第一和第二电极对（26A，28A）中的至少一个与离子束的参考轴线J以预定角度倾斜相交。第二室（14A）包括连接到扫描电源（40A）的用于施加所需扫描波形的电位的离子束扫描机构（10A）。

67. 发明公开

EP3113209A1 ADAPTIVE BEAM CURRENT FOR HIGH THROUGHPUT PATTERNING 审中-公开
标题翻译：自适应光束电流用于高通道图案
公开(公告)号：EP3113209A1
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：EP16177044.1
申请日：2016-06-30
申请人： FEI Company
发明人： Botman, Aurélien
IPC分类号： H01J37/302
CPC分类号： H01J37/3026 , C23C16/047 , H01J37/3056 , H01J37/3178 , H01J2237/30483 , H01J2237/31749
摘要： A method for planning a beam path for material deposition is provided in which a structure pattern having features of varying size is analyzed to determine the size of each feature. A beam path throughout the structure pattern is determined and the beam current required for each point in the structure pattern is configured. Configuring the beam current required for each point involves determining the acceptable beam dose for that point. Relatively small features require a low beam current for high accuracy and relatively large features can be formed using a higher beam current allowing faster deposition. Each feature in the structure pattern is deposited at the highest beam current acceptable to allow accurate deposition of the feature.
摘要翻译：提供了用于规划用于材料沉积的光束路径的方法，其中分析具有不同尺寸特征的结构图案以确定每个特征的尺寸。确定整个结构图案中的光束路径，并配置结构图案中每个点所需的束流。配置每个点所需的电子束电流包括确定该点的可接受的电子束剂量。相对小的特征需要低射束电流以获得高精度，并且可以使用允许更快沉积的更高射束电流来形成相对大的特征。结构图案中的每个特征被沉积在可接受的最高电子束电流下，以允许精确沉积该特征。

68. 发明公开

EP3005411A1 USING WAFER GEOMETRY TO IMPROVE SCANNER CORRECTION EFFECTIVENESS FOR OVERLAY CONTROL 有权
标题翻译：晶片几何用于改进扫描仪的有效性进行校正库存控制的
公开(公告)号：EP3005411A1
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：EP14804391.2
申请日：2014-05-28
申请人： Kla-Tencor Corporation
发明人： MACNAUGHTON, Craig , VEERARAGHAVAN, Sathish , VUKKADALA, Pradeep , SINHA, Jaydeep K. , AZORDEGAN, Amir
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G03F7/70616 , G03F7/70633 , G03F7/70783 , G03F9/7003 , H01J37/28 , H01J37/304 , H01J37/3172 , H01J37/3174 , H01J2237/221 , H01J2237/2814 , H01J2237/30472 , H01J2237/30483 , H01J2237/31701
摘要： Systems and methods for providing improved scanner corrections are disclosed. Scanner corrections provided in accordance with the present disclosure may be referred to as wafer geometry aware scanner corrections. More specifically, wafer geometry and/or wafer shape signature information are utilized to improve scanner corrections. By removing the wafer geometry as one of the error sources that may affect the overlay accuracy, better scanner corrections can be obtained because one less contributing factor needs to be modeled.

69. 发明授权

EP1425729B1 GRAPHICAL AUTOMATED MACHINE CONTROL AND METROLOGY 有权
标题翻译： GRAPHIC自动化机器控制和测量
公开(公告)号：EP1425729B1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：EP02757340.1
申请日：2002-08-23
申请人： FEI COMPANY
发明人： TASKER, David J. , LEZEC, Henri, J. , HEAD, David A.
IPC分类号： G09G5/00
CPC分类号： G05B19/40933 , G01N1/286 , G05B2219/36314 , G05B2219/36317 , G05B2219/36325 , H01J37/28 , H01J37/3023 , H01J37/3056 , H01J2237/2813 , H01J2237/30416 , H01J2237/30483 , H01J2237/31713 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749 , Y02P90/265
摘要： A graphical programming system allows a user to place geometric shapes onto a scaled image, the shape having associated behavior that operates on the image or on the object of which the image is formed. In a preferred embodiment, the shapes are objects in the Visio program by Microsoft Corporation. The shapes are dragged from a stencil onto an image provided by ion beam or electron microscope image. The shape invokes software or hardware to locate and measure features on the image or to perform operations, such as ion beam milling, on the object that is imaged.

70. 发明公开

EP2402978A1 CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE AND METHOD FOR CORRECTING POSITION WITH RESPECT TO CHARGED PARTICLE BEAM 审中-公开
标题翻译：与对于带电粒子束位置修正带电粒子束和方法的装置
公开(公告)号：EP2402978A1
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：EP09840714.1
申请日：2009-10-23
申请人： Hitachi High-Technologies Corporation
发明人： MADOKORO, Yuichi , AIZAWA, Megumi , YOSHIZAWA, Yukio
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/22
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/153 , H01J37/3005 , H01J37/3045 , H01J37/3056 , H01J2237/15 , H01J2237/1536 , H01J2237/20207 , H01J2237/221 , H01J2237/30483 , H01J2237/31745
摘要： An object of the present invention is to eliminate a distortion in an image even if there is an angular difference between the deflection direction of the charged particle beam and the tilt axis of a specimen, and to accurately observe and process the specimen. When the deflection direction of the charged particle beam is not parallel to the tilt axis of the specimen, the deflection rotation angle to the observation direction of the charged particle beam is determined, and the deflection pattern is changed. Thereby the distortion in the image is corrected. The deflection pattern is changed to a parallelogram. A distortion-free image is obtained even if the specimen is tilted, and the specimen can be observed and processed with high accuracy. This allows automatically recognizing the position correction mark to perform observation and processing after correcting the positional relation.
摘要翻译：本发明的一个目的是消除在图像中的失真即使带电粒子束的偏转方向与检体的倾斜轴之间的角度差，并且精确地设置观察和处理样品。当带电粒子束的偏转方向不平行于试样的倾斜轴线，偏转旋转角的带电粒子束的观察方向是确定的开采，以及偏转图案被改变。从而在图像中的失真进行校正。偏转图案被改变为平行四边形。无失真的图像，获得即使将试样倾斜，和试样可以观察到，并且以高准确度进行处理。这允许自动识别的位置校正标志校正的位置关系后进行观察和处理。

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