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    • 63. 发明授权
    • Solution synthesis of germanium nanocrystals
    • 锗纳米晶体的溶液合成
    • US07591871B1
    • 2009-09-22
    • US11060157
    • 2005-02-17
    • Henry GerungTimothy J. BoyleScott D. Bunge
    • Henry GerungTimothy J. BoyleScott D. Bunge
    • B22F9/24
    • B22F9/24B22F2998/00B22F2999/00B22F1/0014B22F1/0018B22F1/0025B22F2203/11
    • A method for providing a route for the synthesis of a Ge(0) nanometer-sized material from. A Ge(II) precursor is dissolved in a ligand heated to a temperature, generally between approximately 100° C. and 400° C., sufficient to thermally reduce the Ge(II) to Ge(0), where the ligand is a compound that can bond to the surface of the germanium nanomaterials to subsequently prevent agglomeration of the nanomaterials. The ligand encapsulates the surface of the Ge(0) material to prevent agglomeration. The resulting solution is cooled for handling, with the cooling characteristics useful in controlling the size and size distribution of the Ge(0) materials. The characteristics of the Ge(II) precursor determine whether the Ge(0) materials that result will be nanocrystals or nanowires.
    • 提供用于合成Ge(0)纳米尺寸材料的路线的方法。 将Ge(II)前体溶解在加热至通常在约100℃至400℃的温度的配体中,足以将Ge(II)还原成Ge(0),其中配体是化合物 其可以结合到锗纳米材料的表面以随后防止纳米材料的团聚。 该配体包封Ge(O)材料的表面以防止附聚。 将所得溶液冷却用于处理,其中冷却特性可用于控制Ge(0)材料的尺寸和尺寸分布。 Ge(II)前体的特征决定了Ge(0)材料是纳米晶体还是纳米线。