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61. 发明专利

FR3063832A1 PROCEDE D'AUTO-ASSEMBLAGE DE COMPOSANTS MICROELECTRONIQUES 未知
公开(公告)号：FR3063832A1
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：FR1751901
申请日：2017-03-08
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： DI CIOCCIO LEA
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/98
摘要： L'invention concerne le domaine de l'intégration tridimensionnelle de composants microélectroniques et plus particulièrement un procédé d'autoassemblage 100 de composants microélectroniques comprenant : - Fournir 101 un substrat dit d'auto-alignement comprenant au moins une protubérance présentant une face supérieure hydrophobe, - Fournir 102 au moins une puce, - Fournir 103 un substrat dit d'auto-assemblage, - Obtenir 104, par effet capillaire, l'auto-alignement de ladite au moins une puce sur l'au moins une protubérance du substrat d'auto-alignement, puis - Obtenir 105 l'assemblage de ladite au moins une puce sur le substrat d'auto-assemblage par collage direct sur le substrat d'auto-assemblage de ladite au moins une puce. L'invention trouve pour application la fabrication industrielle de composants microélectroniques, tels que des circuits intégrés 3D. Elle dissocie l'alignement et l'assemblage des puces pour obtenir un haut rendement et pallier le problème lié à l'intégration des protubérances sur un substrat d'autoassemblage processé.

62. 发明专利

FR3011679B1 PROCEDE AMELIORE D'ASSEMBLAGE PAR COLLAGE DIRECT ENTRE DEUX ELEMENTS, CHAQUE ELEMENT COMPRENANT DES PORTIONS DE METAL ET DE MATERIAUX DIELECTRIQUES 未知
公开(公告)号：FR3011679B1
公开(公告)日：2017-01-27
申请号：FR1359591
申请日：2013-10-03
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
发明人： DI CIOCCIO LEA , BEILLIARD YANN
IPC分类号： H01L21/98 , H01L23/52
摘要： Procédé d'assemblage par collage direct d'un premier (I) et deuxième (II) éléments munis chacun d'une surface d'assemblage, l'une au moins des surfaces d'assemblage comprenant des portions métalliques (6, 106) en retrait entourées de matériaux diélectriques (4, 104) comportant : A) une étape de mise en contact des deux surfaces d'assemblage sans application de pression de sorte qu'un collage direct soit obtenu entre les surfaces d'assemblage, lesdits premier et deuxième ensembles (I, II) formant un empilement présentant une épaisseur donnée (e), B) une étape de traitement thermique dudit empilement, pendant lequel, les faces arrière (10, 110) des premier (I) et deuxième (II) éléments sont immobilisées de sorte qu'elles soient maintenues à distance fixe (E) comprise entre l'épaisseur donnée de l'empilement +/- 2 nm.

63. 发明专利

FR3008544B1 PROCEDE DE GRAVURE POUR LA FORMATION D'UN SUPPORT A FLANCS RENTRANTS DESTINE NOTAMMENT AU CONFINEMENT DE GOUTTE POUR AUTO-ASSEMBLAGE CAPILLAIRE 未知
公开(公告)号：FR3008544B1
公开(公告)日：2015-08-07
申请号：FR1356719
申请日：2013-07-09
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
发明人： MERMOZ SEBASTIEN , DI CIOCCIO LEA , MAGIS THOMAS , SANCHEZ LOIC
IPC分类号： H01L21/98

64. 发明专利

FR3006236A1 PROCEDE DE COLLAGE METALLIQUE DIRECT 未知
公开(公告)号：FR3006236A1
公开(公告)日：2014-12-05
申请号：FR1355043
申请日：2013-06-03
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： BAUDIN FLORIANE , DI CIOCCIO LEA
IPC分类号： B32B7/10 , C09J5/00 , H01L21/30 , H01L21/50
摘要： Il comprend les étapes consistant à a) Fournir un premier empilement (100) comprenant un premier substrat (1) sur lequel est déposée une première couche métallique (2) comprenant un premier métal, b) Fournir un second empilement (200) comprenant un second substrat (3) sur lequel est déposée une seconde couche métallique (4) comprenant un second métal, c) Mettre en contact la première couche métallique (2) et la seconde couche métallique (4) de sorte à obtenir un collage métallique direct entre la première couche métallique (2) et la seconde couche métallique (4), et d) Appliquer un traitement thermique de recuit du collage, au moins ledit premier empilement (100) comprenant en outre une première couche de solubilisation (6) distincte de la première couche métallique (2), la première couche de solubilisation (6) comportant un premier matériau getter permettant la solubilisation de l'oxygène.

65. 发明专利

FR2981940B1 PROCEDE DE COLLAGE DIRECT D'UNE COUCHE D'OXYDE DE SILICIUM 未知
公开(公告)号：FR2981940B1
公开(公告)日：2014-06-06
申请号：FR1159723
申请日：2011-10-26
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： SABBIONE CHIARA , DI CIOCCIO LEA , NIETO JEAN-PIERRE , VANDROUX LAURENT
IPC分类号： C09J5/00 , B32B7/04

66. 发明专利

FR2990565A1 PROCEDE DE REALISATION DE DETECTEURS INFRAROUGES 未知
公开(公告)号：FR2990565A1
公开(公告)日：2013-11-15
申请号：FR1201324
申请日：2012-05-09
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： HUET STEPHANIE , AIT MANI ABDENACER , DI CIOCCIO LEA
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L31/101
摘要： Procédé de réalisation d'au moins un détecteur infrarouge photosensible par assemblage d'un premier composant (100, 230) électronique comportant une pluralité de photodiodes (110) sensibles au rayonnement infrarouge et d'un deuxième composant (400) électronique comprenant au moins un circuit électronique de lecture de la pluralité de photodiodes, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend : l'obtention sur chacun des premier (100, 230) et deuxième (400) composants d'une face de liaison (192, 492) formée au moins partiellement par une couche (210, 405) à base d'oxyde de silicium (SiO ) ; une étape de collage du premier composant (100, 230) et du deuxième composant (400) par leurs faces de liaison (192, 492), réalisant ainsi le collage direct des deux composants (100, 230, 400). Ce procédé permet de simplifier l'hybridation de composants hétérogènes pour réaliser un détecteur infrarouge. L'invention porte également sur un détecteur infrarouge et sur un ensemble pour la réalisation d'un tel détecteur.

68. 发明专利

FR2980639A1 PROCEDE DE MESURE DE LA RESISTANCE D'UNE LIAISON METALLIQUE ENTRE DEUX PARTIES DE CIRCUITS INTEGRES ASSEMBLEES FORMANT UNE STRUCTURE INTEGREE TRIDIMENSIONNELLE ET DISPOSITIF CORRESPONDANT 未知
公开(公告)号：FR2980639A1
公开(公告)日：2013-03-29
申请号：FR1158500
申请日：2011-09-23
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
发明人： TAIBI RACHID , DI CIOCCIO LEA , CHAPELON LAURENT-LUC
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/98 , H01L23/52
摘要： Procédé de mesure de la résistance d'une liaison métallique entre deux parties de circuits intégrés assemblées formant une structure intégrée tridimensionnelle (STR), et dispositif correspondant, ladite liaison comprenant un ensemble d'au moins deux lignes métalliques (LM1) en contact électrique mutuel, ledit ensemble s'étendant au sein de chaque partie de circuit intégré, caractérisé en ce qu'il comprend : - une formation d'au moins deux cavités (CV1) sur une face non assemblée d'une des deux parties de circuit intégré, les deux cavités débouchant respectivement sur deux portions appartenant respectivement aux deux lignes métalliques ou appartenant à une même ligne métallique, - une mesure de la résistance de la liaison métallique au moyen d'un appareil de mesure électriquement en contact avec lesdites deux portions à travers lesdites cavités (CV1).

69. 发明专利

FR2947481B1 PROCEDE DE COLLAGE CUIVRE-CUIVRE SIMPLIFIE 未知
公开(公告)号：FR2947481B1
公开(公告)日：2011-08-26
申请号：FR0954608
申请日：2009-07-03
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
发明人： DI CIOCCIO LEA , GUEGUEN PIERRIC , RIVOIRE MAURICE
IPC分类号： B32B15/01 , C23C10/28 , H01L21/02

70. 发明专利

DE602008003933D1 VERFAHREN ZUR ÜBERTRAGUNG EINER SCHICHT AUF EIN FLÜSSIGES MATERIAL 未知
公开(公告)号：DE602008003933D1
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：DE602008003933
申请日：2008-08-05
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： BORDEL DAMIEN , DI CIOCCIO LEA
IPC分类号： H01L21/762

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