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热词
    • 65. 发明公开
    • 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 소거 방법
    • 非易失性存储器件及其擦除方法
    • KR1020160145875A
    • 2016-12-21
    • KR1020150081808
    • 2015-06-10
    • 삼성전자주식회사
    • 추교수강동구서성환김무성
    • G11C16/14G11C16/08G11C16/30
    • G11C16/14G11C7/04G11C16/0483G11C16/08G11C16/16G11C16/30G11C29/028
    • 본발명에따른불 휘발성메모리장치는복수의셀 스트링들을포함하고, 각셀 스트링은기판과수직인방향으로적층된복수의메모리셀들, 상기복수의메모리셀들과상기기판의사이에제공되는접지선택트랜지스터, 그리고상기복수의메모리셀들과비트라인사이에제공되는스트링선택트랜지스터를포함하는메모리셀 어레이, 소거동작시 상기기판에소거전압을제공하고, 그리고상기소거전압이제공된후 특정시간뒤에상기접지선택트랜지스터에연결되는접지선택라인을플로팅하는어드레스디코더, 제 1 온도정보에기초하여온도에따라변경되는상기소거전압을생성하고, 그리고상기소거전압에대응하는피드백전압및 제 2 온도정보에기초하여접지선택라인(GSL) 천이정보를생성하는전압발생기, 그리고상기 GSL 천이정보에기초하여접지선택라인(GSL) 제어신호를생성하는제어로직을포함하되, 상기어드레스디코더는상기 GSL 제어신호에따라상기접지선택라인을플로팅한다.
    • 非易失性存储器件包括:衬底,沿垂直于衬底的方向堆叠的多个存储器单元,连接到存储单元的字线,存储单元和衬底之间的接地选择晶体管,存储单元之间的接地选择晶体管 衬底,连接到接地选择晶体管的接地选择线,存储器单元上的位线,以及存储器单元和位线之间的串选择晶体管。 在擦除操作中,在将擦除电压提供给衬底之后的特定时间经过时,接地选择线被浮置。 并且地面选择线根据温度在不同时间漂浮。
    • 68. 发明公开
    • 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
    • 非易失性存储器件的非易失性存储器件和程序方法
    • KR1020160109906A
    • 2016-09-21
    • KR1020150035152
    • 2015-03-13
    • 삼성전자주식회사
    • 강동구
    • G11C16/34G11C16/08G11C16/04G11C16/06G11C16/26G11C16/10
    • G11C11/5628G11C16/0483G11C16/10G11C16/32G11C2211/5641G11C2211/5648G11C16/34G11C16/04G11C16/08G11C16/26
    • 비휘발성메모리장치및 비휘발성메모리장치의프로그램방법이개시된다. 본개시의실시예에따른프로그램방법은, 기판에수직한방향으로적층되는복수의메모리셀들을포함하는비휘발성메모리장치의프로그램방법으로서, 상기기판에수직한방향으로차례로배치되는제1 내지제n 워드라인들중에서, 제2 워드라인내지제n-1 워드라인의메모리셀을멀티레벨로프로그램하되, 상기제2 워드라인에서상기제n-1 워드라인방향으로, 상기워드라인들이배치된순서대로멀티레벨프로그램이완료되고, 어느하나의워드라인의메모리셀에대한멀티레벨프로그램이완료되기전에상기어느하나의워드라인과다른워드라인의메모리셀에대한프로그램이교번적으로수행될수 있는멀티레벨프로그램단계; 및상기제2 워드라인내지제n-1 워드라인의메모리셀을프로그램한이후, 제2 워드라인에인접한제1 워드라인의메모리셀을싱글레벨로프로그램하는단계를포함한다.
    • 公开了非易失性存储器件的非易失性存储器件和程序方法。 根据本公开的实施例,包括在衬底上垂直堆叠的多个存储单元的非易失性存储器件的编程方法包括:多级程序步骤,用于对第二至第(n-1) 在垂直于衬底上顺序放置的第一至第n字线之间的多个级别中,多级程序以按照从第二字线到第二字线的方向排列的顺序完成多级程序 (n-1)个字线,并且在用于某个字线的存储器单元的多级程序之前,可以交替地完成用于另一字线的存储器单元的程序; 以及在对所述第二至第(n-1)行字线的存储单元进行编程之后,将靠近所述第二字线的所述第一字线的存储单元编程为单个级别的步骤。
    • 69. 发明公开
    • 영상 처리 장치, 의료영상 장치 및 영상 처리 방법
    • 图像处理设备,医学图像设备和图像处理方法
    • KR1020160089194A
    • 2016-07-27
    • KR1020150008848
    • 2015-01-19
    • 삼성전자주식회사
    • 전성욱성영훈강동구
    • G06T1/00
    • G06T5/003G06F19/00G06T2207/10072G06T2207/10116G06T2207/20081G06T2207/20092G06T2207/30004G16H40/63G06T1/00G06T2210/41
    • 의료영상의처리에사용되는영상처리파라미터를사용자가선호하는최적의값으로직관적이고용이하게설정할수 있도록하는영상처리장치, 의료영상장치및 영상처리방법을제공한다. 일실시예에따른의료영상에적용되는적어도하나의영상처리파라미터를설정하는영상처리장치는, 상기적어도하나의영상처리파라미터가다르게적용된복수의샘플영상을표시하는디스플레이부; 사용자로부터상기표시된복수의샘플영상중 하나에대한선택을입력받는입력부; 및상기사용자가상기선택된샘플영상에만족하지않으면, 상기선택된샘플영상에적용된영상처리파라미터에기초하여, 상기적어도하나의영상처리파라미터가다르게적용된새로운복수의샘플영상을생성하는영상처리부;를포함한다.
    • 提供了一种图像处理装置,其能够使用户直观且容易地将用于处理医学图像的图像处理参数设置为用户优选的最佳值,医学图像装置和图像处理方法。 根据本发明的实施例,能够允许用户设置应用于医学图像的至少一个图像处理参数的图像处理装置包括:显示单元,用于显示多个样本图像,至少一个图像处理参数为 应用不同 输入单元,用于从所述用户接收所显示的多个样本图像中的一个选择; 以及图像处理单元,用于如果用户对所选择的样本图像不满意,则基于应用于所选择的样本图像的图像处理参数,生成不同地施加至少一个图像处理参数的新的多个样本图像。
    • 70. 发明公开
    • 반도체 메모리 장치, 이를 포함하는 반도체 메모리 시스템
    • 半导体存储器件和包括其的存储器系统
    • KR1020160011068A
    • 2016-01-29
    • KR1020140092079
    • 2014-07-21
    • 삼성전자주식회사
    • 유재덕강동구이대열
    • G11C16/34G11C16/06
    • G11C11/5628G11C5/143G11C16/10G11C16/3454G11C16/3459
    • 본발명의일 실시예에따른반도체메모리장치는, 검증전압을제1 전압레벨로부터제1 시간동안셋업하여제1 검증동작을수행하고, 프로그램데이터가프로그램되는다수의메모리셀로구성된메모리셀 어레이, 상기메모리셀 어레이로부터상기프로그램데이터를센싱하여센싱데이터를생성하는센싱부, 상기프로그램데이터와상기센싱데이터를비교하는조건판단부및 상기프로그램데이터와상기센싱데이터의비교결과를기반으로, 상기검증전압을제2 전압레벨로부터제2 시간동안셋업하여제2 검증동작수행을제어하는제1 검증제어, 또는상기검증전압을상기제1 전압레벨로부터제1 시간동안셋업하여제2 검증동작수행을제어하는제2 검증제어를수행하는검증동작제어부를포함하는컨트롤로직을포함하는것을특징으로한다.
    • 根据本发明的实施例的半导体存储器件包括:存储单元阵列,用于通过在第一时间段内设置来自第一电压电平的验证电压来执行第一验证操作,并且由多个存储器单元组成,其中存储单元阵列 程序数据被编程; 感测单元,用于通过从存储单元阵列感测节目数据来产生感测数据; 条件确定单元,用于将节目数据与感测数据进行比较; 以及控制逻辑,包括验证操作控制单元,用于通过在第二时间段内从第二电压电平设置验证电压来执行用于控制第二验证操作的第一验证控制,并执行用于执行第二验证操作的第二验证控制 通过基于程序数据和感测数据的比较结果,在第一时间段内设置来自第一电压电平的验证电压。