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61. 发明专利

TWI456352B 圖案形成方法有权
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TWI456352B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW101137316
申请日：2012-10-09
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：旱田山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 郡大佑 , KORI, DAISUKE
IPC分类号： G03F7/11 , C07C39/17 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/11

62. 发明专利

TWI452424B 圖型之形成方法及光阻材料有权
简体标题：图型之形成方法及光阻材料
公开(公告)号：TWI452424B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW099125751
申请日：2010-08-03
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 片山和弘 , KATAYAMA, KAZUHIRO , 大澤洋一 , OHSAWA, YOUICHI , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/095 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0035 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041

63. 发明专利

TWI447519B 鹼性化合物、化學增幅型光阻材料及圖案形成方法有权
简体标题：碱性化合物、化学增幅型光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TWI447519B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW100141084
申请日：2011-11-10
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 提箸正義 , SAGEHASHI, MASAYOSHI , 渡邊武 , WATANABE, TAKERU
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , C07C229/04 , H01L21/027
CPC分类号： C07D239/28 , G03F7/0045

64. 发明专利

TW201428423A 鋶鹽、高分子化合物、光阻材料及圖案形成方法與該高分子化合物之製造方法审中-公开
简体标题：锍盐、高分子化合物、光阻材料及图案形成方法与该高分子化合物之制造方法
公开(公告)号：TW201428423A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102144953
申请日：2013-12-06
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大橋正樹 , OHASHI, MASAKI , 畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 阿達鐵平 , ADACHI, TEPPEI , 福島將大 , FUKUSHIMA, MASAHIRO
IPC分类号： G03F7/004 , C08F20/38 , C07C309/12 , C07C381/12 , C07D335/16
CPC分类号： G03F7/027 , C08F220/22 , C08F2220/382 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041
摘要：本發明提供通式(1a)表示之鋶鹽; (R1表示H、F、CH3或CF3。R1a~R1m表示氫原子、或也可經雜原子取代、也可插入雜原子之1價烴基。L表示單鍵、或也可經雜原子取代、也可插入雜原子之2價烴基。X表示部分或全部氫原子也可取代為氟原子之2價伸烷基。n表示0或1。)本發明之具有聚合性陰離子之鋶鹽，能以良好效率切斷化學增幅型光阻材料中之酸不穩定基，作為用以製造感放射線光阻材料之基礎樹脂的單體非常有用。
简体摘要：本发明提供通式(1a)表示之锍盐; (R1表示H、F、CH3或CF3。R1a~R1m表示氢原子、或也可经杂原子取代、也可插入杂原子之1价烃基。L表示单键、或也可经杂原子取代、也可插入杂原子之2价烃基。X表示部分或全部氢原子也可取代为氟原子之2价伸烷基。n表示0或1。)本发明之具有聚合性阴离子之锍盐，能以良好效率切断化学增幅型光阻材料中之酸不稳定基，作为用以制造感放射线光阻材料之基础树脂的单体非常有用。

65. 发明专利

TWI440977B 圖案形成方法及光阻組成物有权
简体标题：图案形成方法及光阻组成物
公开(公告)号：TWI440977B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：TW101120986
申请日：2012-06-12
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：旱田山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI
IPC分类号： G03F7/038 , H01L21/027 , C08F220/28
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F1/32 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325

66. 发明专利

TWI432919B 圖型之形成方法及光阻組成物有权
简体标题：图型之形成方法及光阻组成物
公开(公告)号：TWI432919B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW098143883
申请日：2009-12-21
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 渡邊武 , WATANABE, TAKERU , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI , 片山和弘 , KATAYAMA, KAZUHIRO
IPC分类号： G03F7/40 , G03F7/039 , C08F220/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/405

67. 发明专利

TW201403243A 圖案形成方法审中-公开
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TW201403243A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102114701
申请日：2013-04-24
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN
IPC分类号： G03F7/075 , H01L21/027
CPC分类号： B44C1/227 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/09
摘要：本發明之目的在於獲得習知之自我組織化聚合物難獲得之均勻性或規則性優異之利用自我組織化形成之微域(microdomain)結構之圖案。一種圖案形成方法，其係使用自我組織化，其特徵為包含以下步驟：將含有具經酸不穩定基取代之有機基作為取代基之含矽膜形成用組成物塗佈於被加工基板上並加熱而形成含矽膜；在該含矽膜上形成光阻膜；對於該光阻膜進行圖案曝光；將該光阻膜剝離；在前述含矽膜上形成能自我組織化之聚合物膜；在該聚合物膜形成微域結構；於該聚合物膜形成圖案；將該聚合物膜之圖案作為遮罩，對於該含矽膜進行圖案轉印；及將轉印在該含矽膜之圖案作為遮罩，對於該被加工基板進行圖案轉印。
简体摘要：本发明之目的在于获得习知之自我组织化聚合物难获得之均匀性或守则性优异之利用自我组织化形成之微域(microdomain)结构之图案。一种图案形成方法，其系使用自我组织化，其特征为包含以下步骤：将含有具经酸不稳定基取代之有机基作为取代基之含硅膜形成用组成物涂布于被加工基板上并加热而形成含硅膜；在该含硅膜上形成光阻膜；对于该光阻膜进行图案曝光；将该光阻膜剥离；在前述含硅膜上形成能自我组织化之聚合物膜；在该聚合物膜形成微域结构；于该聚合物膜形成图案；将该聚合物膜之图案作为遮罩，对于该含硅膜进行图案转印；及将转印在该含硅膜之图案作为遮罩，对于该被加工基板进行图案转印。

68. 发明专利

TWI414890B 光阻下層膜之形成方法、使用其之圖型形成方法、及光阻下層膜材料有权
简体标题：光阻下层膜之形成方法、使用其之图型形成方法、及光阻下层膜材料
公开(公告)号：TWI414890B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW098135267
申请日：2009-10-19
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 藤井俊彥 , FUJII, TOSHIHIKO , 荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU
IPC分类号： G03F7/095 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/095

69. 发明专利

TW201343625A 單體、高分子化合物、光阻材料及圖案形成方法审中-公开
简体标题：单体、高分子化合物、光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TW201343625A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102104648
申请日：2013-02-06
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：提箸正義 , SAGEHASHI, MASAYOSHI , 畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 片山和弘 , KATAYAMA, KAZUHIRO
IPC分类号： C07C69/54 , C08F20/28 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/325
摘要：本發明提供通式(1A)或(1B)表示之單體。 (R1表示氫原子、甲基、或三氟甲基；R2表示碳數3~15之環狀的1價烴基，R3、R4表示碳數1~15之直鏈狀、分支狀或環狀的1價烴基；R5表示碳數1~15之直鏈狀、分支狀或環狀的1價烴基；X1、X2表示單鍵或碳數1~4之直鏈狀或分支狀的2價烴基；k1表示1~3之整數；Z1表示與其所鍵結之碳原子一起形成之碳數5~15之脂環基)。本發明之光阻膜，不僅於習知之利用鹼顯影形成正型圖案，於有機溶劑顯影之正負反轉之圖像形成，也具備未曝光部分之溶解性高、曝光部分之溶解性低、溶解對比度高的特徵。
简体摘要：本发明提供通式(1A)或(1B)表示之单体。 (R1表示氢原子、甲基、或三氟甲基；R2表示碳数3~15之环状的1价烃基，R3、R4表示碳数1~15之直链状、分支状或环状的1价烃基；R5表示碳数1~15之直链状、分支状或环状的1价烃基；X1、X2表示单键或碳数1~4之直链状或分支状的2价烃基；k1表示1~3之整数；Z1表示与其所键结之碳原子一起形成之碳数5~15之脂环基)。本发明之光阻膜，不仅于习知之利用碱显影形成正型图案，于有机溶剂显影之正负反转之图像形成，也具备未曝光部分之溶解性高、曝光部分之溶解性低、溶解对比度高的特征。

70. 发明专利

TWI411892B 圖型之形成方法及光阻變性用組成物有权
简体标题：图型之形成方法及光阻变性用组成物
公开(公告)号：TWI411892B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW099104441
申请日：2010-02-11
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：渡邊武 , WATANABE, TAKERU , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI , 畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 西恒寬 , NISHI, TSUNEHIRO , 河合義夫 , KAWAI, YOSHIO
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/004 , G03F7/075
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0035 , G03F7/40

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