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51. 发明公开

EP2230684A2 Integrierte Schaltungsanordnung mit niederohmigen Kontakten und Herstellungsverfahren 有权
标题翻译： Herstellungsverfahrenfürintegrierte Schaltungsanordnung mit niederohmigen Kontakten
公开(公告)号：EP2230684A2
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：EP10168883.6
申请日：2004-06-02
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： Hofmann, Franz , Luyken, Richard Johannes , Roesner, Wolfgang , Specht, Michael
IPC分类号： H01L21/285 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/41783 , H01L21/28518 , H01L29/41725 , H01L29/665 , H01L29/78 , Y10S438/964
摘要： Erläutert wird unter anderem eine Schaltungsanordnung, die in einem Kontaktbereich eine Übergangsschicht (212) enthält, die von Teilen einer halbleitenden Materiallage (180) und von Teilen eines Anschlussbereiches (202) mehrfach durchdrungen wird. Durch diese Maßnahme verringert sich der Kontaktwiderstand erheblich.
摘要翻译：集成电路装置（48）包括半导体衬底（52），金属连接区（102）和布置在衬底和连接区之间的半导体层（84）。平行于衬底表面的过渡层（210）被连接区域的材料层的几个部分区域和/或连接区域的若干部分区域贯穿。过渡层中的材料层的部分区域各自被金属材料完全包围。过渡层厚度大于10nm。还包括用于生产集成电路装置的方法的独立权利要求。

52. 发明公开

EP2101358A2 Method of maunfacturing photoelectric device 审中-公开
标题翻译： Herstellungsverfahrenfüreine fotoelektrische Vorrichtung
公开(公告)号：EP2101358A2
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：EP09000989.5
申请日：2009-01-24
申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.
发明人： Jung, Seung-Jae , Kim, Byoung-June , Kim, Jin-Seock , Lee, Czang-Ho , Shin, Myung-Hun , Seo, Joon-Young , Choi, Dong-Uk , Lee, Byoung-Kyu
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02366 , H01L31/022483 , H01L31/046 , H01L31/1888 , Y02E10/50 , Y10S438/964
摘要： In a method of manufacturing a photoelectric device, a transparent conductive layer is formed on a substrate, and the transparent conductive layer is partially etched using an etching solution including hydrofluoric acid. Thus, a transparent electrode having a concavo-convex pattern on its sruface is formed. When the transparent conductive layer is partially etched, a haze of the transparent electrode may be controlled by adjusting an etching time of the transparent conductive layer. Also, since the etching solution is sprayed to the transparent conductive layer to etch the transparent conductive layer, the concavo-convex pattern on the surface of the transparent electrode may be easily formed even though the size of the substrate increases.
摘要翻译：在制造光电器件的方法中，在衬底上形成透明导电层，并且使用包括氢氟酸的蚀刻溶液部分蚀刻透明导电层。因此，形成在其表面上具有凹凸图案的透明电极。当透明导电层被部分蚀刻时，可以通过调节透明导电层的蚀刻时间来控制透明电极的雾度。此外，由于将蚀刻溶液喷射到透明导电层以蚀刻透明导电层，所以即使基板的尺寸增加，也可以容易地形成透明电极表面上的凹凸图案。

53. 发明授权

EP0892446B1 Method of manufacturing an aggregate of semiconductor micro-needles and method of manufacturing a semiconductor device comprising an aggregate of semiconductor micro-needles 失效
标题翻译：一种用于制造半导体材料的微针的集合体及其制造具有这种聚集体的半导体器件的方法的工艺
公开(公告)号：EP0892446B1
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：EP98119145.5
申请日：1994-11-02
申请人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人： Eriguchi, Koji , Kubota, Masafumi , Niwa, Masaaki , Nomura, Noboru
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/30 , H01L27/15
CPC分类号： H01L31/1804 , B82Y10/00 , G02B6/1245 , G02B2006/12102 , G02B2006/12173 , G02B2006/12176 , G11C23/00 , H01H1/0036 , H01L21/3086 , H01L31/0352 , H01L33/10 , H01L33/18 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S438/947 , Y10S438/962 , Y10S438/964

54. 发明授权

EP0892445B1 Semiconductor device comprising an aggregate of semiconductor micro-needles 失效
标题翻译：一种半导体装置，包括半导体材料的微针的集合体
公开(公告)号：EP0892445B1
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：EP98119144.8
申请日：1994-11-02
申请人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人： Eriguchi, Koji , Kubota, Masafumi , Niwa, Masaaki , Nomura, Noboru
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/30 , H01L27/15
CPC分类号： H01L31/1804 , B82Y10/00 , G02B6/1245 , G02B2006/12102 , G02B2006/12173 , G02B2006/12176 , G11C23/00 , H01H1/0036 , H01L21/3086 , H01L31/0352 , H01L33/10 , H01L33/18 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S438/947 , Y10S438/962 , Y10S438/964

55. 发明公开

EP1324385A2 Procédé de report de couches minces semi-conductrices et procéde d'obtention d'une plaquette donneuse pour un tel procédé de report 有权
标题翻译：半导体薄膜从胶片源传送的方法。
公开(公告)号：EP1324385A2
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：EP02293182.8
申请日：2002-12-20
申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies
发明人： Letertre, Fabrice , Maurice, Thibaut
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/18 , H01L21/68 , H01L21/265 , H01L21/304 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/76251 , Y10S438/954 , Y10S438/964
摘要： Un procédé de report de couches minces successives d'un matériau semi-conducteur d'une plaquette donneuse vers une plaquette receveuse comprend les étapes suivantes :

(a) assembler une tranche massive constituée du matériau semi-conducteur avec un support pour former la plaquette donneuse avec une couche donneuse (102) dudit matériau semi-conducteur et une couche support (20),
(b) créer dans la couche donneuse une zone de fragilisation (12),
(c) coller la plaquette donneuse sur la plaquette receveuse (40) au niveau de la face libre de la couche donneuse,
(d) effectuer une séparation au niveau de la zone de fragilisation, une couche mince (101) du matériau semi-conducteur étant ainsi reportée de la plaquette donneuse sur la plaquette receveuse, et
(e) répéter les opérations (b) à (d) sans que la couche support de la plaquette donneuse ne soit entamée.

Un procédé d'obtention d'une plaquette donneuse est également proposé.
摘要翻译：从供体晶片（30）到接收器晶片半导体的连续薄层的转移涉及秉承施体晶片到接收机晶片在施体晶片的施体层（10）的自由表面，并且传递环的薄半导体层（ 10）从通过在供体层中分离到脆化区施主晶片到接收晶片。半导体的连续薄层的转移从供体晶片的接收器晶片包括：<？>（a）组装一体晶片，其包括半导体材料与载体，以形成机械稳定的组件包括一个供体晶片的 100-300（30），包括半导体材料的微米厚的施体层（10）和100-300微米厚的支撑层（20）; （b）中，在脆化区在施体层（10）的受控深度创建; （C）粘附所述施体晶片（30）到接收器晶片在施主晶片（30）的施体层（10）的自由表面; （d）中传递环半导体材料从施体晶片（30）到接收器晶片通过在脆化区 - 影响分离薄层; 和（e）重复操作（b）至（d）在不损坏所述施主晶片（30）的支撑层（20）。操作（a）到（d）重复的选择作为施体层（10）和脆化区的深度的厚度的函数的最大次数。步骤（a）由体晶片和所述支撑件的抛光表面之间的分子粘附或高温焊接实现。阶段（B）是由气态物质的注入实现。阶段（c）通过分子粘附实现。阶段（d）中，通过施加热和/或机械应力实现。的半导体材料是单晶半导体，优选为Si，SiC和宽间隙单 - 或多 - 金属氮化物，尤其是爱的GaN。支撑是从一组包括相同的材料作为单晶选择，但所有这些都是低质量的单晶，或者是多晶的，或是不同的聚型的。支撑层（20）选自Si，氮化镓，碳化硅，氮化镓，碳化硅，氮化铝和蓝宝石中选择。一种独立claimsoft给出用于施体晶片的制造方法。

56. 发明公开

EP1050844A1 Procédé de fabrication d'une carte à microcircuit 有权
标题翻译： Verfahren zum Herstellen einer Chipkarte
公开(公告)号：EP1050844A1
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：EP00401127.6
申请日：2000-04-21
申请人： OBERTHUR CARD SYSTEMS SA
发明人： Bouchez, François , Bouvard, Jérôme , Launay, François , Loubly, Pierre
IPC分类号： G06K19/077
CPC分类号： G06K19/07745 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/484 , H01L2224/48599 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , Y10S438/964 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： Procédé permettant de mieux maîtriser l'étalement d'un matériau d'enrobage durcissable au cours de la fabrication d'une carte à microcircuit.
Selon l'invention, on traite la surface d'un support pour définir au moins deux zones (B, E) d'états de surface différents s'étendant toutes deux au-delà d'un emplacement prédéterminé (21) du microcircuit, le dépôt du matériau (26) étant limité par la configuration de ces zones.
Le traitement est de préférence opéré à l'aide d'un faisceau laser.
摘要翻译：表面（B，C）形成卡中的支撑件，其限定不同表面状态（B，E）的至少两个区域超过同心位置（围绕微芯片）。关于该位置，材料（26）沉积在垫上。材料覆盖微芯片，因此该材料的沙子与这些区域的表面的形状，尺寸和状态有关。

57. 发明公开

EP0892446A3 Method of manufacturing an aggregate of semiconductor micro-needles and method of manufacturing a semiconductor device comprising an aggregate of semiconductor micro-needles 失效
标题翻译：一种用于制造半导体材料的微针的集合体及其制造具有这种聚集体的半导体器件的方法的工艺
公开(公告)号：EP0892446A3
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：EP98119145.5
申请日：1994-11-02
申请人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人： Eriguchi, Kofi , Kubota, Masafumi , Niwa, Masaaki , Nomura, Noboru
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/30 , H01L27/15
CPC分类号： H01L31/1804 , B82Y10/00 , G02B6/1245 , G02B2006/12102 , G02B2006/12173 , G02B2006/12176 , G11C23/00 , H01H1/0036 , H01L21/3086 , H01L31/0352 , H01L33/10 , H01L33/18 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S438/947 , Y10S438/962 , Y10S438/964
摘要： On a silicon substrate is formed a silicon dioxide film and then hemispherical grains made of silicon, each having an extremely small diameter. are deposited thereon by LPCVD. After annealing the hemispherical grains, the silicon dioxide film is etched using the hemispherical grains as a first dotted mask, thereby forming a second dotted mask composed of the silicon dioxide film. The resulting second dotted mask is used to etch the silicon substrate to a specified depth from the surface thereof, thereby forming an aggregate of semiconductor micro-needles. Since the diameter of each of the semiconductor micro-needles is sufficiently small to cause the quantum size effects as well as has only small size variations, remarkable quantum size effects can be obtained. Therefore, it becomes possible to constitute a semiconductor apparatus with a high information-processing function by using the aggregate of semiconductor micro-needles (quantized region).
摘要翻译：在硅衬底（1）是二氧化硅膜（5）形成，然后由硅制成的半球形晶粒，其各自具有在非常小的直径，通过LPCVD沉积于其上（6）。退火半球形晶粒之后，将二氧化硅膜是使用蚀刻作为第一虚线掩模半球形晶粒，从而形成二氧化硅成膜的组成的第二虚线掩模。将所得的第二虚线掩模被用于蚀刻硅衬底，以从其表面特定深度，从而形成上半导体微针的聚集体。由于每个半导体微针的直径足够小，以使量子尺寸效应以及仅具有小的尺寸变化，显着的量子晶粒尺寸效应可以得到。因此，变得可以通过使用半导体微针的集合体（量化区），以构成具有高信息处理功能的半导体装置。

58. 发明公开

EP0887867A3 Semiconductor device comprising an aggregate of semiconductor micro-needles 失效
标题翻译： Halbleiterbauelement mit einem Aggregat von Mikro-Nadeln aus Halbleitermaterial
公开(公告)号：EP0887867A3
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：EP98119141.4
申请日：1994-11-02
申请人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD
发明人： Eriguchi, Kofi , Kubota, Masafumi , Niwa, Masaaki , Nomura, Noboru
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/30 , H01L27/15
CPC分类号： H01L31/1804 , B82Y10/00 , G02B6/1245 , G02B2006/12102 , G02B2006/12173 , G02B2006/12176 , G11C23/00 , H01H1/0036 , H01L21/3086 , H01L31/0352 , H01L33/10 , H01L33/18 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S438/947 , Y10S438/962 , Y10S438/964
摘要： On a silicon substrate is formed a silicon dioxide film and then hemispherical grains made of silicon, each having an extremely small diameter, are deposited thereon by LPCVD. After annealing the hemispherical grains, the silicon dioxide film is etched using the hemispherical grains as a first dotted mask, thereby forming a second dotted mask composed of the silicon dioxide film. The resulting second dotted mask is used to etch the silicon substrate to a specified depth from the surface thereof, thereby forming an aggregate of semiconductor micro-needles. Since the diameter of each of the semiconductor micro-needles is sufficiently small to cause the quantum size effects as well as has only small size variations, remarkable quantum size effects can be obtained. Therefore, it becomes possible to constitute a semiconductor apparatus with a high information-processing function by using the aggregate of semiconductor micro-needles (quantized region).
摘要翻译：在硅衬底（1）上形成二氧化硅膜（5），然后通过LPCVD（6）在其上沉积各自具有极小直径的由硅制成的半球状晶粒。在半球形晶粒退火之后，使用半球形晶粒作为第一虚线掩模来蚀刻二氧化硅膜，由此形成由二氧化硅膜构成的第二虚线掩模。所得到的第二点阵掩模用于将硅衬底从其表面蚀刻到指定的深度，从而形成半导体微针的聚集体。由于每个半导体微针的直径足够小以致量子尺寸效应以及仅具有小的尺寸变化，因此可获得显着的量子尺寸效应。因此，通过使用半导体微针的集合体（量化区域），可以构成具有高信息处理功能的半导体装置。

59. 发明公开

EP0893834A2 Semiconductor device comprising an aggregate of semiconductor micro-needles 失效
标题翻译：半导体器件包括半导体微针集合体
公开(公告)号：EP0893834A2
公开(公告)日：1999-01-27
申请号：EP98119139.8
申请日：1994-11-02
申请人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD
发明人： Eriguchi, Kofi , Kubota, Masafumi , Niwa, Masaaki , Nomura, Noboru
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/30 , H01L27/15
CPC分类号： H01L31/1804 , B82Y10/00 , G02B6/1245 , G02B2006/12102 , G02B2006/12173 , G02B2006/12176 , G11C23/00 , H01H1/0036 , H01L21/3086 , H01L31/0352 , H01L33/10 , H01L33/18 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S438/947 , Y10S438/962 , Y10S438/964
摘要： On a silicon substrate is formed a silicon dioxide film and then hemispherical grains made of silicon, each having an extremely small diameter, are deposited thereon by LPCVD. After annealing the hemispherical grains, the silicon dioxide film is etched using the hemispherical grains as a first dotted mask, thereby forming a second- dotted mask composed of the silicon dioxide film. The resulting second dotted mask is used to etch the silicon substrate to a specified depth from the surface thereof, thereby forming an aggregate of semiconductor micro-needles. Since the diameter of each of the semiconductor micro-needles is sufficiently small to cause the quantum size effects as well as has only small size variations, remarkable quantum size effects can be obtained. Therefore, it becomes possible to constitute a semiconductor apparatus with a high information-processing function by using the aggregate of semiconductor micro-needles (quantized region).
摘要翻译：在硅衬底上形成二氧化硅膜，然后通过LPCVD在其上沉积各自具有极小直径的由硅制成的半球形晶粒。在半球形晶粒退火之后，使用半球形晶粒作为第一虚线掩模蚀刻二氧化硅膜，由此形成由二氧化硅膜构成的第二虚线掩模。所得到的第二虚线掩模用于将硅衬底从其表面蚀刻到特定深度，从而形成半导体微针集合体。由于每个半导体微针的直径足够小以引起量子尺寸效应以及仅具有小尺寸变化，因此可以获得显着的量子尺寸效应。因此，通过使用半导体微针集合体（量子化区域），可以构成具有高信息处理功能的半导体装置。

60. 发明公开

EP0860870A2 Method of forming high capacitance trench cell in dram 失效
标题翻译： Herstellungsverfahren von Grabenzellen mit hoherKapazitätin Dram
公开(公告)号：EP0860870A2
公开(公告)日：1998-08-26
申请号：EP98300679.2
申请日：1998-01-30
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人： Halle, Scott D. , Hwang, ChorngLii , Muller, Paul K.
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L28/82 , H01L27/10861 , H01L28/84 , Y10S438/964
摘要： Trench cells with increased storage capacity are prepared with roughened sidewalls using a layer of grainy polysilicon or hemispherical grain polysilicon. The top collar region of the trench is protected with oxide while the lower portion of the trench coated with polysilicon or hemispherical grain polysilicon is etched isotropically. The trench structure created has roughened sidewalls for increased volume of storage.
摘要翻译：具有增加的储存容量的沟槽电池使用粗糙的侧壁使用粒状多晶硅或半球形晶粒多晶硅制备。用氧化物保护沟槽的顶部区域，同时各向同性地蚀刻涂覆有多晶硅或半球形晶粒多晶硅的沟槽的下部。所形成的沟槽结构具有粗糙的侧壁以增加储存量。

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