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51. 发明申请

WO2012140544A1 VCSEL WITH RING-SHAPED BEAM PROFILE 审中-公开
标题翻译：具有环形光束轮廓的VCSEL
公开(公告)号：WO2012140544A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/IB2012/051643
申请日：2012-04-04
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. , PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY & STANDARDS GMBH , GRONENBORN, Stephan , MÖENCH, Holger , MILLER, Michael
发明人： GRONENBORN, Stephan , MÖENCH, Holger , MILLER, Michael
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/022
CPC分类号： H01S5/18313 , H01S5/0224 , H01S5/18327 , H01S5/18333 , H01S5/18338 , H01S5/1835 , H01S2301/203
摘要： The present invention relates to a VCSEL which at least comprises on a substrate (1) a first and a second mirror stack (2, 3) forming a resonant cavity, an active region (4) sandwiched between said first and said second mirror stack (2, 3), and a current aperture layer (5) defining a current confinement aperture (6). The current confinement aperture (6) extends at least partly around a central electrically insulating area (7) of said current aperture layer (5). The proposed VCSEL avoids or at least reduces the risk of current crowding, lowers the thermal resistance and enables the generation of ring-shaped beam profiles in the far field. A central hole ( 9 ) may be etched in the second mirror stack (3) to allow for wet oxidation of the current aperture layer (5) from two sides resulting in an annular current confinement aperture (6).
摘要翻译：本发明涉及一种VCSEL，其至少包括在基板（1）上，形成谐振腔的第一和第二反射镜叠层（2,3），夹在所述第一和第二反射镜叠层之间的有源区（4） 2,3）和限定电流限制孔（6）的电流孔径层（5）。电流限制孔（6）至少部分地围绕所述电流孔层（5）的中心电绝缘区域（7）延伸。所提出的VCSEL避免或至少降低了电流拥挤的风险，降低了热阻，并且能够在远场产生环形光束轮廓。可以在第二反射镜叠层（3）中蚀刻中心孔（9），以允许来自两侧的电流孔层（5）的湿氧化，从而产生环形电流限制孔（6）。

52. 发明申请

WO2005107027A2 OPTISCH GEPUMPTE HALBLEITERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：光泵半导体器件
公开(公告)号：WO2005107027A2
公开(公告)日：2005-11-10
申请号：PCT/DE2005/000649
申请日：2005-04-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KARNUTSCH, Christian , LINDER, Norbert , SCHMID, Wolfgang
发明人： KARNUTSCH, Christian , LINDER, Norbert , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18305 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/18313 , H01S5/18327 , H01S5/18388 , H01S5/32341
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einem optisch gepumpten Vertikalemitter, der eine aktive Vertikalemitterschicht (3) aufweist, und einer Pumpstrahlungsquelle, mittels der ein in lateraler Richtung propagierendes Pumpstrahlungsfeld erzeugt wird, das die Vertikalemitterschicht (3) in einem Pumpbereich optisch pumpt, wobei die Wellenlänge des Pumpstrahlungsfeldes kleiner ist als die Wellenlänge des von dem Vertikalemitter generierten Strahlungsfeldes (12). Die Pumpstrahlungsquelle weist eine aktive Pumpschicht (2) auf, die der Vertikalemitterschicht (3) in vertikaler Richtung nachgeordnet ist und die in vertikaler Richtung gesehen zumindest teilweise mit der Vertikalemitterschicht überlappt, wobei die aktive Pumpschicht (2) so angeordnet ist, dass das im Betrieb erzeugte Pumpstrahlungsfeld eine höhere Leistung aufweist als ein parasitäres, von der Vertikalemitterschicht (3) erzeugtes, laterales propagierendes Strahlungsfeld, oder wobei eine Erzeugung eines parasitären, lateral propagierenden Strahlungsfeldes durch die Vertikalemitterschicht (3) unterdrückt wird.
摘要翻译：本发明涉及与具有活性垂直发射层（3）和泵辐射源，通过在泵辐射场的横向方向传播的方式的光学泵浦垂直发射的半导体器件中产生，其光学地泵的垂直发射极层（3）的泵区域，所述泵浦辐射场的波长比所产生的辐射场的由垂直发射器（12）的波长小。泵浦辐射源具有有源泵层（2），其在垂直发射层（3）的垂直方向的下游侧布置并且在垂直方向上观察至少部分地重叠的垂直发射层，有源泵层（2）被布置成使得在操作中产生的泵浦辐射场具有比寄生更高的功率，由所述垂直发射层（3）产生的，横向传播的辐射场，或在其中产生的寄生的由垂直发射极层（3）被抑制横向传播辐射场。

53. 发明申请

WO2003069737A2 TILTED CAVITY SEMICONDUCTOR LASER (TCSL) AND METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
标题翻译： TILTED CAVITY半导体激光器TCSL及其制造方法
公开(公告)号：WO2003069737A2
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：PCT/EP2003/001331
申请日：2003-02-11
申请人： LEDENTSOV, Nikolai, Nikolaevich , SHCHUKIN, Vitaly, Alexandrovich
发明人： LEDENTSOV, Nikolai, Nikolaevich , SHCHUKIN, Vitaly, Alexandrovich
IPC分类号： H01S3/00
CPC分类号： H01S5/18341 , H01S5/0028 , H01S5/0265 , H01S5/18302 , H01S5/18327 , H01S5/18391 , H01S5/2027 , H01S5/426 , H01S5/50
摘要： A novel class of semiconductor lasers, or "tilted cavity lasers" includes at least one active element with an active region generating an optical gain by injection of a current and mirrors. The active element is placed into a cavity. The cavity is designed such that the optical path of the resonant optical mode is tilted with respect to both the vertical direction and the lateral plane. Thus, the feedback both in the vertical and in the lateral direction is provided for the resonant optical mode. Depending on the particular embodiment, the laser operates as both a surface emitting laser and an edge-emitting laser. Employing a tilted optical mode allows the use of substantially fewer layers in the bottom and the top interference reflectors than in conventional lasers. This preserves the necessary high reflection coefficients. Also, a wavelength-stabilized laser is realized for edge-emitters. The wavelength stabilization is due to the difference in the dispersion laws for the tilted optical modes in layers having different refractive indices.
摘要翻译：一类新颖的半导体激光器或“倾斜腔体激光器”包括至少一个有源元件，有源区域通过注入电流和反射镜产生光学增益。将有源元件放置在空腔中。空腔被设计成使得谐振光学模式的光路相对于垂直方向和横向平面倾斜。因此，对于谐振光学模式提供垂直和横向的反馈。根据具体实施例，激光器既可以作为表面发射激光器和边缘发射激光器。使用倾斜的光学模式允许使用比常规激光器中的底部和顶部干涉反射器中更少的层。这保留了必要的高反射系数。此外，实现了波长稳定的激光器用于边缘发射器。波长稳定是由于在具有不同折射率的层中的倾斜光学模式的色散定律的差异。

54. 发明申请

WO2003058267A2 GAIN GUIDE IMPLANT IN OXIDE VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER 审中-公开
标题翻译：增强导向氧化物垂直孔表面发射激光
公开(公告)号：WO2003058267A2
公开(公告)日：2003-07-17
申请号：PCT/US2002/039513
申请日：2002-12-11
申请人： HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
发明人： BIARD, James, R. , GUENTER, James, K.
IPC分类号： G01S
CPC分类号： H01S5/18308 , H01S5/18313 , H01S5/18327 , H01S5/18358 , H01S5/2063
摘要： A vertical cavity surface emitting laser [100] with a current guide comprised of an ion (160) implant region and an oxide structure (140). The oxide structure (140) is beneficially formed first, then, a gain guide ion implant region (160) is formed in or below the oxide structure (140). The ion (160) implant region extends into an active region (22). The energy and dosage used when forming the ion (160) implant gain guide can be selected to control the lateral sheet resistance and the active region's (22) non-radiative recombination centers.
摘要翻译：具有由离子（160）注入区域和氧化物结构（140）组成的电流引导件的垂直腔表面发射激光器[100]。首先有利地形成氧化物结构（140），然后在氧化物结构（140）中或下方形成增益引导离子注入区（160）。离子（160）注入区域延伸到有源区域（22）中。可以选择形成离子（160）注入增益指引时使用的能量和剂量来控制横向薄层电阻和有源区（22）非辐射复合中心。

55. 发明申请

WO0195443A8 SINGLE MODE VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER 审中-公开
标题翻译：单模垂直孔表面发射激光
公开(公告)号：WO0195443A8
公开(公告)日：2002-05-30
申请号：PCT/US0015373
申请日：2000-06-02
申请人： CIELO COMMUNICATIONS INC
发明人： WASSERBAUR JOHN G , SCOTT JEFFREY W
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/042 , H01S5/183 , H01S5/20 , H01S5/00 , H01L21/00
CPC分类号： H01S5/18341 , H01S5/0425 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S5/18333 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/2063 , H01S2301/166 , H01S2301/173
摘要： A surface emitting laser with spatially varying optical loss to provide single mode operation. The optical loss may be introduced with an anti-phased ohmic contacts (4, 5). Current injection may be constricted to a diameter that is different than the diameter of the ohmic aperture (32), allowing for optimization of carrier profiles for high-speed performance. Methods for index guiding are introduced to further the reproducibility of the invention.
摘要翻译：具有空间变化的光损耗的表面发射激光器，以提供单模操作。光损耗可以用反相欧姆接触引入（4,5）。电流注入可能会缩小到与欧姆孔径（32）的直径不同的直径，从而可以优化用于高速性能的载体轮廓。引入引导引导方法以进一步提高本发明的再现性。

56. 发明申请

WO2011030885A1 VCSEL WITH STRUCTURED EMISSION SURFACE FOR FUNDAMENTAL TRANSVERSE MODE CONTROL 审中-公开
标题翻译：具有结构化排放表面的VCSEL用于基本横向模式控制
公开(公告)号：WO2011030885A1
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：PCT/JP2010/065687
申请日：2010-09-07
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA , IKUTA, Mitsuhiro
发明人： IKUTA, Mitsuhiro
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18327 , H01S5/0655 , H01S5/18311 , H01S5/18394 , H01S5/2086 , H01S5/423 , H01S2301/166
摘要： A surface-emitting laser includes a surface relief structure provided on an upper multilayer reflector (114), the surface relief structure including a region of a first laminate (A3), a region of a second laminate (Al, A4) that has a larger optical thickness than the first laminate (A3), and a region of a third laminate (A2) that has a larger optical thickness than the first laminate (A3) and the second laminate. The differences in optical thickness of the three laminates result in a central high-reflectance region (502) and peripheral low-reflectance regions (504) in order to prefer transversal fundamental mode laser emission. The structure is created by etching three semiconductor layers (612, 614, 616).
摘要翻译：表面发射激光器包括设置在上多层反射器（114）上的表面浮雕结构，所述表面浮雕结构包括第一层压体（A3）的区域，具有较大的第二层压体（A1，A4）的区域光学厚度比第一层压板（A3）和第三层压板（A2）的光学厚度大于第一层压板（A3）和第二层压板的区域。为了优选横向基模激光发射，三个层压板的光学厚度的差异导致中心高反射率区域（502）和外围低反射率区域（504）。该结构通过蚀刻三个半导体层（612,614,616）而形成。

57. 发明申请

WO2008043526A1 SURFACE EMITTING OPTICAL DEVICES 审中-公开
标题翻译：表面发射光学器件
公开(公告)号：WO2008043526A1
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：PCT/EP2007/008778
申请日：2007-10-09
申请人： FIRECOMMS LIMITED , WIPIEJEWSKI, Torsten
发明人： WIPIEJEWSKI, Torsten
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/183
CPC分类号： H01L33/105 , H01L33/145 , H01S5/0425 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S5/18338 , H01S2301/18
摘要： A vertical cavity surface emitting optical device has an optical confinement structure, such as the top electrode, which is specially shaped to provide an optical output that has a shape orthogonal to the beam axis of the optical device which shape is substantially non-circular, e.g. polygonal, so as to enable direct projection of predetermined, complex shapes and patterns of light in the form of letters, numbers, symbols, logos, trademarks and other information bearing patterns.
摘要翻译：垂直空腔表面发射光学器件具有诸如顶部电极的光学限制结构，其特别地形状为提供具有与光学器件的光束轴线正交的形状的光学输出，该形状基本上是非圆形的，例如。多边形，以便能够以字母，数字，符号，徽标，商标和其他信息承载模式的形式直接投影预定的复杂形状和图案。

58. 发明申请

WO2006026644A2 MODE SELECTIVE SEMICONDUCTOR MIRROR FOR VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASERS 审中-公开
标题翻译：用于垂直孔表面发射激光的模式选择半导体镜
公开(公告)号：WO2006026644A2
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：PCT/US2005030925
申请日：2005-08-31
申请人： FINISAR CORP , COX JAMES A , KIM JIN K , GYOUNGWON PARK
发明人： COX JAMES A , KIM JIN K , GYOUNGWON PARK
IPC分类号： H01S5/00 , H01S3/08 , H01S3/098
CPC分类号： H01S5/18394 , H01S5/18313 , H01S5/18327 , H01S2301/166
摘要： A vertical cavity surface emitting laser with a mode-selective mirror. A filter is formed on the top DBR stack of a VCSEL. The filter includes semiconductor layers that are etch stops for immediately superior layers. The filter is selectively etched to create a first region that is phase matched to the top DBR stack and a second region that is phase mismatched to the top DBR stack. The second region inhibits undesired modes and provides additional absorption for the undesired modes. The first region is formed using a wet-etch process whose etch depth is controlled because the semiconductor layers are etch stops for immediately superior layers.
摘要翻译：具有模式选择镜的垂直腔表面发射激光器。在VCSEL的顶部DBR堆叠上形成滤波器。该滤波器包括半导体层，其是用于立即优越层的蚀刻停止。选择性地蚀刻滤波器以创建与顶部DBR堆叠相位匹配的第一区域和与顶部DBR堆叠相位失配的第二区域。第二区域抑制不期望的模式并为不需要的模式提供额外的吸收。使用湿式蚀刻工艺形成第一区域，其蚀刻深度被控制，因为半导体层是用于立即优越层的蚀刻停止。

59. 发明申请

WO2006024025A2 OPTICAL-MODE-CONFINED AND ELECTRICAL-CURRENT-CONFINED SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCES UTILIZING RESISTIVE INTERFACIAL LAYERS 审中-公开
标题翻译：光电模式限制和电流限制半导体光源采用电阻式界面层
公开(公告)号：WO2006024025A2
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：PCT/US2005030570
申请日：2005-08-24
申请人： NANOSOURCE INC , DEPPE DENNIS G
发明人： DEPPE DENNIS G
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01S5/18327 , H01L33/145 , H01S5/18308 , H01S5/18358 , H01S2301/166
摘要： A semiconductor device comprises: a first region having a semiconductor interface between a first semiconductor and a second semiconductor and a second region, laterally adjoining the first region. The first semiconductor is characterized by Fermi level pinning within an energy gap of the first semiconductor material and further characterized by a first conductivity level in the vicinity of the interface that substantially blocks electrical current flow through the semiconductor interface. The second region includes a semiconductor characterized by a second conductivity level substantially higher than the first conductivity level such that the second region is adapted to enable electrical current to pass through the second region, thus defining a current injection path in the device.
摘要翻译：半导体器件包括：在第一半导体和第二半导体之间具有半导体界面的第一区域和与第一区域横向相邻的第二区域。第一半导体的特征在于在第一半导体材料的能隙内的费米能级钉扎，其特征还在于界面附近的第一导电率水平基本上阻挡了通过半导体界面的电流。第二区域包括半导体，其特征在于第二电导率水平明显高于第一电导率水平，使得第二区域适于使得电流能够通过第二区域，由此在装置中限定电流注入路径。

60. 发明申请

WO2005053000A2 ENCAPSULATED GAAS - BASED LASER DEVICES 审中-公开
标题翻译：基于GAAS的激光装置
公开(公告)号：WO2005053000A2
公开(公告)日：2005-06-09
申请号：PCT/US2004/039426
申请日：2004-11-24
申请人： TYCO ELECTRONICS CORPORATION , RING, William, Sean
发明人： RING, William, Sean
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01S5/18327 , H01S5/028 , H01S5/18308 , H01S5/18394
摘要： A semiconductor device comprising: (a) GaAs substrate; (b) an active region defined in or on said GaAs substrate; (c) a layer of oxide covering said active region to define an aperture through which light generated in said active region is emitted from said device; and (d) a coating encapsulating said oxide layer.
摘要翻译：一种半导体器件，包括：（a）GaAs衬底; （b）限定在所述GaAs衬底中或上的有源区; （c）覆盖所述有源区域的一层氧化物以限定孔，所述有源区中产生的光从所述孔发射出来; 和（d）包封所述氧化物层的涂层。

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