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51. 发明授权

US07467448B2 Method of manufacturing a piezoelectric ceramic 失效
标题翻译：制造压电陶瓷的方法
公开(公告)号：US07467448B2
公开(公告)日：2008-12-23
申请号：US11128763
申请日：2005-05-13
申请人： Yong Suk Yang , Su Jae Kim , Jong Soo Kim
发明人： Yong Suk Yang , Su Jae Kim , Jong Soo Kim
IPC分类号： H01L41/22
CPC分类号： C30B29/22 , C30B1/023 , C30B30/02 , H01L41/253 , H01L41/41 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/4913 , Y10T29/49131 , Y10T29/49151 , Y10T29/49163
摘要： Disclosed are a piezoelectric ceramic structurally crystal-oriented through the crystallizing control of an amorphous material under an electric field and a method of manufacturing the same. The amorphous material is applied with an electric field to produce the crystal-oriented piezoelectric ceramic. The material is amorphous Li2B4O7 consisting of Li2O and B2O3 in a ratio of 1:2, and is employed in information technology, device technology, mechanical technology and so forth.
摘要翻译：公开了通过在电场下非晶材料的结晶控制而结构取向的压电陶瓷及其制造方法。将非晶材料施加电场以产生晶体取向的压电陶瓷。该材料为由Li2O和B2O3组成的无定形Li2B4O7，比例为1：2，用于信息技术，器件技术，机械技术等领域。

52. 发明授权

US4154025A Method for preparing oxide piezoelectric material wafers 失效
标题翻译：制备氧化物压电材料晶圆的方法
公开(公告)号：US4154025A
公开(公告)日：1979-05-15
申请号：US838448
申请日：1977-10-03
申请人： Tsuguo Fukuda , Hitoshi Hirano
发明人： Tsuguo Fukuda , Hitoshi Hirano
IPC分类号： H03H3/08 , B28D5/00 , C30B29/30 , H01L41/18 , H01L41/22 , H03H3/00 , H03H3/02 , B24B1/00
CPC分类号： B28D5/0011 , H01L41/338 , H01L41/41 , H01L41/1873
摘要： A method for preparing oxide piezoelectric material wafers from a rhombohedral single crystal of an oxide piezoelectric material as-grown cylindrically in the X-axis direction includes linearly rubbing-off at least one side portion of such as-grown cylindrical single crystal facing to a specified direction along the longitudinal direction of such single crystal before cutting X-cut wafers from such single crystal thereby to provide a corresponding flat portion.
摘要翻译：从X轴方向圆柱形生长的氧化物压电材料的菱面体单晶制备氧化物压电材料晶片的方法包括直线摩擦如此生长的圆柱形单晶的至少一个侧面，面向特定的在从这种单晶切割X切割晶片之前沿着这种单晶的纵向的方向，从而提供相应的平坦部分。

53. 发明授权

US1830328A Cast piezo-electric device 失效
标题翻译：铸造压电装置
公开(公告)号：US1830328A
公开(公告)日：1931-11-03
申请号：US15589726
申请日：1926-12-20
申请人： FED TELEGRAPH CO
发明人： MCLEAN NICOLSON ALEXANDER
IPC分类号： H01L41/24 , H03H3/02
CPC分类号： H03H3/02 , H01L41/41 , Y10T29/42

54. 发明申请

WO2017006660A1 圧電材料、その製造方法、圧電素子および燃焼圧センサ审中-公开
标题翻译：压电材料，制造方法，压电元件和燃烧压力传感器
公开(公告)号：WO2017006660A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：PCT/JP2016/066276
申请日：2016-06-01
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：島村　清史 , ガルシア　ビジョラ　エンカルナシオン　アントニア , 坂口　勲 , 大橋　直樹
IPC分类号： C30B29/34 , C30B15/00 , C30B33/02 , H01L41/113 , H01L41/187 , H01L41/41 , H01L41/43
CPC分类号： H01L41/1871 , C30B15/00 , C30B29/34 , C30B33/02 , H01L41/113 , H01L41/1132 , H01L41/187 , H01L41/41 , H01L41/43
摘要：燃焼圧センサ用の圧電材料、その製造方法およびそれを用いた燃焼圧センサを提供する。　本発明の圧電材料は、ＣａとＴａとＭ元素（Ｍは、ＡｌまたはＧａである）とＳｉとＯとを含有する単結晶からなり、単結晶は、Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４で表されるランガサイトの結晶構造と同一の結晶構造を有し、少なくともＭ元素は、Ｃａ３ＴａＭ３Ｓｉ２Ｏ１４で表される化学量論組成に対して不足している。好ましくは、Ｍ元素がＧａである場合、ＣａおよびＳｉは化学量論組成に対して過剰であり、Ｍ元素がＡｌである場合、Ｃａは化学量論組成に対して過剰であり、Ｔａは化学量論組成に対して不足している。
摘要翻译：提供了一种用于燃烧压力传感器的压电材料，其制造方法和使用该压电传感器的燃烧压力传感器。根据本发明的压电材料包括由Ca，Ta，元素M（其中M表示Al或Ga），Si和O组成的单晶，其中：单晶具有与朗氏体的晶体结构相同的晶体结构由La3Ga5SiO14表示; 并且至少元素M的含量小于由Ca 3 TaM 3 Si 2 O 14表示的化学计量组成。当元素M为Ga时，优选Ca和Si的含量大于化学计量组成。当元素M为Al时，优选Ca的含量大于化学计量组成，而Ta的含量小于化学计量组成。

55. 发明申请

WO2016190539A1 수정진동자 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：水晶振荡器及其生产方法
公开(公告)号：WO2016190539A1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：PCT/KR2016/003743
申请日：2016-04-08
申请人： (주)파트론
发明人： 윤금영
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/19 , H01L41/37 , H01L41/18 , H01L41/35 , H01L41/41 , H01L41/316
CPC分类号： H01L41/18 , H01L41/316 , H01L41/35 , H01L41/37 , H01L41/41 , H03H3/02 , H03H9/19
摘要： 수정진동자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 수정진동자 및 그 제조 방법은 전극이 형성된 베이스 구조물을 마련하는 단계, 단자가 형성된 수정편을 마련하는 단계, 상기 베이스 구조물의 전극 및 상기 수정편의 단자 중 적어도 하나에 제1 금속 재질의 코팅층을 형성하는 단계, 상기 베이스 구조물의 전극의 표면에 제2 금속 재질의 필러가 고르게 분포된 액상의 수지재를 도포하는 단계, 상기 수지재에 상기 수정편을 결합시키는 단계, 상기 수지재를 상기 제1 금속 재질의 녹는점보다는 높고, 상기 제2 금속 재질의 녹는점보다는 높은 온도로 열처리하는 단계 및 상기 베이스 구조물에 커버를 결합하여 상기 수정편이 수용되는 내부 공간을 형성하는 단계를 포함한다.
摘要翻译：公开了一种晶体振荡器及其制造方法。本发明涉及一种晶体振荡器及其制造方法，该方法包括以下步骤：制备具有电极的基底结构; 准备具有端子的水晶片; 在基体结构的电极和/或晶体片的端子上形成第一金属材料的涂层; 将具有均匀分散在其中的第二金属材料的填料的液态树脂材料施加到基础结构的电极的表面上; 将所述晶片与所述树脂材料结合; 在高于第一金属材料的熔点并高于第二金属材料的熔点的温度下对树脂材料进行热处理; 并且将盖子联接到基部结构，以便形成用于容纳晶片的内部空间。

56. 发明申请

WO2009134484A3 METHOD OF MAKING TERNARY PIEZOELECTRIC CRYSTALS 审中-公开
标题翻译：制备三元压电晶体的方法
公开(公告)号：WO2009134484A3
公开(公告)日：2010-01-28
申请号：PCT/US2009032513
申请日：2009-01-30
申请人： TRS TECHNOLOGIES INC , LUO JUN , HACKENBERGER WESLEY
发明人： LUO JUN , HACKENBERGER WESLEY
IPC分类号： H01L41/18 , C30B11/00 , H01L41/22
CPC分类号： H01L41/41 , C30B11/00 , C30B29/22 , C30B29/30 , C30B29/32 , H01L41/18 , H01L41/1875
摘要： A ternary single crystal relaxor piezoelectric grown from a novel melt using the Vertical Bridgeman method and process for making a ternary single crystal relaxor piezoelectric. The ternary single crystals are characterized by a Curie temperature, Tc, of at least 150°C and a rhombohedral to tetragonal phase transition temperature, Trt, of at least about 110°C. The ternary crystals further exhibit a piezoelectric coefficient, d33, in the range of at least about 1200-2000 pC/N.
摘要翻译：使用垂直布里奇曼方法和制造三元单晶弛豫压电体的工艺，由新型熔体生长的三元单晶弛豫压电体。三元单晶的特征在于居里温度Tc至少为150℃，并且菱形 - 四方相转变温度Trt至少约为110℃。三元晶体还表现出至少约1200-2000pC / N的压电系数d 33。

57. 发明公开

KR20180019550A 니오브산 리튬 단결정 기판과 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：铌酸锂单晶基板及其制造方法
公开(公告)号：KR20180019550A
公开(公告)日：2018-02-26
申请号：KR20177035666
申请日：2016-06-08
申请人： SUMITOMO METAL MINING CO
发明人： KAJIGAYA TOMIO
IPC分类号： C30B29/30 , C30B15/04 , C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： C30B29/30 , C30B33/02 , H01L41/187 , H01L41/41
摘要： [과제] 온도나시간등에관한처리조건의관리가용이하며, 체적저항값의면 내분포가극히적은니오브산리튬(LN) 기판과그 제조방법을제공한다. [해결수단] 쵸크랄스키법으로육성한 LN 단결정을사용하여 LN 기판을제조하는방법으로서, 단결정중의 Fe 농도가 1000질량ppm을초과하고, 2000질량ppm 이하이며, 또한, 기판의상태로가공된 LN 단결정을 Al 분말혹은 Al과 AlO의혼합분말에묻어넣고, 550℃이상, 600℃이하의온도에서열처리하여체적저항률이 1×10Ω·cm 이상, 1×10Ω·cm 이하의범위로제어된니오브산리튬단결정기판을제조하는것을특징으로한다.
摘要翻译：的容易的温度或时间的加工条件[问题]和管理，并提供了体积电阻值的表面内的分布是非常低的铌酸锂（LN）基片及其制造方法。 [解决问题的手段]一种制造使用通过切克劳斯基方法生长的LN单晶一个LN基板的方法，并且Fe浓度在单晶或小于1000重量ppm和2000重量ppm，另外，处理基板的状态所述LN单晶入的掩埋Al粉或Al和A10 uihon总和粉末，550℃之间控制为范围，体积电阻率通过热处理的温度不高于600℃为1×10Ω·cm以上，1×10Ω·cm的由此制造铌酸锂单晶基板。

58. 发明专利

JP2016501819A ジルコン酸チタン酸鉛単結晶成長方法有权
标题翻译：锆钛酸铅单晶生长方法
公开(公告)号：JP2016501819A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：JP2015545503
申请日：2013-12-02
申请人：クエストインテグレイテッド, インコーポレイテッドQuest Integrated, Inc. , クエストインテグレイテッド, インコーポレイテッドQuest Integrated, Inc.
发明人：ヴィンセントフラテッロ， , ヴィンセントフラテッロ，
IPC分类号： C30B29/32 , C30B19/12 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/187 , H01L41/317
CPC分类号： C30B19/12 , C30B19/00 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B29/32 , H01L41/18 , H01L41/317 , H01L41/41
摘要：ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)及び他のペロブスカイトの単結晶の成長は、適切な構造及び格子パラメーターが整合している基板上に対する液相エピタキシによって達成される。安定成長のために溶媒及び特定の成長条件は、Zr及びTiの所望の割合を達成するために必要である。
摘要翻译：锆钛酸铅（PZT），以及其它的钙钛矿的单晶合适的结构和晶格参数的生长通过液相外延对于上基板实现对齐。是必需的溶剂和稳定生长的特定的生长条件，以实现Zr和Ti的所需比率。

59. 发明专利

JP2006506310A Piezoelectric ceramic, and a manufacturing method thereof crystallographic axis in the electric field is oriented 审中-公开
公开(公告)号：JP2006506310A
公开(公告)日：2006-02-23
申请号：JP2004553230
申请日：2002-11-16
申请人：キーソンメタルカンパニーリミティッドKey Sung Metal Co., Ltd. , キム,ス−ジェKIM, Su−Jae , ヤン,ヨン−ソクYANG, Young−Suk
发明人：キム，ジョン−ス , キム，ス−ジェ , ヤン，ヨン−ソク
IPC分类号： C30B29/22 , C04B35/00 , C04B35/653 , C30B1/02 , C30B1/04 , H01L41/24 , H02N2/00
CPC分类号： C30B29/22 , C30B1/023 , C30B30/02 , H01L41/253 , H01L41/41 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/4913 , Y10T29/49131 , Y10T29/49151 , Y10T29/49163
摘要： Disclosed are a piezoelectric ceramic structurally crystal-oriented through the crystallizing control of an amorphous material under an electric field and a method of manufacturing the same. The amorphous material is applied with an electric field to produce the crystal-oriented piezoelectric ceramic. The material is amorphous Li2B4O7 consisting of Li2O and B2O3 in a ratio of 1:2, and is employed in information technology, device technology, mechanical technology and so forth.

60. 发明授权

US09522827B2 Piezoelectric material, piezoelectric member, piezoelectric element, and pressure sensor 有权
标题翻译：压电材料，压电元件，压电元件和压力传感器
公开(公告)号：US09522827B2
公开(公告)日：2016-12-20
申请号：US13875853
申请日：2013-05-02
申请人： Energy Storage Materials LLC , Sakai Chemical Industry Co., Ltd.
发明人： Takaaki Tsurumi
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/047 , H01L41/113 , C01B33/26 , G01L1/16 , H01L41/18 , C30B15/00 , C30B29/34 , C30B33/06 , G01L23/10 , H01L41/41
CPC分类号： C01B33/26 , C30B15/00 , C30B29/34 , C30B33/06 , G01L1/16 , G01L23/10 , H01L41/18 , H01L41/41
摘要： The present invention has an object to provide a piezoelectric material that endures high temperatures, the resources of raw materials of which are abundant, and that is stably suppliable. Disclosed is a piezoelectric element, including: a piezoelectric member having a surface for receiving external stress and a side surface that is perpendicular to the surface for receiving external stress; and at least one pair of a first electrode and a second electrode that are placed on the side surface, the first electrode being provided so as to separate from the second electrode. The piezoelectric member is preferably cut out from a piezoelectric material that includes gehlenite (Ca2Al2SiO7) in a predetermined crystal orientation. The piezoelectric member utilizes a transverse piezoelectric effect, and is preferably a (XYt) 45°-cut piece. The electrodes are preferably provided on surfaces that are parallel to the YZ plane.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种承受高温的压电材料，其原料的资源丰富且稳定可供应。公开了一种压电元件，包括：具有用于接收外部应力的表面的压电元件和垂直于用于接收外部应力的表面的侧表面; 以及设置在所述侧面上的至少一对第一电极和第二电极，所述第一电极被设置为与所述第二电极分离。压电元件优选从包含预定晶体取向的石英（Ca2Al2SiO7）的压电材料切出。压电元件利用横向压电效应，优选为（XYt）45°切割片。电极优选设置在平行于YZ平面的表面上。

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