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51. 发明公开

KR1020040062983A 포토닉스 회절 메모리로부터 정보를 판독하기 위한 고상 ＭＯＥＭＳ失效
标题翻译：用于从光子衍射存储器读取信息的固态MOEMS
公开(公告)号：KR1020040062983A
公开(公告)日：2004-07-09
申请号：KR1020047008664
申请日：2001-12-07
申请人： 리서치 인베스트먼트 네트워크, 인크.
发明人： 키퍼,레나드 , 엘하피디,이드리스 , 다까꾸라,요시따떼 , 폰타인,요엘 , 가르자멜라,로물다 , 메이루이스,패트릭
IPC分类号： G11B7/0065
CPC分类号： G11B7/08564 , G11B7/0065 , G11B7/1362 , G11C13/04 , G11C13/042 , G11C13/047
摘要： 본 발명은 포토닉스 회절 메모리(photonics diffractive memory)로부터 정보를 판독하기위한 고상 시스템을 포함한다. 음향 광학 전향기(acousto-optic deflector)는 소정의 점 및 각도에서 이 포토닉스 회절 메모리 상으로 광빔을 반사시키는 마이크로미러 어레리 상에 수렴 광빔을 전향시켜 정보 패킷에 액세스한다. 본 발명에 따른 이 회절 광학 시스템의 간단한 구조는, 음향 광학 전향기 및 그 소자들이 상기 음향 광학 전향기의 주파수와 동기하도록 된 동기화된 주파수로 발진하는 MOEMS(microoptoelectromechanical system) 미러 어레이를 포함하는, 다수의 콤포넌트들을 간소한 패키지로 결합시킨다. 이 구조는 포토닉스 회절 메모리를 위한 판독 시스템의 어드레싱 콤포넌트를 성냥갑 크기로 줄인다.

52. 发明专利

JP2017516334A 透光性情報記憶ユニット有权
公开(公告)号：JP2017516334A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2016556961
申请日：2015-03-02
申请人：フィリップスライティングホールディングビーヴィ , フィリップスライティングホールディングビーヴィ
发明人：フレデリックアレクサンドルギランヌフ , フレデリックアレクサンドルギランヌフ , マルセリヌスペトルスカロルスミカエルクライン , マルセリヌスペトルスカロルスミカエルクライン
IPC分类号： H04B10/114 , H01L31/12
CPC分类号： G11C13/047 , G11C7/005 , G11C7/1081 , G11C13/04 , G11C15/04
摘要：本発明は、記憶装置300,400、及び記憶装置300,400の制御方法に関する。本発明に係る記憶装置300,400は、複数の情報記憶ユニット101,201,302を含み、各情報記憶ユニットは、透光性メモリ要素104,306と、透光性受光素子102,304と、メモリ要素104,306及び受光素子102,304に接続された透光性制御ユニット103,305とを含む。これらの構成要素は透光性であり、透光性メモリ要素104,306に保存された情報データに対するリクエストがあらゆる方向から受信され得る。これにより、情報リクエストを含む光信号316,309,422が複数の受光素子102,304によって同時に受信され、複数の情報記憶ユニット101,201,302を含む記憶装置300,400に保存された情報データの素早い取り出しが可能となる。

53. 发明专利

JPWO2009028426A1 電子素子及び電気伝導度制御方法有权
公开(公告)号：JPWO2009028426A1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：JP2009530090
申请日：2008-08-22
申请人：国立大学法人岡山大学 , 国立大学法人岡山大学
发明人：直池田 , 直池田
IPC分类号： H01L29/24 , H01L27/10 , H01L29/80 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/047 , H01L45/04 , H01L45/1206 , H01L45/147
摘要：電子素子1は、電場に応じて電気伝導度が変化する電気伝導度変化体2と、電気伝導度変化体2に電場を与える電場付与器3とを備える。電気伝導度変化体2は、RFe2O4を含み、電場付与器3によって外部から印加される電場4に応じて内部の電子の状態が変化することで、その電気伝導度が変化する。これにより、小さい電場の印加に応じて電気伝導度を変化させることが可能な電子素子が実現される。

54. 发明专利

JPS5934587A Liquid crystal device 失效
公开(公告)号：JPS5934587A
公开(公告)日：1984-02-24
申请号：JP14471382
申请日：1982-08-23
申请人： Hitachi Ltd
发明人： NAGAE KEIJI , KAWAKAMI HIDEAKI
IPC分类号： G11C11/42 , G09F9/35 , G11B11/00 , G11C11/22 , G11C13/04
CPC分类号： G11B11/00 , G11C11/22 , G11C13/047

55. 发明专利

JPS5772366A Monolithic integrated circuit and method of driving same 失效
标题翻译：单片集成电路及其驱动方法
公开(公告)号：JPS5772366A
公开(公告)日：1982-05-06
申请号：JP13391781
申请日：1981-08-26
申请人： Siemens Ag
发明人： UIRIAMU JI OORUDOHAMU
IPC分类号： H01L27/092 , G06F11/20 , G11C13/04 , G11C17/12 , H01L21/82 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/8247 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L29/78
CPC分类号： G11C17/12 , G11C13/047 , H01L27/105

56. 发明申请

WO2017040053A1 METHODS OF OPERATING FERROELECTRIC MEMORY CELLS, AND RELATED FERROELECTRIC MEMORY CELLS 审中-公开
标题翻译：操作电磁记忆细胞的方法和相关的电磁记忆细胞
公开(公告)号：WO2017040053A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/US2016/047584
申请日：2016-08-18
申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人： NICHOLES, Steven C. , CHAVAN, Ashonita A. , ROCKLEIN, Matthew N.
IPC分类号： G11C11/22 , H01L27/115
CPC分类号： G11C11/225 , G11C11/22 , G11C11/221 , G11C11/2273 , G11C11/2275 , G11C11/2297 , G11C11/5657 , G11C13/047 , G11C14/00 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/65 , H01L28/75
摘要： Methods of operating a ferroelectric memory cell. The method comprises applying one of a positive bias voltage and a negative bias voltage to a ferroelectric memory cell comprising a capacitor including a top electrode, a bottom electrode, a ferroelectric material between the top electrode and the bottom electrode, and an interfacial material between the ferroelectric material and one of the top electrode and the bottom electrode. The method further comprises applying another of the positive bias voltage and the negative bias voltage to the ferroelectric memory cell to switch a polarization of the ferroelectric memory cell, wherein an absolute value of the negative bias voltage is different from an absolute value of the positive bias voltage. Ferroelectric memory cells are also described.
摘要翻译：操作铁电存储单元的方法。该方法包括将正偏置电压和负偏置电压中的一个施加到包括上电极，底电极，顶电极和底电极之间的铁电材料的电容器和铁电存储单元之间的界面材料的铁电存储单元，铁电材料和顶电极和底电极之一。该方法还包括将另一个正偏置电压和负偏置电压施加到铁电存储单元以切换铁电存储单元的极化，其中负偏置电压的绝对值与正偏压的绝对值不同电压。还描述了铁电存储器单元。

57. 发明申请

WO2011053297A1 OPTOELECTRONIC LIGHT EXPOSURE MEMORY 审中-公开
标题翻译：光电照射存储器
公开(公告)号：WO2011053297A1
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：PCT/US2009/062589
申请日：2009-10-29
申请人： HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. , THYLEN, Lars , BRATKOVSKI, Alexandre , WANG, Shih-Yuan , WILLIAMS, Stanley, R.
发明人： THYLEN, Lars , BRATKOVSKI, Alexandre , WANG, Shih-Yuan , WILLIAMS, Stanley, R.
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/146 , H01L31/04
CPC分类号： H01L27/14609 , G11C7/005 , G11C13/0007 , G11C13/0014 , G11C13/047 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/77 , H01L27/14621 , H01L27/307
摘要： An optoelectronic memory cell has a transparent top electrode, a photoactive layer, a latching layer, and a bottom electrode. The photoactive layer absorbs photons transmitted through the top electrode and generates charge carriers. During light exposure, the latching layer changes its resistance under an applied electric field in response to the generation of charge carriers in the photoactive layer.
摘要翻译：光电存储单元具有透明的顶电极，光敏层，闭锁层和底电极。光活性层吸收通过顶部电极传输的光子并产生电荷载体。在曝光期间，响应于光活性层中的电荷载体的产生，锁存层在施加的电场下改变其电阻。

58. 发明申请

WO2007086050A2 DEVICE HAVING AN ARRAY OF NON-VOLATILE MEMORY CELLS AND A METHOD FOR ALTERING A STATE OF A NON-VOLATILE MEMORY CELL 审中-公开
标题翻译：具有非易失性记忆细胞阵列的装置和用于改变非易失性记忆细胞状态的方法
公开(公告)号：WO2007086050A2
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/IL2007000080
申请日：2007-01-22
申请人： FROMMER AVIV
发明人： FROMMER AVIV
IPC分类号： G11C13/04 , G11C7/00 , G11C11/34
CPC分类号： G11C16/18 , G11C13/047 , G11C16/16 , H01L25/167 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L29/7881 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： An array of non-volatile memory cells and a method for altering a state of a non-volatile memory cell that comprises multiple terminals, a substrate, and a charge retainer surrounded by an insulator, the method includes: illuminating the substrate with light such as to create electron-hole pairs within a first portion of the substrate positioned deep within the substrate and to create electron-hole pairs within a second portion of the substrate located near an upper surface of the substrate; and applying at least one control voltage to at least one terminal of the non-volatile memory cell such as to cause charged particles created in the first portion and in the second portion to propagate towards the upper surface of the substrate and to be injected into the charge retainer.
摘要翻译：一种非易失性存储单元阵列和一种用于改变由绝缘体包围的多个端子，基板和电荷保持器的非易失性存储单元的状态的方法，该方法包括：用诸如在衬底的第一部分内形成电子 - 空穴对，并位于衬底的上表面附近的衬底的第二部分内形成电子 - 空穴对; 以及向所述非易失性存储单元的至少一个端子施加至少一个控制电压，以使得在所述第一部分和所述第二部分中产生的带电粒子向所述衬底的上表面传播并被注入到所述第一部分中。充电保持器。

59. 发明申请

WO01063617A1 POINT PROBE MEMORY WITH LIGHT MODULATOR READOUT 审中-公开
标题翻译：具有光调制器读数的点探测存储器
公开(公告)号：WO01063617A1
公开(公告)日：2001-08-30
申请号：PCT/US2001/005446
申请日：2001-02-21
IPC分类号： G11B9/00 , G11C13/04
CPC分类号： B82Y10/00 , G02F2203/12 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1463 , G11C13/047
摘要： A memory cell (100) that includes a memory media (102) electronically storing information, and a read unit (104) for reading information in the memory media and converting the read information into an optical signal. The read unit (104) includes a point probe (106) and a spatial light modulator (112). The point probe reads information from the memory media, which produces a charge at the probe. This charge, corresponding to the information electronically stored in the memory media, is then used to control the operation of the spatial light modulator so that the modulator modulates light to convey the information read from the memory media. The read unit may also include an output amplifier (110), for amplifying the signal output from the point probe used to control the spatial light modulator. The read unit may also include a drive amplifier (602), for providing power to the point probe to allow it to write information to the memory media.
摘要翻译：一种包括电子存储信息的存储介质（102）的存储单元（100）和用于读取存储介质中的信息并将读取的信息转换为光信号的读单元（104）。读取单元（104）包括点探测器（106）和空间光调制器（112）。点探针从存储介质读取信息，这在探针产生电荷。该电荷对应于电子存储在存储介质中的信息，然后用于控制空间光调制器的操作，使得调制器调制光以传送从存储介质读取的信息。读取单元还可以包括输出放大器（110），用于放大从用于控制空间光调制器的点探针输出的信号。读取单元还可以包括驱动放大器（602），用于向点探针提供电力以允许其将信息写入存储介质。

60. 发明申请

WO00048175A1 MULTILAYER OPTICAL INFORMATION STORAGE MEDIUM BASED ON INCOHERENT SIGNAL 审中-公开
标题翻译：基于不可信信号的多层光信息存储介质
公开(公告)号：WO00048175A1
公开(公告)日：2000-08-17
申请号：PCT/US2000/003408
申请日：2000-02-11
IPC分类号： G11B7/0033 , G11B7/005 , G11B7/007 , G11C11/42 , G11C13/04 , G11B7/00
CPC分类号： G11B7/0938 , G11B7/0033 , G11B7/005 , G11B7/007 , G11B7/124 , G11C11/42 , G11C13/04 , G11C13/047
摘要： A multilayer optical information storage medium, such as a card, uses a luminescent, fluorescent, or electroluminescent material to reproduce information in the form of incoherent radiation. Each layer has multiple pages of information. A specific page on a specific layer is addressed by moving the card relative to a read head so that the image of the specific page to be read is focused on the read head. This can be accomplished by moving the card in the X, Y, and Z directions, or by holding the card stationary and by moving a two-dimensional image detector in the X, Y, and Z directions.
摘要翻译：诸如卡的多层光学信息存储介质使用发光，荧光或电致发光材料以非相干辐射的形式再现信息。每层都有多页信息。通过相对于读头移动卡来解决特定层上的特定页面，使得要读取的特定页面的图像聚焦在读取头上。这可以通过在X，Y和Z方向上移动卡，或者通过将卡固定并且通过在X，Y和Z方向上移动二维图像检测器来实现。

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