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51. 发明专利

TW201613223A 充放電控制裝置以及電池裝置审中-公开
简体标题：充放电控制设备以及电池设备
公开(公告)号：TW201613223A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104130215
申请日：2015-09-14
申请人：精工電子有限公司 , SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：前谷文彦 , MAETANI, FUMIHIKO
IPC分类号： H02J7/00 , H01M10/44
CPC分类号： H02J7/0031 , H02J2007/0037
摘要：本發明提供一種電池裝置，僅當偵測到二次電池的過充電、過電流時，才使作為保護元件的熔線組件熔斷，而不會誤熔斷。與使熔線組件熔斷的發熱電阻體連接的控制開關導通的臨限值電壓的絕對值為過充電檢測電路的最低動作電壓以上且過充電檢測電壓以下。
简体摘要：本发明提供一种电池设备，仅当侦测到二次电池的过充电、过电流时，才使作为保护组件的熔线组件熔断，而不会误熔断。与使熔线组件熔断的发热电阻体连接的控制开关导通的临限值电压的绝对值为过充电检测电路的最低动作电压以上且过充电检测电压以下。

52. 发明专利

TWI524669B 使用有光感測器之接近感測器有权
简体标题：使用有光传感器之接近传感器
公开(公告)号：TWI524669B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW100109017
申请日：2011-03-16
申请人：精工電子有限公司 , SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：宇都宮文靖 , UTSUNOMIYA, FUMIYASU , 山崎太郎 , YAMASAKI, TARO , 藤井勇 , FUJII, ISAMU
IPC分类号： H03K17/945 , G01J1/28 , G01J1/44
CPC分类号： H03K17/941 , H03K17/9627 , H03K2217/94106 , H03K2217/96058

53. 发明专利

TWI522764B 電壓調整器有权
简体标题：电压调整器
公开(公告)号：TWI522764B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW101101746
申请日：2012-01-17
申请人：精工電子有限公司 , SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：索基特邢 , SOCHEAT, HENG
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： G05F1/575

54. 发明专利

TW201607010A 影像感測器审中-公开
简体标题：影像传感器
公开(公告)号：TW201607010A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104107736
申请日：2015-03-11
申请人：精工電子有限公司 , SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：小山威 , KOYAMA, TAKESHI
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/1463
摘要：提供具有抑制發生於Si基板的深處位置之載子的橫擴散所致之鄰接之光二極體的作用(像素間串擾)之半導體受光元件的影像感測器。於鄰接之光二極體間利用雷射作出改質層，產生再結合位準，抑制像素間串擾。
简体摘要：提供具有抑制发生于Si基板的深处位置之载子的横扩散所致之邻接之光二极管的作用(像素间串扰)之半导体受光组件的影像传感器。于邻接之光二极管间利用激光作出改质层，产生再结合位准，抑制像素间串扰。

55. 发明专利

TWI520247B 封裝體標記方法有权
简体标题：封装体标记方法
公开(公告)号：TWI520247B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW100108105
申请日：2011-03-10
申请人：精工電子有限公司 , SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：福田純也 , FUKUDA, JUNYA
IPC分类号： H01L21/67 , H03H3/007
CPC分类号： H03H9/21 , H01L2224/16225 , H01L2924/16152 , H03H9/1021 , Y10T156/1052

56. 发明专利

TWI519029B 電池單元平衡裝置及電池系統有权
简体标题：电池单元平衡设备及电池系统
公开(公告)号：TWI519029B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW100142541
申请日：2011-11-21
申请人：精工電子有限公司 , SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：櫻井敦司 , SAKURAI, ATSUSHI , 佐野和亮 , SANO, KAZUAKI , 齋藤啟 , SAITO, HIROSHI
IPC分类号： H02J7/02
CPC分类号： H02J7/0016

57. 发明专利

TWI514772B 昇壓電路有权
简体标题：升压电路
公开(公告)号：TWI514772B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW099103653
申请日：2010-02-06
申请人：精工電子有限公司 , SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：大谷綾香 , OTANI, AYAKA , 岡智博 , OKA, TOMOHIRO
IPC分类号： H03K5/003
CPC分类号： H02M3/1584

58. 发明专利

TW201546598A 基準電壓電路审中-公开
简体标题：基准电压电路
公开(公告)号：TW201546598A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104100723
申请日：2015-01-09
申请人：精工電子有限公司 , SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：杉浦正一 , SUGIURA, MASAKAZU , 冨岡勉 , TOMIOKA, TSUTOMU
IPC分类号： G05F3/24
CPC分类号： G05F3/16 , G05F3/24 , Y10T307/549
摘要：提供可輸出溫度特性佳之基準電壓的基準電壓電路。作為具備第一定電流電路、源極連接於第一定電流電路，作為第1段的源極隨耦器而動作之第一導電型的第一電晶體、第二定電流電路、閘極連接於第一電晶體的源極，源極連接於第二定電流電路，作為第2段的源極隨耦器而動作之第二導電型的第二電晶體，從第二電晶體的源極輸出基準電壓的構造。
简体摘要：提供可输出温度特性佳之基准电压的基准电压电路。作为具备第一定电流电路、源极连接于第一定电流电路，作为第1段的源极随耦器而动作之第一导电型的第一晶体管、第二定电流电路、闸极连接于第一晶体管的源极，源极连接于第二定电流电路，作为第2段的源极随耦器而动作之第二导电型的第二晶体管，从第二晶体管的源极输出基准电压的构造。

59. 发明专利

TW201543695A 光感測器裝置审中-公开
简体标题：光传感器设备
公开(公告)号：TW201543695A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104101802
申请日：2015-01-20
申请人：精工電子有限公司 , SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人： 越功二 , TSUKAGOSHI, KOJI
IPC分类号： H01L31/0203
CPC分类号： H01L31/0203 , H01L23/3157 , H01L23/49838 , H01L31/02002 , H01L31/02162 , H01L31/02325 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：提供具有藉由防止導線的細薄化及伴隨端子數增加之樹脂成型封裝的導線保持力、耐拉力的降低，並且緩和導線的加工時封裝的樹脂成型部分承受之壓力，同時排除樹脂與導線的界面發生剝離或裂痕，提升機械性強度、密接性與氣密性，來提升信賴性之構造的半導體封裝。用於藉由樹脂所成型之光感測器裝置的封裝，係將包含安裝光感測器元件(5)之晶片墊部(8)及導線(3a，3b)之一部分的周圍，藉由樹脂來成型而進行一體化的第一樹脂成型部(1)，與將第一樹脂成型部(1)的周圍，藉由樹脂來成型而構成外形的第二樹脂成型部(2)密接所嵌合成型的雙重成型構造。在設置空腔時，密接具有濾光功能的玻璃基板(4)，與被嵌合成型之樹脂成型部的上面，作為中空構造。
简体摘要：提供具有借由防止导线的细薄化及伴随端子数增加之树脂成型封装的导线保持力、耐拉力的降低，并且缓和导线的加工时封装的树脂成型部分承受之压力，同时排除树脂与导线的界面发生剥离或裂痕，提升机械性强度、密接性与气密性，来提升信赖性之构造的半导体封装。用于借由树脂所成型之光传感器设备的封装，系将包含安装光传感器组件(5)之芯片垫部(8)及导线(3a，3b)之一部分的周围，借由树脂来成型而进行一体化的第一树脂成型部(1)，与将第一树脂成型部(1)的周围，借由树脂来成型而构成外形的第二树脂成型部(2)密接所嵌合成型的双重成型构造。在设置空腔时，密接具有滤光功能的玻璃基板(4)，与被嵌合成型之树脂成型部的上面，作为中空构造。

60. 发明专利

TW201543582A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201543582A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104102682
申请日：2015-01-27
申请人：精工電子有限公司 , SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：竹沢真 , TAKESAWA, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/428 , H01L21/56 , H01L23/00 , H01L23/29
CPC分类号： H01L24/27 , B23K26/53 , B23K2203/50 , B23K2203/56 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/0801 , H01L2224/29339 , H01L2224/32013 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/4912 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/10156 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：本發明係一種半導體裝置及其製造方法，其課題為提供耐濕性良好的之半導體裝置。解決手段為由形成具有大的凹凸之範圍(25)於經由封閉樹脂(8)所被覆之半導體晶片(2)之上側面，而形成具有小的凹凸之範圍(24)於下側面者，使半導體晶片(2)與封閉樹脂(8)之密著力提升，防止自外部的水分之浸入。
简体摘要：本发明系一种半导体设备及其制造方法，其课题为提供耐湿性良好的之半导体设备。解决手段为由形成具有大的凹凸之范围(25)于经由封闭树脂(8)所被覆之半导体芯片(2)之上侧面，而形成具有小的凹凸之范围(24)于下侧面者，使半导体芯片(2)与封闭树脂(8)之密着力提升，防止自外部的水分之浸入。

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