会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 54. 发明授权
    • Dual oxide gate device and method for providing the same
    • 双氧化物栅极器件及其提供方法
    • US06392488B1
    • 2002-05-21
    • US09659636
    • 2000-09-12
    • Timothy J. DupuisSusanne A. Paul
    • Timothy J. DupuisSusanne A. Paul
    • H03F316
    • H03F3/195H03F3/193
    • An RF power amplifier is provided for use with wireless transmission systems such as cellular phones. An RF power amplifier includes direct drive amplifier circuitry operating in a push-pull scheme. The RF power amplifier includes a pair of switching devices driven by a pair of mutually coupled inductive devices. The inductive devices may be magnetically or capacitively coupled together. The RF power amplifier may be formed on a single integrated circuit and include an on-chip bypass capacitor. The RF power amplifier may utilize a voltage regulator for providing a regulated voltage source. The RF power amplifier may be provided using a dual oxide gate device resulting in an improved amplifier. The RF power amplifier may be packaged using flip chip technology and multi-layer ceramic chip carrier technology.
    • RF功率放大器被提供用于诸如蜂窝电话之类的无线传输系统。 RF功率放大器包括以推挽方式工作的直接驱动放大器电路。 RF功率放大器包括由一对相互耦合的感应器件驱动的一对开关器件。 感应器件可以磁性或电容耦合在一起。 RF功率放大器可以形成在单个集成电路上并且包括片上旁路电容器。 RF功率放大器可以利用电压调节器来提供调节电压源。 可以使用双重氧化物栅极器件提供RF功率放大器,从而产生改进的放大器。 RF功率放大器可以使用倒装芯片技术和多层陶瓷芯片载体技术封装。