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51. 发明申请

WO2019121556A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2019121556A1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：PCT/EP2018/085287
申请日：2018-12-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24
摘要： In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Vielzahl von Halbleitersäulen (3). An Seitenflächen (37) sind die Halbleitersäulen (3) mindestens zum Teil von einer elektrischen Trennschicht (2) umgeben. Eine Bestromung der Halbleitersäulen (3) erfolgt über mindestens eine erste elektrische Kontaktfläche (41) und mindestens eine zweite elektrische Kontaktfläche (42). Ein erster Teil der Halbleitersäulen (3) ist als Emittersäulen (5) zur Strahlungserzeugung und ein zweiter Teil als nicht strahlende elektrische Kontaktsäulen (4) gestaltet. Die Kontaktsäulen (4) verlaufen durch die Trennschicht (2) hindurch, sodass alle Kontaktflächen (41, 42) auf der gleichen Seite der Trennschicht (2) liegen. Die Kontaktsäulen (4) sind je mit einer elektrisch ohmsch leitenden Außenschicht (43) versehen.

52. 发明申请

WO2019115713A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUTEILS UND HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
公开(公告)号：WO2019115713A1
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：PCT/EP2018/084804
申请日：2018-12-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried , VÖLKL, Michael
IPC分类号： H01L25/075 , H01L27/15 , H01L33/20
摘要： Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit einem Strahlung emittierenden optischen Halbleiterchip (10, 11, 12, 13) oder einer Mehrzahl von Strahlung emittierenden optischen Halbleiterchips (10, 11, 12, 13) umfasst: Aufbringen des Strahlung emittierenden optischen Halbleiterchips (10, 11, 12, 13) oder der Mehrzahl von Strahlung emittierenden optischen Halbleiterchips (10, 11, 12, 13) auf einem verformbaren flachen Träger (2), Verformen des Trägers (2) und dauerhaftes Fixieren der Verformung.

53. 发明申请

WO2019110676A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERLICHTQUELLEN UND HALBLEITERLICHTQUELLE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019110676A1
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：PCT/EP2018/083679
申请日：2018-12-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STRASSBURG, Martin , AVRAMESCU, Adrian Stefan , VARGHESE, Tansen , HERRMANN, Siegfried , BEHRINGER, Martin Rudolf
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L33/56
摘要： In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlichtquellen (1) und umfasst die Schritte: A) Wachsen einer Vielzahl von Halbleitersäulen (3) an einer Aufwachsfläche (20) zumindest eines Aufwachssubstrats (2), wobei die Halbleitersäulen (3) zur Strahlungserzeugung eingerichtet sind, B) Einprägen der fertig gewachsenen Halbleitersäulen (3) in eine Prägematrix (4), sodass zumindest Seitenflächen (35) der Halbleitersäulen (3) unmittelbar von einem Material der Prägematrix (4) umschlossen werden, und C) Ablösen der Halbleitersäulen (3) von dem zumindest einen Aufwachssubstrat (2) nach dem Einprägen in die Prägematrix (4), wobei die Prägematrix (4) die Halbleitersäulen (3) beim Ablösen festhält.

54. 发明申请

WO2018234160A1 HALBLEITERDISPLAY, OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG SOLCHER 审中-公开
公开(公告)号：WO2018234160A1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：PCT/EP2018/065866
申请日：2018-06-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/08 , H01L33/18
摘要： In einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterdisplay (10) eine Vielzahl von Halbleitersaulen (2) sowie erste und zweite elektrische Kontaktleisten (3, 4). Die Halbleitersaulen (2) umfassen je einen Halbleiterkern (21) eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine Halbleiterhülle (23) eines vom ersten verschiedenen, zweien Leitfähigkeitstyps sowie eine dazwischenliegende aktive Schicht (22) zur Strahlungserzeugung. Die Halbleitersäulen (2) umfassen je eine Bestromungshülle (24), die zur Bestromung auf die jeweilige Halbleiterhülle (23) aufgebracht ist. Die Halbleitersäulen (2) sind einzeln oder in kleinen Gruppen (29) über die ersten und zweiten elektrischen Kontaktleisten (3, 4) elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbar.

55. 发明申请

WO2018177818A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON OBERFLÄCHENMONTIERBAREN OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN UND OBERFLÄCHENMONTIERBARES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2018177818A1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：PCT/EP2018/057045
申请日：2018-03-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/58
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementen (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen einer Vielzahl von transparenten Grundkörpern (1) mit jeweils einer Montagerückseite (12), einer der Montagerückseite gegenüberliegenden Strahlungsaustrittsseite (11) und Montageseitenflächen (13, 14), die jeweils quer zur Strahlungsaustrittsseite (11) angeordnet sind, B) Aufbringen eines Anschlusskontaktes (2) auf zumindest eine Montageseitenfläche (13) und die Montagerückseite (12) des jeweiligen Grundkörpers (1), so dass das Bauelement oberflächenmontierbar ist, wobei der Anschlusskontakt (2) zur elektrischen Kontaktierung einer Halbleiterschichtenfolge (3) eingerichtet ist, und C) Aufbringen der Halbleiterschichtenfolge (3) auf zumindest eine Montageseitenfläche (13) des jeweiligen Grundkörpers (1), die zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist, wobei die elektromagnetische Strahlung im Betrieb über die Strahlungsaustrittsseite (11) des Grundkörpers (1) aus dem Bauelement (100) auskoppelt.

56. 发明申请

WO2018141834A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND HERSTELLUNGSVERFAHREN HIERFÜR 审中-公开
公开(公告)号：WO2018141834A1
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：PCT/EP2018/052490
申请日：2018-02-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/38 , H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/08
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/0095 , H01L33/08 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L2933/0016
摘要： Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine von einem Aufwachssubstrat (9) abgelöste Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (23) zur Erzeugung von Licht zwischen einem ersten Schichtbereich (21) und einem zweiten Schichtbereich (22). Ferner sind eine erste (31) und eine zweite elektrische Kontaktstruktur (32) vorhanden, über die die Schichtbereiche (31, 32) elektrisch kontaktiert sind. Ein Trägersubstrat (6) befindet sich an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der ersten und der zweiten Kontaktstruktur (31, 32). Die erste Kontaktstruktur (31) umfasst Flächenkontakte (41) direkt an der Halbleiterschichtenfolge (2) und über die Halbleiterschichtenfolge (2) durchgehend hinweg. Die zweite Kontaktstruktur (32) umfasst elektrisch bevorzugt unabhängig ansteuerbare Kontaktzapfen (42), die sich durch die Flächenkontakte (41), den ersten Schichtbereich (21) und die aktive Zone (23) hindurch in den zweiten Schichtbereich (22) erstrecken.

57. 发明申请

WO2018104170A2 BAUTEIL MIT EINEM STRAHLUNGSEMITTIERENDEN OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2018104170A2
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：PCT/EP2017/081182
申请日：2017-12-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LINKOV, Alexander , SINGER, Frank , BRUCKSCHLOEGL, Matthias , HERRMANN, Siegfried , SCHWARZ, Thomas
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/00 , H01L33/58
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/48 , H01L33/486 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2933/0033 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014
摘要： Die Erfindung betrifft ein Bauteil (1) mit einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement (2), wobei das Bauelement (2) mit einer Unterseite auf einer Oberseite (30) eines ersten Trägers (3) angeordnet ist, wobei der erste Träger (3) transparent für die Strahlung des Bauelementes (2) ist, wobei der erste Träger (3) mit einer Unterseite (31) auf einer Oberseite (13) eines zweiten Trägers (4) angeordnet ist, wobei der zweite Träger (4) zweite elektrische Kontakte (10, 11) aufweist, wobei die zweiten elektrischen Kontakte (10, 11) über elektrische Leitungen (16, 17) mit elektrischen Kontakten (14, 15) des Bauelementes (2) verbunden sind.

58. 发明申请

WO2017178421A1 LICHTEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：半导体芯片的光用于制造发光器件的发光器件和工艺
公开(公告)号：WO2017178421A1
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：PCT/EP2017/058536
申请日：2017-04-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/52 , H01L33/62 , H01L33/38
摘要： Es wird ein lichtemittierender Halbleiterchip angegeben, bei dem - eine erste Stromverteilungstruktur (31) und eine zweite Stromverteilungstruktur (32) von einer einem Substrat (1) abgewandten Seite eines Halbleiterkörpers (2) frei zugänglich sind, - der Halbleiterchip (10) an der dem Substrat (1) abgewandten Seite des Halbleiterkörpers (2) und an einer Bodenfläche (1b) des Substrats (1) frei von jeglicher Anschlussstelle ist, die zur elektrischen Kontaktierung der ersten und zweiten Stromverteilungstrukturen (31, 32) ausgebildet ist, - die erste Stromverteilungstruktur (31) zu einer ersten Seitenfläche (1c) einen kleineren Abstand aufweist, als die zweite Stromverteilungstruktur (32), und - die zweite Stromverteilungstruktur (32) zu einer zweiten Seitenfläche (1e) einen kleineren Abstand aufweist, als die erste Stromverteilungstruktur (32).
摘要翻译：
这是一个发光半导体芯片被指示，以及 - 第一配电结构（31）和从Halbleiterk＆OUML的基板（1）侧的背向的第二功率分配结构（32）;自由rpers（2）列车＆AUML; 是可访问的， - 从所述半导体＆oUML的侧背向所述基板（1）上的半导体芯片（10）; rpers（2），并在一个Bodenfl BEAR表面（1b）的所述衬底（1）是不含任何连接点，这对于所述的电接触形成第一和第二电力分配结构（31，32）， - 所述第一电流分布结构（31）的第一Seitenfl BEAR表面（1C）具有比所述第二功率分配结构（32）更小的距离，以及 - 所述第二功率分配结构（32），以第二侧面（1e）具有比第一电流分布结构（32）更小的距离。

59. 发明申请

WO2017153244A1 OPTOELEKTRONISCHES MULTI-CHIP HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：光电子多芯片半导体
公开(公告)号：WO2017153244A1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：PCT/EP2017/054893
申请日：2017-03-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/46 , H01L33/48 , H01L33/60
摘要： Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) ein Gehäuse (2) mit einer Ausnehmung (20) sowie einen ersten Halbleiterchip (31) zur Erzeugung von Licht einer ersten Farbe und einen zweiten Halbleiterchip (32) zur Erzeugung von Licht einer zweiten Farbe, wobei die zweite Farbe von der ersten Farbe verschieden ist. Im Betrieb wird entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) eine Mischstrahlung, umfassend zumindest Licht der ersten Farbe, emittiert. Der erste Halbleiterchip (31) ist in einer ersten Ebene (P1) und der zweite Halbleiterchip (32) in einer zweiten Ebene (P2) in der Ausnehmung (20) angeordnet, wobei die beiden Ebenen (P1, P2) entlang der Hauptabstrahlrichtung (M) aufeinander folgen. In Draufsicht parallel zur Hauptabstrahlrichtung (M) gesehen sind aktive Zonen (33) der Halbleiterchips (31, 32) nebeneinander angeordnet. Die Ausnehmung ist, in Draufsicht gesehen, zu mindestens 20 % von den Halbleiterchips (31, 32) ausgefüllt. Eine elektrische Anschlussfläche (61) des ersten Halbleiterchips (31) bildet einen Teil einer Montagefläche (22) des Halbleiterbauteils (1).
摘要翻译：
它包括光电子半导体器件（1）的壳体BEAR使用（2）具有用于第一颜色和第二半导体芯片的产生光的凹部（20）和第一半导体芯片（31）（32）用于产生第二颜色的光，其中第二颜色不同于第一颜色。在操作中，沿着主发射方向（M）发射至少包括第一颜色的光的混合辐射。在第一半导体芯片（31）是在第一平面（P1）和在所述凹部中的第二平面（P2）的第二半导体芯片（32）（20），所述两个平面（P1，P2）（沿着主辐射方向M ）跟着彼此。如在平面图中看到的，平行于主发射方向（M），半导体芯片（31,32）的有源区（33）彼此并排布置。如在平面图中看到的那样，凹部至少填充20％的半导体芯片（31,32）。第一半导体芯片（31）的电连接表面（61）形成半导体部件（1）的安装表面（22）的一部分，

60. 发明申请

WO2016156329A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片，光电半导体器件及其制造方法光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2016156329A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/EP2016/056819
申请日：2016-03-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L21/568 , H01L25/0753 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/505 , H01L2224/24 , H01L2224/48091 , H01L2224/73267 , H01L2224/82 , H01L2224/92244 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) umfasst einen Grundkörper mit einem Träger (3) und einer auf einer Oberseite (30) des Trägers (3) angeordneten Halbleiterschichtenfolge (1), die im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung emittiert oder absorbiert. Ferner umfasst der Halbleiterchip (100) zwei auf der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnete und vom Träger (3) abgewandte Kontaktflächen (20, 21), über die die Halbleiterschichtenfolge (1) elektrisch kontaktierbar ist. Der Halbleiterchip (100) weist außerdem zwei Kontaktelemente (40, 41) auf, die auf den Kontaktflächen (20, 21) aufgebracht sind und mit diesen elektrisch leitend verbunden sind. Der Träger (3) des Grundkörpers umfasst quer zur Oberseite (30) verlaufende Seitenflächen (32) und eine der Oberseite (30) gegenüberliegende Unterseite (31). Die Kontaktelemente (40, 41) sind als Leiterbahnen ausgebildet, die ausgehend von den Kontaktflächen (20, 21) über Kanten des Grundkörpers bis auf die Seitenflächen (32) des Trägers (3) geführt sind.
摘要翻译：的光电子半导体芯片（100）包括具有支撑件（3）和一个（3）上设置发射正常操作或吸收过程中电磁辐射的半导体层序列（1）在所述支撑件的上侧（30）的基体。此外，半导体芯片（100）包括：（1）设置在半导体层序列和两个（3）从背离经由该半导体层序列（1）可以电接触的接触表面（20，21）的距离的载体。半导体芯片（100）还具有两个接触元件（40，41），其被施加到接触表面（20,21）以及与这些导电相关联。基体的支撑体（3）包括横向于延伸侧表面（32）和顶侧（30）的底部（31）相反的一个顶面（30）。接触元件（40，41）被设计为导体轨迹，其从所述接触表面（20，21），在除了所述载体（3）的侧表面（32）的主体的边缘导致。

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