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51. 发明公开

KR1020140132025A 전기 변색소자를 이용한 차량용 선루프와 이에 전기를 공급하는 방법 无效
标题翻译：一种使用电化学材料的SUNROPO及其电力供应方法
公开(公告)号：KR1020140132025A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：KR1020130050380
申请日：2013-05-06
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 윤재호 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 조준식 , 유진수 , 박상현 , 박주형
IPC分类号： B60J7/043 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02T10/90
摘要： 본 발명은 본 발명은 차량의 지붕에 설치하는 선루프(sunroof)에 관한 것으로, 특히 전기 변색소자를 이용한 차량용 선루프와 이에 전기를 공급하는 방법에 관한 것으로서, 차량의 지붕에 설치하여 외부의 빛이나 공기가 차안으로 들어오도록 조절할 수 있게 하는 선루프(sunroof)에 있어서, 가해지는 전압에 따라 투명도가 변화되는 전기 변색소자(Electrochromic Material)를 갖는 스마트유리창부(1)와, 상기 스마트유리창부(2)에 전원을 공급하는 태양전지부(2)와 태양전지부(2)에서 생산된 전기를 스마트유리창부에 공급하는 전원공급부(3)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：技术领域本发明涉及一种安装在车顶上的太阳屋顶，更具体地说，涉及使用电致变色材料的车辆天窗和向其供电的方法。安装在车顶上以控制外部光或空气引入车辆内的天窗包括具有电致变色材料的智能玻璃窗单元（1），其中透明度根据施加的电压而变化; 向所述智能玻璃窗单元（2）供电的太阳能电池单元（2）; 以及将太阳能电池单元（2）中产生的电力供应到智能玻璃窗单元（2）的电源单元（3）。

52. 发明公开

KR1020140112148A 성능이 향상된 CI(G)S 박막 제조 방법과 이를 이용한 태양전지. 有权
标题翻译：性能改进CI（G）S薄膜太阳能电池使用制造方法和。
公开(公告)号：KR1020140112148A
公开(公告)日：2014-09-23
申请号：KR1020130026155
申请日：2013-03-12
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 조준식 , 박주형 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 유진수 , 박상현
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0749 , H01L21/02568 , H01L21/02664 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： Disclosed is a method for manufacturing a CI(G)S thin film as a light absorbing layer of a solar cell. The method includes the steps of: preparing a substrate; manufacturing a CI(G)S-based compound which is a precursor; forming a CI(G)S-based precursor thin film by coating the substrate with the precursor CI(G)S-based compound; drying the CI(G)S-based precursor thin film formed on the substrate; selenizing the dried CI(G)S-based precursor thin film through heat treatment to form a CI(G)S thin film; dipping the formed CI(G)S thin film in a solution containing sodium (Na) to deposit a buffer layer; and heat treating the CI(G)S thin film on which the buffer layer is deposited so that the Na on the buffer layer can be moved to the CI(G)S thin film in a Na+ state, thereby reducing defects of crystal grains of the CI(G)S thin film by the Na+ and using the CI(G)S thin film having improved performance as a light absorbing layer of a solar cell.
摘要翻译：公开了一种制造作为太阳能电池的光吸收层的CI（G）S薄膜的方法。该方法包括以下步骤：制备基底; 制造作为前体的CI（G）S基化合物; 通过用前体CI（G）S基化合物涂覆基底来形成CI（G）S基前体薄膜; 干燥形成在基板上的CI（G）S基前体薄膜; 通过热处理对干燥的CI（G）S基前体薄膜进行硒化，形成CI（G）S薄膜; 将形成的CI（G）S薄膜浸入含有钠（Na）的溶液中以沉积缓冲层; 并对其中沉积有缓冲层的CI（G）S薄膜进行热处理，使得缓冲层上的Na能够以Na +态移动到CI（G）S薄膜，从而减少晶体的晶粒缺陷通过Na +的CI（G）S薄膜和使用具有改进的性能的CI（G）S薄膜作为太阳能电池的光吸收层。

53. 发明授权

KR101439240B1 박막 태양전지 광흡수층의 저온 제조방법 有权
标题翻译：太阳能电池低温绝缘层制备方法。
公开(公告)号：KR101439240B1
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：KR1020130036155
申请日：2013-04-03
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 박주형 , 조준식 , 어영주 , 윤재호 , 윤경훈 , 신기식 , 곽지혜 , 박상현 , 안세진 , 안승규 , 유진수 , 조아라
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18 , H01L31/0749
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/042 , H01L31/0749 , H01L31/18
摘要： The present invention relates to a fabrication method of a light absorbing layer and a solar cell. The fabrication method of the light absorbing layer and the fabrication method of the solar cell are configured to fabricate the light absorbing layer of the solar cell to allow the light absorbing layer have a composition ratio of a target by irradiating a laser or an electron beam to the target having the desired composition ratio and then depositing a formed plasma on a substrate; to be able to adjust the composition in accordance to the height of the light absorbing layer; and to deposit the light absorbing layer at a low temperature when compared to a conventional technique.
摘要翻译：本发明涉及一种光吸收层和太阳能电池的制造方法。光吸收层的制造方法和太阳能电池的制造方法被配置为制造太阳能电池的光吸收层，以通过照射激光或电子束来允许光吸收层具有靶的组成比所述靶具有所需的组成比，然后在基底上沉积形成的等离子体; 能够根据光吸收层的高度来调整组成; 并且与常规技术相比，将光吸收层沉积在低温下。

54. 发明授权

KR101428594B1 CI(G)S 박막 제조 방법 有权
标题翻译：形成CI（G）薄膜的方法
公开(公告)号：KR101428594B1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：KR1020130108451
申请日：2013-09-10
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 안세진 , 어영주 , 곽지혜 , 윤경훈 , 조아라 , 윤재호 , 조준식 , 안승규 , 신기식 , 박상현 , 박주형 , 유진수
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/04
摘要： The present invention relates to a CI(G)S thin film and a method for forming the same. More specifically, the present invention relates to a method for forming a CI(G)S thin film which improves an electro-optical property, productivity, cost reduction and process stability and a CI(G)S thin film manufactured by the method. According to the present invention, an indium layer or an indium-gallium layer, which has low copper content or no copper, between the CI(G)S thin film of a solar cell and molybdenum thin film interface is stacked, thereby completely removing carbon remaining on the CI(G)S thin film and the molybdenum thin film interface and improving the electro-optical property of the CI(G)S thin film.
摘要翻译：本发明涉及一种CI（G）S薄膜及其形成方法。更具体地说，本发明涉及一种提高电光性能，生产率，成本降低和工艺稳定性的CI（G）S薄膜的形成方法以及通过该方法制造的CI（G）S薄膜）。根据本发明，在太阳能电池的CI（G）S薄膜和钼薄膜界面之间堆叠具有低铜含量或不含铜的铟层或铟镓层，从而完全除去碳留在CI（G）S薄膜和钼薄膜界面上，提高了CI（G）S薄膜的电光性能。

55. 发明授权

KR101369166B1 태양전지용 ＣＩＧＳ 광흡수층 형성 방법 및 ＣＩＧＳ 태양전지 有权
标题翻译： CIGS吸收层和CIGS太阳能电池的形成方法
公开(公告)号：KR101369166B1
公开(公告)日：2014-03-24
申请号：KR1020120076562
申请日：2012-07-13
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 윤재호 , 곽지혜 , 안세진 , 윤경훈 , 신기식 , 안승규 , 조아라 , 박상현 , 박희선 , 최성우
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541
摘要： 본발명은기판의 Na의농도가낮아서 CIGS 광흡수층의공핍층이얇은경우에태양전지효율을향상시킬수 있는 CIGS 광흡수층을형성하는방법에관한것으로, 3단계의동시진공증발법에의하여태양전지용 CIGS 광흡수층을형성하는방법으로서, In과 Ga 및 Se을동시에증발시켜증착하는제1단계; Cu와 Se를동시에증발시켜증착하는제2단계; In과 Ga 및 Se를동시에증발시켜증착하는제3단계;를포함하여구성되며, 상기제1단계에서 Ga을증발시켜공급하는양이, 상기제3단계에서 Ga를증발시켜공급하는양보다많은것을특징으로한다. 본발명의다른형태에의한 CIGS 태양전지는, 기판; 상기기판위에형성된전극층; 및상기전극층위에형성된 CIGS 광흡수층을포함하여구성되며, 상기전극층과상기 CIGS 광흡수층의계면에서의 Ga/(In+Ga)의비율이 0.45 이상인것을특징으로한다. 본발명은, 3단계동시진공증발법으로 CIGS 광흡수층을형성하는과정에서제1단계의 Ga 증발량을늘림으로써, Na의농도가낮은기판위에형성되어공핍층의깊이가깊은 CIGS 태양전지의효율을향상시키는효과가있다.

56. 发明公开

KR1020140026678A 급속 열처리 공정을 사용한 ＣＩＧＳ 박막의 제조방법 有权
标题翻译：使用快速热处理的CIGS薄膜的制备方法
公开(公告)号：KR1020140026678A
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：KR1020120091874
申请日：2012-08-22
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 안세진 , 윤재호 , 곽지혜 , 윤경훈 , 신기식 , 안승규 , 조아라 , 조준식 , 박상현 , 어영주 , 유진수 , 박주형
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a CIGS thin film which does not require an additional Se supply during rapid thermal processing (RTP), by performing the rapid thermal processing after forming a Cu-In-Ga-Se precursor thin film containing a Se component. Specifically, the method for manufacturing a CIGS thin film comprises the steps of forming a Cu-In-Ga-Se precursor thin film containing selenium in a substrate (step a); and performing rapid thermal processing to the precursor thin film formed in step a at a temperature exceeding 400°C and below 600°C and at a pressure of 1 to 760 torr for 1 to 30 minutes (step b). The present invention allows the precursor thin film to contain a sufficient amount of Se in itself in the process of manufacturing the CIGS precursor thin film. Therefore the precursor thin film does not require an additional Se supply during the rapid thermal processing, thereby minimizing loss of Se from controlling the rapid thermal processing conditions and providing a high crystalline CIGS thin film.
摘要翻译：本发明涉及一种在快速热处理（RTP）中不需要额外的Se供应的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，在形成含有Cu-In-Ga-Se前体薄膜的Cu-In-Ga-Se前体薄膜之后进行快速热处理 Se组件。具体地说，制造CIGS薄膜的方法包括以下步骤：在衬底中形成含有硒的Cu-In-Ga-Se前体薄膜（步骤a）。对步骤a中形成的前体薄膜，在超过400℃，600℃以下，1〜760托的压力下进行1〜30分钟的快速热处理（步骤b）。本发明允许前体薄膜在制造CIGS前体薄膜的过程中本身含有足够量的Se。因此，前体薄膜在快速热处理期间不需要额外的Se供应，从而使得Sn的损失最小化以控制快速热处理条件并提供高结晶CIGS薄膜。

57. 发明授权

KR101367760B1 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 ＣＩ（Ｇ）Ｓ계 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 ＣＩ（Ｇ）Ｓ계 박막 有权
标题翻译：基于CIGS的复合薄膜的制备方法使用具有低熔点的熔点和其制备的CI（G）S基化合物薄膜
公开(公告)号：KR101367760B1
公开(公告)日：2014-02-28
申请号：KR1020120010638
申请日：2012-02-02
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 윤경훈 , 윤재호 , 신기식 , 곽지혜 , 안세진 , 안승규 , 조준식 , 유진수 , 조아라 , 박상현 , 박주형
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0322 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0326 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막에 개시된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계 나노입자를 제조하는 단계(단계 a); CI(G)S계 나노입자와 녹는점이 30~400℃ 범위에 있는 플럭스를 포함하는 슬러리를 제조하는 단계(단계 b); 슬러리를 기판에 비진공 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 c); CI(G)S계 전구체 박막을 건조시키는 단계(단계 d); 및 CI(G)S계 전구체 박막을 셀레늄증기를 이용하여 셀렌화 열처리하는 단계(단계 e); 를 포함한다. 이에 의하여, 종래 CI(G)S계 박막의 형성에서보다 낮은 온도로 셀렌화 열처리가 가능하여 제조비용을 절감하면서도, 낮은 온도에서도 박막 내 결정성장이 충분히 이루어질 수 있다.

58. 发明授权

KR101339874B1 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 ＣＺＴＳ계 박막의 제조방법, 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 ＣＺＴＳ계 태양전지의 제조방법 및 그 ＣＺＴＳ계 태양전지 有权
标题翻译：双层压片薄膜的制造方法，双层分级太阳能电池和CZTS太阳能电池的制造方法
公开(公告)号：KR101339874B1
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120066111
申请日：2012-06-20
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 윤재호 , 곽지혜 , 안세진 , 윤경훈 , 신기식 , 안승규 , 조아라 , 박상현 , 조준식 , 유진수 , 박주형 , 어영주
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0725 , H01L21/02422 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L31/0326 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a double grading CZTS thin film. The method for manufacturing a double grading CZTS thin film includes a step for forming a backside electrode; and a step for forming a CZTS-based thin film. The present invention improves the efficiency of a solar cell by increasing electron mobility.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造双重分级CZTS薄膜的方法。双级分CZTS薄膜的制造方法具有形成背面电极的工序，以及形成CZTS系薄膜的工序。本发明通过增加电子迁移率来提高太阳能电池的效率。

59. 发明授权

KR101334055B1 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지 有权
标题翻译：具有双层纹理结构的具有纹理层和聚氯乙烯太阳能电池的聚碳酸酯太阳能电池的制造方法
公开(公告)号：KR101334055B1
公开(公告)日：2013-11-29
申请号：KR1020120030083
申请日：2012-03-23
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 안승규 , 윤경훈 , 윤재호 , 조준식 , 안세진 , 곽지혜 , 신기식 , 조아라 , 유진수 , 박상현 , 박주형 , 어영주
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02366 , H01L31/0547 , H01L31/0749 , Y02E10/52 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 텍스처층을 형성하는 단계; 상기 텍스처층에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 텍스처층에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 텍스처층; 상기 텍스처층 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되고, 상기 텍스처층 표면의 텍스처 구조에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되며, 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명은 전면텍스처와 텍스처층의 2중 텍스처 구조를 구비하여 광포획 성능을 크게 증가시킴으로써, 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 효과가 있다.

60. 发明公开

KR1020130071055A 태양전지용 ＣＺＴＳｅ계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＣＺＴＳｅ계 박막 有权
标题翻译： CZTSE薄膜和CZTSE薄膜的制备方法
公开(公告)号：KR1020130071055A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020110138361
申请日：2011-12-20
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 곽지혜 , 윤재호 , 안세진 , 윤경훈 , 정성훈 , 신기식 , 안승규 , 조아라 , 박상현
IPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/06 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0445 , H01L31/06 , H01L31/18
摘要： PURPOSE: CZTSe group thin film manufactured by manufacturing method of a CZTSe group and method thereof for a solar cell are provided to uniform element distribution by minimizing loss and phase separation of Sn. CONSTITUTION: Cu, Zn, Sn and Se are deposited on a substrate according to a co-evaporation process. Cu and Se are additionally deposited on the thin film. The additional deposition of Cu and Se is performed at substrate temperature of 150 to 320°C. Se is additionally deposited on the thin film at high temperature condition. The additional deposition of Se is performed at substrate temperature of 400 to 600°C.
摘要翻译：目的：通过CZTSe组的制造方法制造的CZTSe组薄膜及其太阳能电池的方法通过使Sn的损耗和相分离最小化来提供均匀的元件分布。构成：根据共蒸发方法将Cu，Zn，Sn和Se沉积在基底上。 Cu和Se另外沉积在薄膜上。 Cu和Se的附加沉积在150至320℃的衬底温度下进行。 Se在高温条件下另外沉积在薄膜上。 Se的附加沉积在400至600℃的衬底温度下进行。

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